SILIZIUM-BASIERTE WAFER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM-BASIERTEN WAFERN

    公开(公告)号:WO2022122547A1

    公开(公告)日:2022-06-16

    申请号:PCT/EP2021/083974

    申请日:2021-12-02

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Silizium-basierten Wafern, welches die Abfolge der nachfolgenden Schritte umfasst: a) Bereitstellen eines Substrats mit einer amorphen Siliziumschicht auf der Oberfläche des Substrats und einer die amorphe Siliziumschicht bedeckende native Siliziumoxidschicht (30); b) (i) partielles oder vollständiges Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht und Erzeugen einer artifiziellen Siliziumoxidschicht mit einer definierten Schichtdicke auf der amorphen Siliziumschicht; oder (ii) partielles Abtragen der nativen Siliziumoxidschicht bis auf eine vorgegebene Schichtdicke; und c) Aufwachsen einer kristallinen Siliziumschicht auf der Oberfläche der (i) artifiziellen Siliziumoxidschicht oder (ii) partiell abgetragenen Siliziumoxidschicht mittels Temperatur- Differenz-Methode (TDM) aus metallischer Schmelze. Ferner betrifft die Erfindung einen Silizium-basierten Wafer, der nach dem Verfahren hergestellt werden kann.

    BEREITSTELLEN EINES TRANSIENTEN GITTERS
    282.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021105021A1

    公开(公告)日:2021-06-03

    申请号:PCT/EP2020/082942

    申请日:2020-11-20

    Inventor: GAAL, Peter

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bereitstellen eines transienten Gitters an einer Oberfläche eines Schichtsystems. Das Schichtsystem umfasst wenigstens eine optoakustische Wandlerschicht. Das Verfahren weist den Schritt auf: - Beleuchten des Schichtsystems mit einem räumlich periodisch modulierten Strahlungspuls, der eine Pulsdauer im Nanosekundenbereich hat, derart, dass sich die optoakustische Wandlerschicht thermisch ausdehnt, so dass aufgrund der thermischen Ausdehnung der optoakustischen Wandlerschicht an der Oberfläche des Schichtsystems das transiente Gitter erzeugt wird.

    A LIPOSOME SYSTEM COMPRISING A LIPID, AN ACTIVE COMPOUND AND A VECTOR PEPTIDE

    公开(公告)号:WO2021058463A1

    公开(公告)日:2021-04-01

    申请号:PCT/EP2020/076395

    申请日:2020-09-22

    Abstract: The present invention is related to a liposome- based carrier system wherein the liposomes comprise at least one lipid (L), at least one active compound (AC) and at least one vector peptide (VP). The at least one vector peptide (VP) comprises at least one vector sequence (VS): (GKKKK)n (SEQ ID NO: 1), wherein n is an integer from 1 to 8 and at least one acyl group, wherein the acyl group is a group with the formula: R-C(O)-, wherein R is (C4-C20) alkyl or a (C4- C20) alkylene group. The liposomes have an average diameter of 65 to 1000 nm. Furthermore, the present invention is directed to the use of the liposome-based carrier system for use in medicine, in particular for use in treating or preventing of peeling skin syndromes (PSS), the Netherton Syndrome, SAM Syndrome psoriasis vulgaris, atopic dermatitis, impetigo, microbial eczema, microbial eczema associated with dermatomycosis, NISCH Syndrome, androgenetic alopecia, alopecia areata, bullous immunodermatoses, and epidermolysis bullosa, skin tightening, and dry skin conditions. Moreover, the invention is directed to pharmaceutical compositions comprising the liposome- based carrier system

    HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOR UND HOCHFREQUENZ-LEISTUNGSVERSTÄRKER

    公开(公告)号:WO2020114731A1

    公开(公告)日:2020-06-11

    申请号:PCT/EP2019/081064

    申请日:2019-11-12

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Leistungstransistor (1) umfassend einen Transistor (2), mindestens einen Kondensator (3) und ein Gehäuse, das den Transistor (2) und den Kondensator (3) zumindest teilweise umgibt. Ein erster Anschluss (4) für einen Hochfrequenz-Eingang und eine Gate-Gleichspannungsversorgung ist an einem Gatekontakt (5) des Transistors (2) angeschlossen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es einen Hochfrequenz-Leistungstransistor bereitzustellen, der ein besser definierbares Verhalten aufweist. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass ein zweiter Anschluss (6) an einem Drainkontakt (7) des Transistors (2) für einen Hochfrequenz-Ausgang und Drain-Gleichspannungsversorgung angeschlossen ist. An einem Sourcekontakt (8) des Transistors (2) sind ein dritter Anschluss (9) und ein vierter Anschluss (10) angeschlossen. Der erste, zweite, dritte und vierte Anschluss (4, 6, 9, 10) führen alle aus dem Gehäuse heraus. Der dritte Anschluss (9) ist über den Kondensator (3) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen und der vierte Anschluss (10) ist über mindestens ein induktives Element (36, 11) an den Sourcekontakt (8) angeschlossen, sodass der dritte Anschluss (9) eine Hochfrequenz-Masse bereitstellt und der vierte Anschluss (10) eine potentialfreie Niederfrequenz-Masse und Source-Gleichspannungsversorgung bereitstellt.

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR DIREKTEN STRUKTURIERUNG MITTELS LASERSTRAHLUNG

    公开(公告)号:WO2019149899A1

    公开(公告)日:2019-08-08

    申请号:PCT/EP2019/052522

    申请日:2019-02-01

    Abstract: Verfahren und Vorrichtung zur direkten Strukturierung mittels Laserstrahlung Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur direkten Strukturierung mittels Laserstrahlung. Es wird ein Verfahren zum Erzeugen laserinduzierter optischer oberflächennaher Strukturierungen im Material eines Körpers vorgeschlagen, welches die Schritte umfasst: Erzeugen von gepulster Laserstrahlung; Fokussieren der gepulsten Laserstrahlung (1300) mittels einer Fokussieroptik (1400) zum Erzeugen fokussierten Laserstrahlung (1310); wobei Einstrahlen der gepulsten fokussierten Laserstrahlung (1310) auf den Körper; wobei Strahlen der gepulsten fokussierten Laserstrahlung (1310), die beim Einstrahlen auf das Material (1100) des Körpers (1101) auf eine Oberfläche (1150) des Materials (1100) des Körpers (1101) gerichtet sind, mit der Oberfläche (1150) am Auftreffpunkt einen Winkel (β) einschließen, welcher kleiner oder gleich dem maximalen Öffnungswinkel (α max )der Fokussieroptik ist. Ferner wird eine Vorrichtung (1000) zur Erzeugung solcher oberflächennaher Strukturierungen geschaffen.

    VORRICHTUNG ZUR DESINFEKTION VON FLÜSSIGKEIT IN EINEM GEFÄß

    公开(公告)号:WO2019129668A1

    公开(公告)日:2019-07-04

    申请号:PCT/EP2018/086420

    申请日:2018-12-20

    Inventor: KNEISSL, Michael

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung (CAP) zur Desinfektion von Flüssigkeit in einem Gefäß (BOT), die Folgendes umfasst: mindestens eine Lichtquelle (LUX) für ultraviolettes Licht und eine Kontrolleinheit (CON) zum Ein- und Ausschalten der Lichtquelle (LUX), gekennzeichnet durch einen Bewegungsdetektor (BWS), wobei die Kontrolleinheit (CON) ausgebildet ist, die Lichtquelle (LUX) nicht einzuschalten, wenn der Bewegungsdetektor (BWS) keine Bewegung detektiert. Vorteilhaft ist, dass der Nutzer wirklich gezwungen wird, das Gefäß zur Desinfektion zu schütteln. Damit sorgt er für eine ständige Durchmischung der Flüssigkeit, so dass sichergestellt ist, dass alle Bereiche des Flüssigkeitsvolumens ausreichend bestrahlt werden.

    FOURIER-SPEKTROMETER MIT EINEM MEHRMODEN-QUANTENKASKADENLASER, UND VERFAHREN ZUR SPEKTROSKOPISCHEN UNTERSUCHUNG EINER PROBE

    公开(公告)号:WO2018172391A2

    公开(公告)日:2018-09-27

    申请号:PCT/EP2018/057105

    申请日:2018-03-21

    Abstract: Ein Fourier-Spektrometer zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe umfasst einen Mehrmoden-Quantenkaskadenlaser (QCL), der eine aktive QCL-Region in einem Laserresonator, die zur Erzeugung von Laserlicht mit Emissionsfrequenzen gemäß einer Vielzahl von Resonatormoden des Laserresonators konfiguriert ist, eine Anregungseinrichtung, die zur elektrischen Anregung der aktiven QCL-Region mittels eines elektrischen Pumpstroms konfiguriert ist, und eine Abstimmeinrichtung enthält, mit der die Resonatormoden einstellbar sind, ein Interferometer zur Erzeugung eines auf dem Laserlicht basierenden Interferogramms, eine Detektoreinrichtung zur Detektion des Interferogramms nach einer Wechselwirkung mit der Probe und zur Erfassung eines Detektorsignals, welches das detektierte Interferogramm beinhaltet, innerhalb einer Detektormesszeit, und eine Auswertungseinrichtung, die zur Erfassung eines Spektrums der Probe durch eine Fourier-Transformation des detektierten Interferogramms konfiguriert ist, wobei die Abstimmeinrichtung des QCL zur periodischen spektralen Variation der Resonatormoden mit einer zeitlichen Abstimmperiode geringer als 1 min jeweils in einem spektralen Abstimmintervall konfiguriert ist, das mindestens gleich dem Abstand benachbarter Resonatormoden des Laserresonators ist, die aktive QCL-Region zur Erzeugung des Laserlichts mit den Emissionsfrequenzen im Bereich von 1 THz bis 6 THz konfiguriert ist, wobei die Emissionsfrequenzen des Laserlichts einen spektralen Emissionsbereich von mindestens 50 GHz abdecken, und die Detektoreinrichtung zur zeitlichen Mittelung des Detektorsignals über die zeitliche Abstimmperiode der Abstimmeinrichtung des QCL ausgelegt ist. Es wird auch ein Verfahren zur spektroskopischen Untersuchung einer Probe mit dem Spektrometer beschrieben.

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