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公开(公告)号：CN1741227A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510091394.7
申请日：2005-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 电子发射源的形成方法，该方法包括：在基质上提供碳纳米管层；将碳纳米管层固定到基于有机硅氧烷的材料上；固化固定到碳纳米管层的基于有机硅氧烷的材料；从基质上分离碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜；将碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜层合到电子发射源形成基质上；并且热处理层合到电子发射源形成基质上的碳纳米管—聚有机硅氧烷聚合物复合膜。
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公开(公告)号：CN1702806A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073822.3
申请日：2005-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种稳定场发射器的方法。该方法包括在场发射器的碳纳米管上执行等离子体处理。等离子体处理平坦化碳纳米管的表面，稳定碳纳米管的电流密度且增加场发射器的耐久性。
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公开(公告)号：CN1229837C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN01815909.5
申请日：2001-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30426 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供能改善所发射的电子的聚焦性能的电子发射元件，其中在基片上依次叠层阴极电极和绝缘层和电子牵引电极、在从牵引电极侧到阴极电极的孔的底面上设有与阴极电极接触的电子发射层的电子发射元件。在此规定，电子发射层设置成其表面位于阴极电极与绝缘层界面的基片侧，电子发射层与阴极电极的接触区域限定于孔底面处的除中心部的周围区域。因此，由于电子发射层接收来自位于其侧面的阴极电极的电子，所以电子主要从电子发射层表面的边缘部发射，借此提高电子聚焦性能。本发明还提供带有上述电子发射元件的图象显示装置，其中，通过间隙件把具有射出电子束的多个电子发射部矩阵状地排列的电子发射元件的第1面板和第2面板对峙布置在基片上。
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公开(公告)号：CN1694208A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510067473.4
申请日：2005-04-25
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管发射器以及利用该碳纳米管发射器制造碳纳米管场致发射装置的方法。将粉末碳纳米管吸附到第一基板上。将金属淀积在碳纳米管上。将所得结构压合到阴极的表面。将第一基板从第二基板隔开，以拉紧碳纳米管，使得碳纳米管垂直于第一基板。
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公开(公告)号：CN1226765C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02131838.7
申请日：2002-09-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 塚本健夫
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供电子发射装置、电子源及其制造方法和成象设备。电子发射装置，具有以碳为主要成分的电子发射部件和设于此电子发射部件附近的取出电极，基本上能只从此电子发射部件中靠近取出电极附近的区域发射电子，在将此电子发射装置作为电子源构成扰像设备中，能减少亮度不匀和异常照明，其特征在于使电子发射部件(4)的电子发射阈值电场在取出电极(2)附近处低而在远离此电极(2)处高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1670884A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510051652.9
申请日：2005-02-22
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , H01J31/127 , H01J63/06 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种弹道电子表面发射器件(BSD)发射器。其包括：后基板；形成在所述后基板上的阴极电极；垂直排列在阴极电极上并用作用于传导弹道电子的材料的碳纳米管；以及形成在所述垂直排列的碳纳米管上的薄金属电极层。能够很容易地生产根据本发明实施例的BSD发射器。所述BSD发射器中使用的碳纳米管未起冷发射器的作用，而是作为传送弹道电子的通道，并且不存在碳纳米管在开/关操作期间被损坏的危险。因此，能够保证长期驱动的可靠性。根据本发明另一实施例的FED，即使在不使用单独聚焦电极的情况下也能够提供高的色纯度，并且不必维持高真空。此外，减少了显示器操作特性的改变，允许增加显示器的实用性。
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公开(公告)号：CN1670112A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510050918.8
申请日：2005-01-10
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K3/045 , C08K2201/011 , H01J1/304 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469 , C08L33/12
Abstract: 本发明涉及用于形成电子发射装置中电子发射源的组合物，以及由其制备的电子发射源。该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂和硅烷基化合物。本发明还提供了用于形成电子发射源的光敏组合物，该组合物包括有机粘合剂树脂、碳基材料、溶剂、选自光敏单体、光敏齐聚体和光敏聚合物的光敏组分、光引发剂和通式R′－SiR3所示的硅烷基化合物，其中R选自烷氧基、烷基、氯、氟和溴，并且R′选自乙烯基、环氧基、甲基丙烯酰基、氨基、巯基和2－(3，4－环氧环己基)乙基。该组合物具有强粘合力，由此能够增加有效辐射面积，并提高电子发射装置的电子发射效率。
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公开(公告)号：CN1660696A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510004590.6
申请日：2005-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C30B29/602 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C26/00 , C30B25/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明披露一种水平生长碳纳米管的方法，其包括：在基底上沉积铝层；在基底上形成隔绝层，以覆盖铝层；图案化基底上的隔绝层和铝层，以便暴露铝层的侧面；在铝层的暴露侧面上形成多个孔至预定的深度；在孔的底部沉积催化剂金属层；以及从催化剂金属层水平生长碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1638008A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098249.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J29/481 , H01J2201/30469 , H01J2329/00 , Y10S977/939
Abstract: 本发明公开一种场发射器件、采用该器件的显示器及其制造方法。该场发射器件，包括：玻璃衬底；形成在玻璃衬底上的发射器电极；形成在发射器电极上的碳纳米管(CNT)发射器；以及，绕CNT发射器形成的栅极叠层，其从CNT发射器提取电子束，并将提取出的电子束聚焦到给定位置。所述栅极叠层包括：覆盖所述发射器电极的掩膜层，其绕CNT发射器形成；形成在所述掩膜层并具有预定高度的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层的倾斜面上的镜面电极；形成在所述栅极绝缘层上并且与所述镜面电极间隔开的栅极；以及，顺序形成在所述栅极上的聚焦栅极绝缘层和聚焦栅极。
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公开(公告)号：CN1626438A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090487.3
申请日：2004-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 古川俊治 , 马克·C·黑凯 , 史蒂文·J·霍尔姆斯 , 戴维·V·霍拉克 , 查尔斯·W·科伯格第三 , 彼得·H·米切尔 , 拉里·A·内斯比特
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/06 , C01B2202/22 , C01B2202/34 , H01J1/3044 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/84 , Y10S977/842 , Y10S977/843 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及一种合成碳纳米管的方法和由此形成的结构。该方法包括在由第一衬底支撑的多个合成位置上形成碳纳米管、中断纳米管合成、安装每个碳纳米管的自由端至第二衬底上、以及去除第一衬底。每个碳纳米管由一个合成位置盖住顶部，生长反应物易于进入该合成位置。随着恢复的纳米管合成过程中碳纳米管增长，至合成位置的通道保持畅通。
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