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公开(公告)号:KR101909430B1
公开(公告)日:2018-10-18
申请号:KR1020120012023
申请日:2012-02-06
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01L21/67 , H01L21/205
Abstract: 반도체공정시스템용가스파우더처리장치및 방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따른반도체공정시스템용가스파우더처리장치는공정가스가유입되어반응하는공정챔버(110) 및상기공정챔버(110)에진공을인가하기위한펌프(120)를구비한반도체공정시스템용가스파우더처리장치로, 상기장치는상기공정챔버로부터배출되는배기가스가포어라인(112)을통하여유입되는반응챔버(111); 상기상기반응챔버(111) 전단에구비되며, 상기공정챔버(110)로부터배출되는배기가스중 WF6와반응, 파우더를형성할수 있는반응가스를상기포어라인(112)으로유입하는반응가스유입라인(113); 상기반응챔버(111) 내에구비되어, 상기반응챔버(111) 내온도를상승시키는히팅블록(117); 상기반응챔버(111) 내에서 WF6와상기반응가스반응에따라형성된파우더가포집되는쿨링블록(119); 및상기포집된파우더를가스화시키기위한플로린계라디칼을상기반응챔버(111) 내로공급하기위한플라즈마공급원(115)을포함한다.
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公开(公告)号:KR101901560B1
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:KR1020160167567
申请日:2016-12-09
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은파우더흡착방지장치가구비된배기모듈에관한것으로서, 공정챔버(10)와플라즈마스크러버(200) 사이에연결되어상기공정챔버로부터발생된폐 가스를상기플라즈마스크러버로전달하는배기모듈에있어서, 상기배기모듈(100)은, 진공펌프(20)와상기플라즈마스크러버(200) 사이를연결하는배기관(102); 상기배기관(102)의내부에순차적으로설치되며, 퍼지가스를배출하는다수의퍼지가스공급관(110); 및상기퍼지가스공급관을통한퍼지가스의배출순서를컨트롤하는제어부(120);를포함하며, 상기퍼지가스공급관을통해배출되는퍼지가스에의해상기배기모듈내부의압력이증가하여파우더의퇴적및 흡착이방지되는효과가있다.
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公开(公告)号:KR20180066576A
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:KR20160167572
申请日:2016-12-09
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Inventor: KIM IK NYUN , AN JAE YUN , EUM MIN HEUM
Abstract: 본발명에따른아크플라즈마폐가스처리장치는아크방전을통하여화염을발생시키고유입된작동가스를통해플라즈마를생성하는플라즈마발생부(1); 상기플라즈마발생부(1)로부터이송된플라즈마를유입되는폐가스와혼합하여처리하는반응부(5); 및상기반응부(5)에서처리된가스를스크러빙하여온도를감소하게하는스크러빙부(3);를포함하고, 상기플라즈마발생부(1)는다단스월구조체(200)를통해양극부(100) 상으로다단으로작동가스를공급하고, 상기스크러빙부(3)는복수의냉각모듈을통해순차적으로냉각유체를공급하여냉각을수행한다.
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公开(公告)号:KR1020140122536A
公开(公告)日:2014-10-20
申请号:KR1020130039338
申请日:2013-04-10
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及将半导体工艺的副产物加工成等离子体型自由基的等离子体反应器。 等离子体反应器(100)包括:圆柱体部分(110); 圆柱形电介质物质(120),其包括在所述圆筒体部分(110)的内部,并且具有比所述圆柱体部分(110)高的长度; O形环(130),其安装成接触所述圆柱形电介质物质(120)的外部并安装在所述圆柱形主体部分(110)的上部; 以及包括在圆柱形主体部分(110)和圆柱形介电物质(120)中并且防止在圆柱形介电物质(120)中产生的自由基的帽部分(140)被泄漏到圆柱形介质 介电物质(120)。 在所提供的等离子体反应器中,O形环(130)沉积在由圆柱形电介质物质(120),圆柱形主体部分(110)和帽部分(140)形成的三角形空间中。
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公开(公告)号:KR1020140010686A
公开(公告)日:2014-01-27
申请号:KR1020120077268
申请日:2012-07-16
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/205 , H01L21/67253
Abstract: Provided is a pump cleaning apparatus of a semiconductor process system that includes a reaction gas generation part for generating reaction gas active species supplied to a fore line; and a control part for controlling the operation of the reaction gas generation part. The pump cleaning apparatus is equipment for controlling a byproduct and a pump of a semiconductor process system including a fore line between a pump and a process chamber, a pump connected to a process chamber, and the process chamber for a semiconductor process.
Abstract translation: 提供一种半导体工艺系统的泵清洗装置,其包括用于产生供给前级管线的反应气体活性物质的反应气体产生部件; 以及用于控制反应气体产生部分的操作的控制部分。 泵清洁装置是用于控制副产物的设备和包括在泵和处理室之间的前一行的半导体处理系统的泵,连接到处理室的泵和用于半导体工艺的处理室。
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公开(公告)号:KR101265818B1
公开(公告)日:2013-05-20
申请号:KR1020110113497
申请日:2011-11-02
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명에따른플라즈마반응기및 이를이용한가스스크러버는플라즈마가형성되는방전아우터바디(32) 내부에자기력을발생시키는자기력발생유닛(40)이배치되고상기자기력발생유닛(40)이쿨러(44)에의해냉각됨으로서고온으로형성되는방전아우터바디(32) 내부에서도자기력을효과적으로발생시키는효과가있다.
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公开(公告)号:KR101100916B1
公开(公告)日:2012-01-02
申请号:KR1020090116798
申请日:2009-11-30
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Abstract: 상압 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 발생 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 상압 플라즈마 발생 장치는 마이크로 웨이브가 인가되는 도파관 및 상기 도파관을 관통하며 토치 가스가 유입되어 플라즈마가 발생하는 유전관을 포함하는 상압 플라즈마 발생 장치에 있어서, 도파관의 직경은 동일하고, 상기 도파관의 단부는 곡면을 이루는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 도파관은 평행한 형태를 이루므로, 도파관 제조 공정이 간단하고, 도파관 간의 접합 수를 줄임으로써 마이크로 웨이브의 방출 및 접합 공정 중에 유입된 이물질에 의한 문제를 해결할 수 있다. 더 나아가 본 발명은 도파관 단부의 형태를 곡면으로 형성함으로써, 곡면에서 반사되는 마이크로 웨이브의 강화 효과를 향상시켰으며, 상기 곡면을 이동시킴으로써 최대 전장이 발생하는 지점을 사용자가 용이하게 파악할 수 있다는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号:KR1020110092983A
公开(公告)日:2011-08-18
申请号:KR1020100012729
申请日:2010-02-11
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: B01D53/32 , B01D47/06 , B01D53/75 , B01D53/78 , B01D2258/0216 , B01D2259/806 , B01D2259/818 , H05H1/24 , H05H2001/4622
Abstract: PURPOSE: An atmospheric pressure plasma gas scrubbing apparatus is provided to process wasted gas based on multi-stepped processes by continuously arranging a plurality of unit plasma reactors along the moving direction of the gas. CONSTITUTION: An inlet line is in connection with a water tank. Atmospheric plasma reactors(130a, 130b, 130c) are continuously arranged on wasted gas inflowing lines(120a, 120b, 120c) along the inflowing path of wasted gas. A water spraying part is arranged to dissolve and collects wasted gas which is decomposed by the atmospheric plasma reactors. The water tank includes a plurality of wasted gas inflowing lines and unit chambers. The unit chambers are divided by partition walls arranged in the water tank.
Abstract translation: 目的:提供一种大气压等离子体气体洗涤装置,通过沿着气体的移动方向连续布置多个单元等离子体反应器,基于多步骤处理来处理废气。 构成:入口管线与水箱相连。 大气等离子体反应器(130a,130b,130c)沿着废气的流入路径连续排列在废气流入管线(120a,120b,120c)上。 布置喷水部分以溶解和收集被大气等离子体反应器分解的废气。 水箱包括多个废气流入管线和单元室。 单元室由布置在水箱中的分隔壁分隔开。
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公开(公告)号:KR101026459B1
公开(公告)日:2011-04-01
申请号:KR1020080118402
申请日:2008-11-26
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2240/10
Abstract: 상압 플라즈마 점화 장치 및 이를 이용한 상압 플라즈마 점화 방법이 제공된다.
본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 마이크로 웨이브가 인가되는 도파관, 상기 도파관을 관통하며 반응 가스가 유입되는 유전관 및 상기 유전관 내에서 마이크로 웨이브를 인가하여 상기 반응가스를 플라즈마화하기 위한 상압 플라즈마의 점화 장치에 있어서, 상기 점화 장치는 상기 유전관을 관통하며, 상기 유전관 내에서 상기 마이크로 웨이브를 인가받음에 따라 열전자를 방출하는 점화봉을 포함하며, 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 무전력 방식의 점화를 수행할 수 있으므로, 고전압이 요구되는 종래 기술의 문제(과도한 전력량, 안정상의 문제)를 한꺼번에 피할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 상압 플라즈마 점화 장치는 유전관 내, 외부로 점화봉을 이동시킬 수 있으므로, 플라즈마 열에 따른 점화 장치의 물리적 손상을 방지할 수 있으며, 또한 점화장치에 사용되는 금속 재료의 범위가 종래 기술에 비하여 훨씬 넓다는 효과를 갖는다.-
公开(公告)号:KR1020100046430A
公开(公告)日:2010-05-07
申请号:KR1020080105267
申请日:2008-10-27
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: B01D53/68 , B01D53/1431 , B01D2257/204 , B01D2257/2066 , B01D2258/0216 , B01D2259/818
Abstract: PURPOSE: A gas scrubbing apparatus and a gas scrubbing method are provided to improve gas scrubbing efficiency by directly depositing water on an optimum area for discharging plasma reactive gas. CONSTITUTION: A reactive gas is inputted into a reactive tube(110). A reactor(130) is connected to the reactive tube and changes the inputted reactive gas into plasma gas. A water injection unit(140) injects water into the plasma of the reactor. The water injection unit drops the water at a constant rate.
Abstract translation: 目的:提供气体洗涤装置和气体洗涤方法,以通过在最佳区域上直接沉积水来排放等离子体反应气体来提高气体洗涤效率。 构成:将反应性气体输入到反应管(110)中。 反应器(130)连接到反应管并将输入的反应气体改变成等离子体气体。 注水单元(140)将水注入反应器的等离子体中。 注水单元以恒定的速度滴水。
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