Abstract:
반도체제조프로세스의임계치수들을감시하는방법은그로부터반사된광의편광상태에대한영향을갖는제1 구조체의적어도하나의이미지를캡처하는것을포함한다. 제1 구조체이미지들중 w적어도일부에대하여, 제1 구조체로부터반사된광의강도를나타내는값이계산된다. 제1 구조체의임계치수가얻어지고계산된값과상관된다. 후속구조체의적어도하나의이미지가캡처된다. 계산된값에적어도부분적으로기초하여후속구조체의임계치수에대한결정이이루어진다.
Abstract:
PURPOSE: A nondestructive defect inspection device and a defect inspecting method using the same are provided to enhance the sensitivity for detecting defects on the surfaces of a semiconductor and a wafer or inner defects thereof. CONSTITUTION: A nondestructive defect inspection device includes a sample irradiating unit, a light receiving unit, and a control unit (C). A sample is seated on the sample irradiating unit. The sample irradiating unit irradiates polarized lights to the sample. The light receiving unit detects the polarized lights emitted from the sample. The control unit processes each data processed by the light receiving unit and stores the processed data. [Reference numerals] (C) Control unit
Abstract:
리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템; 전체 또는 부분적으로 레티클 스테이지에 커플링하도록 구성된 편광 센서를 포함하며, 이때 레티클 편광 센서의 구성요소들은 종래의 레티클들에 대해 사용된 방식으로 리소그래피 장치 내에 로딩되고 언로딩될 수 있다. 일 구성에서, 능동 레티클 툴은 조명 시스템 내의 필드 지점으로부터 수용된 편광된 광에 적용된 지연을 변화시키도록 구성된 회전가능한 지연기를 포함한다. 또 다른 구성에서, 수동 레티클 툴은 편광 센서 모듈들의 어레이로서 구성되며, 이 경우 고정된 지연기들에 의해 수용된 광에 적용된 지연량은 편광 센서 모듈의 위치에 따라 변한다. 따라서, 주어진 필드 지점에 수용된 광에 대한 복수의 지연 조건들이 측정될 수 있으며, 이때 주어진 필드 지점에서의 광의 편광 상태의 완전한 결정이 결정될 수 있다. 또 다른 구성에서, 편광 센서는 투영 렌즈를 통과한 광의 편광 상태에 대한 투영 렌즈의 효과를 측정하도록 구성된다.
Abstract:
A lithographic apparatus includes an illumination system configured to condition a radiation beam; a polarization sensor configured at least in part to couple to a reticle stage, wherein components of the reticle polarization sensor can be loaded and unloaded in the lithographic apparatus in the manner used for conventional reticles. In one configuration an active reticle tool includes a rotatable retarder configured to vary the retardation applied to polarized light received from a field point in the illumination system. In another configuration, a passive reticle tool is configured as an array of polarization sensor modules, where the amount of retardation applied to received light by fixed retarders varies according to position of the polarization sensor module. Accordingly, a plurality of retardation conditions for light received at a given field point can be measured, wherein a complete determination of a polarization state of the light at the given field point can be determined. In another configuration, the polarization sensor is configured to measure the effect of a projection lens on a polarization state of light passing through the projection lens.
Abstract:
A system and method are described herein for determining the quality of an optical material by measuring and analyzing birefringence (e.g., stress-induced birefringence, inherent birefringence) in the optical material (e.g., glass sheet). The method is a scanning technique in which a birefringence sensor is set to a first optical state and then moved in a direction at a constant velocity over a glass sheet while first power transmission measurements are made at a high data rate. At the end of this move, the birefringence sensor is set to a second optical state and then moved at the same velocity back over the glass sheet, while second power transmission measurements are made. This procedure is repeated the same number of times as there are optical states in the birefringence sensor. A computer then calculates birefringence values using profiles of the power transmission measurements so as to determine the quality of the glass sheet.
Abstract:
박막, 분산식을 사용한 광학정수, 입사각도 등의 조합 모델을 설정하고, 측정 스펙트럼과의 피팅을 극소치 계산법(BLMC)을 사용하여 유한 반복함으로써, 단층 초박막 및 박막을 계측한다. 마찬가지로 하여 2층, 3층~n층에 대하여 조합 모델을 설정하고, 피팅을 극소치 계산법(BLMC) 및 광범위 극소치 계산법(EBLMC)을 사용하여 행함으로써, 박막 n(n≥2)층 구조를 결정한다. 모든 계측에서, 계측대상 기판상의 박막에 입사광의 파장을 바꾸어 각 파장 λ i 마다의 입사광과 반사광의 편광의 변화를 나타내는 측정 스펙트럼 ψ E (λ i )와 Δ E (λ i )를 얻는다. 그리고, 이 측정 스펙트럼 모델과의 피팅에 의해 최적 모델을 선정한다. 필요에 따라 선택 결과를 확인하여 보존한다.
Abstract:
본 발명은 적어도 적외선 레디에이션을 제공하는 소스(S), 시료 홀더(PE), 센서(D), 편광된 광 빔에 의한 경사 조명 하의 시료 홀더 상에 위치하는 시료를 조명하도록, 소스(S)와 시료 홀더(PE) 사이에 탑재되는 제1광학 시스템 및, 시료에 의해 반사되는 광을 집속하기 위해 시료 홀더(PE)와 센서(D) 사이에 탑재되는 제2광학 시스템을 구비하는 타원편광계에 관한 것이다. 타원편광계는 제2광학 시스템의 포커싱 소자(M2)의 초점 평면 내 반사 경로 상에 탑재되며, 시료의 후면(FAR)으로부터 유도되는 기생 광(RP)을 차단하기에 적합하고, 시료의 전면(FAV)으로부터 유도되는 유용한 광선(RU)을 통과시켜 센서(D)로 향하는 것을 허용함으로써, 시료 전면 및 후면에 대해 분해능을 획득할 수 있는 차단 소자(F2)를 구비한다.