公开(公告)号：CN103245377A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210505202.2

申请日：2012-11-30

Applicant: 亚太优势微系统股份有限公司

Inventor： 吴章文 ,  谢哲伟 ,  叶武振 ,  殷宏林 ,  郗怀威

IPC: G01D21/02 ,  B81B3/00

CPC classification number: G01P1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123

Abstract: 一种单体化复合传感器及其封装品，所述封装品包含：一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含：一主体、一复合体、至少一连结梁及多个传感元件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜，两者共同界定出至少一空腔。连结梁连结主体与复合体，使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感元件形成于薄膜位于空腔上的区域。封盖连接于单体化复合传感器的上表面，遮盖复合体及所述连结梁并与复合体及连结梁相间隔，且设有多个穿孔。底板连接于单体化复合传感器的下表面，与封盖位于单体化复合传感器的相反两侧，且与复合体相间隔。

公开(公告)号：CN103221795A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180055029.4

申请日：2011-09-20

Applicant: 快捷半导体公司

Inventor： J·布雷泽克

IPC: G01L9/12 ,  G01L7/08 ,  B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00015 ,  B81C1/00158 ,  G01L9/0016 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/04

Abstract: 除了其他方面以外，本申请还讨论了一种装置，该装置包括：硅晶片，其包括振动隔膜，所述晶片具有：与硅晶片底部相对的硅晶片顶部；顶部硅晶片端口，其从所述硅晶片顶部穿过所述硅晶片延伸至所述振动隔膜的顶部；以及底部硅晶片端口，其从所述硅晶片底部延伸至所述振动隔膜的底部，其中，所述底部硅晶片端口的横截面面积比所述顶部硅晶片端口的横截面面积大；电容器电极，其被设置为沿着所述硅晶片的底部横跨所述底部硅晶片端口被沉积，所述电容器电极包括与所述顶部硅晶片端口共同延伸的第一信号产生部分和围绕所述第一部分的第二信号产生部分。

公开(公告)号：CN103091007A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210207074.3

申请日：2012-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉川英治 ,  出尾晋一

IPC: G01L1/22 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0048 ,  G01L9/0051

Abstract: 本发明涉及半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法。半导体压力传感器具备：第一基板（1），在主表面（1a）具有凹部（3）以及对准标记（4）；第二基板（2），形成在第一基板（1）的主表面（1a）上，具有以覆盖第一基板（1）的凹部（3）内的空间（IS）上的方式设置的隔板（5）以及在隔板（5）上设置的应变计电阻（6）。对准标记（4）以从第二基板（2）露出的方式设置。由此，能够得到能够抑制制造成本并且能够使压力测定精度提高的半导体压力传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN102947216A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180016329.1

申请日：2011-03-15

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司 ,  硅微结构有限公司

Inventor： 贝恩德·伯查德 ,  迈克尔·德勒 ,  周宁宁

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264

Abstract: 微机电装置具有：适于制造微电子组件的衬底（1），尤其是半导体衬底。微机械组件集成到衬底（1）中，所述微机械组件具有能够可逆地弯曲的弯曲元件（4），该弯曲元件具有与衬底（1）连接的第一端部（34），并且从该第一端部（34）出发通过自由空间（3）延伸。弯曲元件（4）具有至少一个接片（8），该接片带有两个侧边缘，所述侧边缘的走向（35）通过与侧边缘邻接的、引入弯曲元件（4）中的凹处（6）来限定。为了形成在接片（8）内的均匀区域，从弯曲元件（4）的第一端部（34）出发来观察，接片（8）的侧边缘的相互距离减小，其中在所述均匀区域中在将弯曲元件（4）弯曲时出现的机械应力基本上大小相同。此外，该装置具有对于机械应力敏感的至少一个微电子组件（36），所述微电子组件在接片（8）的均匀区域内集成在其中。

公开(公告)号：CN102811942A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201180015150.4

申请日：2011-03-21

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

Abstract: 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中：提供材料衬底（12，14，16），在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构（26）。在材料衬底(12，14，16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件（30）。在材料衬底(12，14，16)上选择性地从在材料衬底(12，14，16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12，14，16)上的材料层（52）的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件（30）的位置的和/或对于电子器件（30）的功能所需的器件部件（44）。在构建电子器件（30）的器件部件（44）的情况下也在材料衬底(12，14，16)上沿着表面结构（26）的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域（48）。将这样构建的材料衬底(12，14，16)选择性地刻蚀来形成表面结构（26），其中边界区域（48）的边缘限定要构建的表面结构（26）在材料衬底(12，14，16)上的位置。

公开(公告)号：CN102795590A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210161647.3

申请日：2012-05-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.K.加米奇 ,  N.V.曼特拉瓦迪

IPC: B81B7/00

CPC classification number: G01L9/0047 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为“用于测量环境力的器件及其制造方法”。公开了一种测量环境力的器件及其制造方法，该器件包括器件晶圆(50)，器件晶圆(50)包括通过第一绝缘层(150)与第二器件层(200)分隔的第一器件层(100)。第一器件晶圆(50)接合到蚀刻的衬底晶圆(600)，以创建悬浮隔膜(500)和凸耳(550)，其挠曲由嵌入的感测元件(850)确定。

公开(公告)号：CN101248340B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200680031097.6

申请日：2006-08-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 斯坦利·丘 ,  西西拉·K·加梅奇 ,  权贤镇

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01L19/00

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/036 ,  G01L9/0042 ,  Y10S257/909 ,  Y10S438/909

Abstract: 压力传感器包括与上衬底(14)硅熔接的下衬底(12)，在下衬底和上衬底之间设置有室(16)。下衬底和上衬底均包括硅。下衬底包括限定腔体(18)的壁和位于该腔体之上的隔膜部分(22)，其中腔体向所要感应的环境开放。该室对环境气密封。

公开(公告)号：CN102183677B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110061470.5

申请日：2011-03-15

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: G01P15/125 ,  G01P3/44 ,  G01L1/14 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/02 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 一种集成惯性传感器与压力传感器及其形成方法，其中集成惯性传感器与压力传感器包括：第一衬底，第二衬底和第三衬底；位于第一衬底的第一表面的至少一层或者多层导电层；惯性传感器的可移动敏感元素，采用第一区域的第一衬底形成；所述第二衬底与第一衬底上的导电层的表面结合；所述第三衬底与第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧结合，且所述第三衬底和第二衬底位于所述可移动敏感元素的相对两侧；敏感薄膜至少包括第二区域的第一衬底、或者导电层中的一层。通过采用第一衬底形成惯性传感器的可动电极、采用第一衬底或者导电层形成压力传感器的敏感薄膜，形成的集成压力传感器和惯性传感器的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。

公开(公告)号：CN101473205B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200780021831.5

申请日：2007-06-14

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： C·E·斯图尔特 ,  R·A·达维斯

IPC: H01L21/02 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00333

Abstract: 压力传感器包括在生长于P型衬底(120)的N型外延层(110)上制造的传感元件、位于传感元件小片(100)的边缘周围并与P型衬底(120)接触的P型隔离区(130)、和导电弹性密封件，所述导电弹性密封件接合P型隔离区(130)以防止导电弹性密封件与传感元件小片的N型外延层(110)短路。制造压力传感器的方法包括：在p型衬底晶片(120)上生长n型外延层(110)，从而得到压力传感器小片(100)和具有边缘的衬底，使用P型材料获得适于在边缘周围制造隔离扩散层(130)的掩模，以及使用掩模在边缘周围产生使用P型掺杂材料的隔离层扩散。然后，导电弹生密封件就能够被置于传感器小片(100)上方，以与封装电接触。

公开(公告)号：CN102372249A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110235530.0

申请日：2011-08-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·赖因穆特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/76898 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/096 ,  G01L9/0042 ,  G01L19/0076 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底中制造电敷镀通孔的方法以及一种具有电敷镀通孔的衬底。该方法具有以下步骤：这样形成电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)，使得所述电敷镀通孔从衬底的正面(V)至衬底的背面(R)穿过所述衬底(2；2’)；在衬底(2；2’)的正面(V)上形成一个第一封闭层(I1)；通过一个从衬底(2；2’)的背面(R)开始的蚀刻过程在衬底(2；2’)中形成一个围绕电敷镀通孔(6；6’；6”；6”’)的环形绝缘沟道(IG；IG’)，其中，该蚀刻过程在第一封闭层(I1)上停止；及通过在衬底(2；2’)的背面(R)上形成一个第二封闭层(18)来封闭衬底(2；2’)中的环形绝缘沟道(IG；IG’)。