公开(公告)号：KR1019960023233A

公开(公告)日：1996-07-18

申请号：KR1019940037888

申请日：1994-12-28

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현 ,  신장규 ,  류인식

IPC: C23C18/16

Abstract: 본 발명은 미세 기계구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, n형 실리콘기판(1)을 세척하여 확산마스크용 실리콘 산화막을 성장시킨 후 인(phosphorus)을 확산시켜 n+층(2)을 형성하고, n+층(2)상에 n형 실리콘에피층(3)을 성장시켜 n/n+/n 3층 구조를 만들고 표면에 LPCVD법으로 질화막(4;Si
3 N
4 )을 증착시키는 단계와; 상기 질화막(4)을 사진식각법으로 패터닝하고 질화막(4)과 n형 실리콘 에피층(3)을 식각하여 n+층(2)을 노출시키는 단계와; 노출된 n+층(2)을 스테인 에칭을 실시하여 다공질 실리콘으로 만드는 단계와; 스테인 에칭된 n+층(2')을 제거하여 미세기계구조를 형성하는 단계로 이루어져 짧은 식각시간으로 다양한 모양의 미세구조를 만들 수 있으면서도 공정이 간단한 스테인 에칭 기법을 이용한 마이크로머시닝 방법이다.

公开(公告)号：KR100101113B1

公开(公告)日：1996-06-25

申请号：KR1019930020962

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00

公开(公告)号：KR1019950009616B1

公开(公告)日：1995-08-25

申请号：KR1019920011004

申请日：1992-06-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 대한민국경북대학교센서기술연구소

IPC: H01L21/20

Abstract: forming a silicon oxide film(2,2') on a silicon substrate; forming a photoresist on the defined portion of the silicon oxide film(2); etching the silicon oxide film(2) using the photoresist as a mask; forming an n type silicon layer(4) in the sustrate(1); forming a porous silicon layer(5) of 1-6 micro meter depth in the substrate(1) by first step anodic reaction; and oxidizing the porous silicon layer(5) by putting the substrate(1) in boiling water and etching it; forming a porous silicon layer(5) in the substrate(1) by second step anodic reaction; oxidizing the porous silicon layer(5) by conventional oxidation process. The two step anodic reacton raises the porosity of the porous silicon layer, removes a cups, and reduce a stress of side direction.

Abstract translation: 在硅衬底上形成氧化硅膜（2,2'）; 在氧化硅膜（2）的限定部分上形成光致抗蚀剂; 使用光致抗蚀剂作为掩模蚀刻氧化硅膜（2）; 在所述胎面（1）中形成n型硅层（4）; 通过第一步阳极反应在衬底（1）中形成1-6微米深度的多孔硅层（5）; 以及通过将基板（1）放入沸水中并对其进行蚀刻来氧化多孔硅层（5）; 通过第二步阳极反应在衬底（1）中形成多孔硅层（5）; 通过常规氧化工艺氧化多孔硅层（5）。 两步阳极反应物提高多孔硅层的孔隙率，去除杯子，并减少侧面方向的应力。

公开(公告)号：KR1019950021043A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029501

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  조찬섭

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 아몰피스 실리콘 마스킹방법에 관한 것으로서, 반도체 집적회로 제조공정에 있어서 금속화공정(알루미늄 금속전극 형성공정)까지 완전히 끝난 기판위에 SiO₂혹은 Si₃N₄ 절연막(7)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한후 진성(intrinsic)이나 저농도의 N형 아몰퍼스 실리콘층ㅊ(8)을 CDV(Chemical Vapor Deposition)법이나 스피터링(sputtering)법으로 형성하며, 포토레지스트로 다공질 실리콘을 형성할 부위를 패턴화하여 다공질 실리콘을 형성할 부위만의 아몰피스 실리콘층(8)을 형성함으로써 아몰피스 실리콘층을 보호막으로 이용하여 알루미늄 금속선까지도 완전한 형태로 보호할 수 있으면서도 간단하게 미세구조를 정확히 형성할 수 있는 다공질 실리콘의 선택형성을 위한 아몰피스 실리콘 마스킹 방법이다.

公开(公告)号：KR1019950021042A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029500

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L29/84

Abstract: 본 발명은 질량의 제조방법에 관한 것으로서, 금속실리사이드를 이용하여 시리콘기판과 진동질량층 사이의 접착력을 개선하고, 전기 도금시 심각한 장애가 되는 포토레지스트 찌꺼기(scum)을 제거하기 위하여 스핀온형(spin-on type)포토레지스트(photo-resist)와 드라이 필름 포토레지스트(dry filim photo-resist)를 다층으로 형성시켜 선택적으로 금속을 전기도금(Electro-Plating)함으로써 원하는 부분에 정확한 질량을 선택적으로 용이하게 제조할 수 있고 하나의 칩위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지 센서를 함께 제조하기에 편리한 것을 특징으로 하는 선택적인 금속도금법을 이용한 가속도 센서 및 진동 센서의 질량제조방법이다.

公开(公告)号：KR1019950020988A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029497

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 실리콘 미세구조의 형성방법에 관한 것으로서, 기판(1)을 세척한 후 공간 형성부의에 n
+ 확산층을 형성하고, 불산(HF)내에서 양극반응으로 다공질 실리콘(2)을 형성하며, 기판전면에 실리콘 에피탁시층(3)을 성장시킨 다음 실리콘 에피탁시층(3)상에 통상적인 방법으로 필요한 집접회로 소자를 형성하고, 금속화공정 및 표면안정화 공정으로 p
+ 형 실리콘층(4)과 산화막(5) 및 금속전극막(6)등을 차례로 형성하며, 기계구조의 패턴에 따라 상기 실리콘 에피탁시층(3)을 건식식가하여 매몰되어 있던 다공질 실리콘(2)을 노출시키고 NaOH수용액등으로 다공질 실리콘(2)을 선택적으로 식각하여 원하는 부분에 정확한 형상의 공간(cavity)을 형성함으로써 다른 집접회로 소자제조 공정과는 완전히 독립적으로 영향을 주지않고 정확한 미세구조물을 양산할 수 있는 다공질 실리콘 에피탁시법을 이용한 실리콘 미세구조의 형성방법이다.

公开(公告)号：KR1019950015615A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019930023136

申请日：1993-11-02

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 확산조절에 의한 측면 식각방지로 실리콘기계구조의 스톱퍼(stopper)를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 기판상에 산화막을 성장시키는 산화공정과, 사진식각법으로 n
+ 확산창을 열고 n형 불순물원을 사용하여 1차 선택확산을 통하여 n
+ 확산영역을 형성하는 제1확산공정, 스톱퍼를 형성하는 부분에 2차 선택확산을 통하여 0.5∼5㎛ 깊이의 n
+ 확산영역을 형성하는 제2확산공정, 산화막을 제거하고 전면에 n형 실리콘에피택셜층을 성장시킨 에피택셜층 성장공정, n형 에피택셜층을 선택 식각하여 HP용액에서 양극반응시켜, n
+ 층을 다공질실리콘층(6;PSL)으로 만드는 양극반응공정, 식각액으로 다공질실리콘층을 식각하여 미세구조를 형성하는 PSL(Porous Silicon Layer) 식각공정으로 이루어져 2단계 선택확산으로 측면식각(side-etching)을 방지하고 외부충 에 의한 미세구조의 파괴를 막아주는 확산조절에 의한 측면 식각방지로 실리콘 기계구조의 스톱퍼(stopper)를 제조하는 방법이다.

公开(公告)号：KR1019950012077A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019930020962

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00

Abstract: 본 발명은 가속도센서 및 진동센서으 질량을 제조하는 방법에 관한 것으로, 실리콘웨이퍼(1)를 세척한 후 압전저항(2)를 제조하고, 실리콘웨이퍼(1)전면에 질량패들(mass paddle)로서 Ni박막(3)을 증착하며, 사진 식각법과 습식식각으로 Ni박막(3)을 패터닝(patterning)한 후 RTP(rapid thermal processing)방법으로 열처리하여 Ni실리사이드(3')를 형성하고, RTP방법에 의한 열처리시 산화된 Ni의 표면산화층을 NH
4 OH수용액으로 제거하며, Ni실리사이드(3')상에 디스펜서(dispenser)를 이용하여 메탈페이스트(4: metal paste)를 정량올리고, 180℃∼200℃의 온도로 열처리하여 메틸페이스트(4)를 경화시켜 비교적 정확한 질량을 원하는 부분에 선택적으로 다량 올릴 수 있고 공정이 간편하고 양산적용에 이상적이며 하나의 칩위에 서로 다른 질량을 가지는 여러가지의 센서를 함께 제조할 있는 메탈페이스트 디스펜싱(metal paste dispening)방법을 이용한 가속도센서 및 진동센서의 질량 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100225788B1

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019960020335

申请日：1996-06-07

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이성필

IPC: H01L29/772

Abstract: 본 발명은 습도감지 전계효과트랜지스터에 관한 것으로서, n형(100) 실리콘 기판(1)에 소자의 전기적 분리를 위해 p형웰(2)을 만들고 p형웰(2) 안에 n채널 MISFET를 제조하여 게아트절연영역에 Si3N4(3)를 증착시켜 Si3N4(3)/Si02막(4)을 형성시키는 단계와, 상기 Si3N4(3)/Si02막(4) 위에 스퍼터로 Ti02막(5)을 증착시키고 리프트-오프 후 열처리 하는 단계, 열처리 후 물분자가 투과할 수 있는 다공질크롬(Cr; 6)과 다공질금(Au; 7)을 다공질 금속층으로 증착하는 단계 및, 게이트의 습도감지영역을 제외한 게이트전극, 소스 및 드레인에 1~2㎛의 2차 Au(8)를 증착하는 단계로 이루어져마이크로 테크놀리지를 이용하여 만든 전계효과트랜지스터 습도센서로서 규격화가 쉽고, 응답속도가 빠르며, 열적으로 안정성이 뛰어나고, 집적화되어 있기 때문에 멀티센서가 용이하여 널리 이용 될 수 있는 장점이 있는 습도감지 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100217883B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019960004672

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00 ,  G01P15/12

Abstract: 본 발명은 가속도센서에 관한 것으로서, 압저항들과 고정저항들 및 가산기로 이루어진 제1~4 브릿지회로부(1~4)를 각각 구성하고, 제1~4브릿지 회로부(1~4)의 출력단을 서로 연결하여 가산회로(5)에다 연결한 구성으로 기존 가속도센서의 설계 및 제조공정의 변경없이 가산회로를 구비하여 브릿지회로에서 나오는 응답을 가산회로로 합함으로써 각 브릿지에서 나오는 타축감도를 상쇄시키고, 브릿지 수에 따른 감도의 감소를 보상해 주게되므로 가속도센서의 감도특성이 우수하고 정확한 감지효과를 얻을 수 있는 자기감도상쇄용 가산회로를 구비한 가속도센서이다.