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公开(公告)号：CN103299390B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180051544.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: H01J3/02 , H01J37/077 , H01J37/075
CPC classification number: H01J37/075 , H01J3/025 , H01J37/077 , H01J2237/3104 , H01J2237/3128 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束的设备，其包括：壳体（12），该壳体（12）形成可排空的空间（13）的边界并且具有电子束出射开口；用于将工作气体输送到可排空的空间（13）中的入口（16）；平面的阴极（14）和阳极（15），所述平面的阴极（14）和所述阳极（15）被布置在可排空的空间（13）中并且在所述平面的阴极（14）和所述阳极（15）之间借助所施加的电压可产生辉光放电等离子体，其中来自辉光放电等离子体的离子可被加速到所述阴极（14）的表面上。所述阴极具有：由第一材料制成的第一部分（14a），该第一部分（14a）构造所述阴极（14）的中央布置的第一表面区域；以及由第二材料制成的第二部分（14b），该第二部分（14b）构造所述阴极（14）的包围第一表面区域的第二表面区域。第一材料通过加载有被加速的离子而被加热到如下温度：在该温度下，电子主要由于热电子发射而从第一材料逸出。
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公开(公告)号：CN102709132B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210080490.1
申请日：2006-04-25
Applicant: 斯莫特克有限公司
Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔
CPC classification number: C23C16/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C23C16/26 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2237/31786 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
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公开(公告)号：CN103972005A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410219200.6
申请日：2014-05-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电子枪用电子束流收束装置，涉及电磁场领域。它是为了解决现有电子枪的电子束流可控性低，准确度低，导致电子无法收束而发散的问题。通过本发明能够自由调节电子枪中射出的电子束的射出点，通过调节励磁电流的大小，即可改变磁场的强度，同时线圈本身的形状及长度也容易调整，因此本发明使用励磁线圈的方法产生径向磁场，通过磁场的洛伦兹力控制电荷的运动，进而达到控制电子束流射出点的目的，准确度同比提高了20％。本发明适用于电磁场领域。
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公开(公告)号：CN103299390A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180051544.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会
IPC: H01J3/02 , H01J37/077 , H01J37/075
CPC classification number: H01J37/075 , H01J3/025 , H01J37/077 , H01J2237/3104 , H01J2237/3128 , H01J2237/3132
Abstract: 本发明涉及一种用于产生电子束的设备，其包括：壳体（12），该壳体（12）形成可排空的空间（13）的边界并且具有电子束出射开口；用于将工作气体输送到可排空的空间（13）中的入口（16）；平面的阴极（14）和阳极（15），所述平面的阴极（14）和所述阳极（15）被布置在可排空的空间（13）中并且在所述平面的阴极（14）和所述阳极（15）之间借助所施加的电压可产生辉光放电等离子体，其中来自辉光放电等离子体的离子可被加速到所述阴极（14）的表面上。所述阴极具有：由第一材料制成的第一部分（14a），该第一部分（14a）构造所述阴极（14）的中央布置的第一表面区域；以及由第二材料制成的第二部分（14b），该第二部分（14b）构造所述阴极（14）的包围第一表面区域的第二表面区域。第一材料通过加载有被加速的离子而被加热到如下温度：在该温度下，电子主要由于热电子发射而从第一材料逸出。
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公开(公告)号：CN101952926B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980101926.7
申请日：2009-01-08
Applicant: 埃克西可集团公司
Inventor： 马克西姆·马卡罗夫
CPC classification number: H01J3/021 , H01J33/00 , H01S3/0959 , H01S3/09707
Abstract: 本发明涉及一种脉冲电子源(1)，包括：电离室(4)；加速室(2)，所述加速室(2)具有用于吸引并加速一次离子和形成二次电子束的电极(3)，所述脉冲电子源(1)的特征在于：所述脉冲电子源(1)包括电源(11)，该电源(11)适于施加正电压到所述电极(3)以将一次等离子体(17)驱动出所述加速室(2)，以及施加负电压脉冲到所述电极(3)以吸引并加速所述一次离子和形成二次电子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101874281B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880117766.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2203/0272 , H01J2329/4673 , H01J2329/4691
Abstract: 本发明涉及具有抗紫外绝缘介电层(3.4)的场发射阴极组件。
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公开(公告)号：CN102365703A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013764.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： M·K·迪尔
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/4028 , A61B6/4441 , G01N23/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068
Abstract: 本发明提出电子发射器(1)和包括这样的电子发射器(1)的X射线管(100)。电子发射器(1)包括阴极(3)和阳极(5)，其中，阴极(3)包括彼此间隔开的多个局部区域(11)的电子发射图案(9)，每个区域适于在将电场施加于阴极(3)和阳极(5)之间时经由场发射局部地发射电子。从局部区域(11)发射的电子束(15)可以生成特定的几何图案中的若干个X射线源强度最大值。能够通过使用X射线源(100)的特定的强度图案并通过将诸如编码源成像(CSI)的专用解码算法应用于所采集的图像而校正由于探测器上的重叠的图像而导致的空间分辨率的明显的损失。
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公开(公告)号：CN102103952A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010506361.5
申请日：2010-10-12
Applicant: 奈米太平洋股份有限公司
CPC classification number: H01J31/123 , H01J1/304 , H01J29/04 , H01J29/467 , H01J2329/4613 , H01J2329/4634
Abstract: 本发明提供一种场发射装置。该场发射装置包括：第一基板，包括栅极电极和阴极电极，该栅极电极包括分别在第一、第二和第三方向上延伸的栅极线，阴极电极包括分别在第一、第二和第三方向上延伸的阴极线；第二基板，面对第一基板，并且包括阳极电极；以及间隔物，设在第一基板和第二基板之间。
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公开(公告)号：CN1652283B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510042304.5
申请日：2005-01-01
Applicant: 中国海洋大学
Abstract: 一种场发射电子源器件及其制备方法，它有封入真空容器内的场发射电子源和阳极，场发射电子源包括基片上的阴极、栅极及其间层结构，其特征是引出栅极电极的厚金属膜与阴极之间为绝缘层，而与厚金属膜相连的、具有大量微孔的薄金属膜与阴极之间为复合体层。上述的间层结构指位于阴极与栅极之间的绝缘层、半导体层、复合体层。上述的薄金属膜指厚度在50纳米以内、具有大量微孔的金属膜。其制备方法是利用微电子工艺在硅、玻璃等基板上的阴极上制备有复合材料层薄膜，再在上述的复合材料薄膜表面上有薄金属膜栅极，将上述器件与阳极密封在真空容器内而成。本发明工艺简单，结构合理，具有驱动电压低、发射电流密度高、电子束发散小，发射效率高等优点。
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