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公开(公告)号：FR3040532A1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：FR1558067
申请日：2015-08-31
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： ORY OLIVIER
IPC: H01L23/48
Abstract: L'invention concerne une puce à montage en surface réalisée dans et sur un substrat de silicium ayant une face avant et un flanc, la puce comprenant : au moins une métallisation destinée à être brasée à un dispositif extérieur, cette métallisation comprenant une première portion (30a) recouvrant au moins une partie de la face avant du substrat, et une deuxième portion (30b) recouvrant au moins une partie du flanc du substrat ; et une région en silicium poreux (20), incluse dans le substrat, séparant la deuxième portion (30b) de la métallisation du reste du substrat.
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公开(公告)号：FR3036534A1
公开(公告)日：2016-11-25
申请号：FR1554494
申请日：2015-05-20
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： HAGUE YANNICK , MENARD SAMUEL
IPC: H01L29/747
Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel de puissance comportant des premier (AGT) et second (TH) thyristors connectés en antiparallèle entre des première (A1) et deuxième (A2) bornes de conduction du commutateur, le premier thyristor (AGT) étant un thyristor à gâchette d'anode, le second thyristor (TH) étant un thyristor à gâchette de cathode, et les gâchettes (GAGT, GTH) des premier (AGT) et second (TH) thyristors étant reliées à une même borne de commande (G) du commutateur, dans lequel au moins une diode (C1, C2) ou au moins une résistance (C1, C2) sépare la gâchette (GAGT) du premier thyristor (AGT) de la gâchette (GTH) du second thyristor (TH).
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公开(公告)号：FR3034924A1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：FR1552985
申请日：2015-04-07
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： GONTHIER LAURENT , NINA MURIEL , PICHON ROMAIN
Abstract: L'invention concerne un convertisseur alternatif-continu comportant : une première borne (12) et une deuxième borne (14), destinées à recevoir une tension alternative (Vac) ; une troisième borne (16) et une quatrième borne (18), destinées à fournir une première tension continue (Vdc) ; un pont de redressement (3) dont des bornes d'entrée (32, 34) sont, respectivement, couplée à la première borne, et connectée à la deuxième borne, et dont des bornes de sortie (36, 38) sont respectivement connectées aux troisième et quatrième bornes, une première branche du pont comportant, entre les bornes de sortie, deux thyristors en série, respectivement à gâchette d'anode (Thl) et à gâchette de cathode (Th2), le point milieu de l'association en série étant connecté à une première desdites bornes d' entrée et le thyristor à gâchette d'anode étant commandable par extraction d'un courant de sa gâchette.
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公开(公告)号：FR3034922A1
公开(公告)日：2016-10-14
申请号：FR1552983
申请日：2015-04-07
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS , ST MICROELECTRONICS SRL
Inventor： GONTHIER LAURENT , LAROSA ROBERTO , ZOPPI GIULIO
Abstract: L'invention concerne un convertisseur alternatif-continu comportant une première borne (12) et une deuxième borne (14), destinées à recevoir une tension alternative (Vac) ; une troisième borne (16) et une quatrième borne (18), destinées à fournir une première tension continue (Vdc) ; un pont de redressement (3) dont des bornes d'entrée (32, 34) sont respectivement connectées aux première et deuxième bornes ; et dont soit des bornes de sortie (36, 38) sont respectivement, reliée par un élément de commutation commandable (T) à la troisième borne, et connectée à la quatrième borne, soit des bornes de sortie sont respectivement connectées aux troisième et quatrième bornes, deux éléments de redressement commandables du pont reliant respectivement les première et deuxième bornes à la troisième borne.
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公开(公告)号：FR3032316A1
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：FR1550789
申请日：2015-02-02
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS , ST MICROELECTRONICS INC
Inventor： GONTHIER LAURENT , NINA MURIEL , ASTRAUSKAS JURGIS
Abstract: L'invention concerne un convertisseur alternatif-continu comportant : une première borne (12) et une deuxième borne (14), destinées à recevoir une tension alternative (Vac) ; une troisième borne (16) et une quatrième borne (18), destinées à fournir une première tension continue (Vout) ; au moins un premier élément capacitif (C1, C2) reliant les troisième et quatrième bornes ; un pont de redressement (3) dont des bornes d'entrée (32, 34) sont respectivement couplées aux première et deuxième bornes et dont des bornes de sortie sont respectivement connectées aux troisième et quatrième bornes ; et au moins un premier élément inductif (L1), en série avec un premier interrupteur (52), entre une des première et deuxième bornes et une des bornes d'entrée du pont.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3030944A1
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：FR1462572
申请日：2014-12-17
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： RIVET BERTRAND , JOUVE DAVID
IPC: H02M1/34 , H03K17/082 , H05B44/00
Abstract: L'invention concerne un circuit (200) d'équilibrage de courants (IDi) circulant dans un assemblage parallèle de composants semiconducteurs (Di) du même type, ce circuit (200) comportant, pour chaque composant (Di), un circuit de régulation (Ci) comprenant : un comparateur d'un premier signal (VFBi) représentatif du courant (IDi) circulant dans le composant (Di) par rapport à un signal de référence (VREF) ; et un élément résistif de résistance réglable, commandé par ledit comparateur.
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公开(公告)号：FR3029686A1
公开(公告)日：2016-06-10
申请号：FR1462023
申请日：2014-12-08
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： BRUNO ERWAN , ZAID ABDELALI
Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant des composants radiofréquences passifs (46) constitués à partir de portions de couches métalliques (48) séparées par des couches isolantes (50) traversées par des vias (54) et reposant sur la face supérieure d'un substrat isolant (30), dans lequel des îlots (32A, 32B) en un matériau semiconducteur (34) s'étendent dans le substrat isolant à partir de sa face supérieure, des composants actifs étant formés dans ces îlots.
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公开(公告)号：FR2925766A1
公开(公告)日：2009-06-26
申请号：FR0760348
申请日：2007-12-24
Inventor： ROY MATHIEU , LAURENT JEAN-YVES
Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant une pile à combustible à hydrogène-air, comportant un élément mobile (32) susceptible, en position fermée, de recouvrir la cathode de la pile (31) de façon sensiblement étanche.
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公开(公告)号：FR3140498B1
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：FR2209951
申请日：2022-09-30
Applicant: STMICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor： CISSE DIAWOYE , RIVET BERTRAND , GAUTIER FREDERIC
IPC: H03K17/16
Abstract: Commande d'un transistor La présente description concerne un procédé de commande d'un transistor MOS à canal N, dans lequel : - lorsque la première tension (VDS4) est inférieure à une troisième tension (VTHON4), une quatrième tension de commande (VGS4) dudit transistor est supérieure à une cinquième tension de seuil dudit transistor ; - lorsque la première tension (VDS4) est supérieure à la deuxième tension (Reg_Vthoff4), la quatrième tension de commande (VGS4) est inférieure à la cinquième tension, dans lequel ladite deuxième tension (Reg_Vthoff4) est égale à : - une première valeur constante (Ref_Vthoff5) entre un premier instant (t51) et un deuxième instant (t52) ; - une deuxième valeur variable, entre le deuxième instant (t52) et un troisième instant (t55), la deuxième valeur étant égale à la somme de la première tension (VDS4) et d'une sixième tension positive, le troisième instant (t55) correspondant à l'instant où la première tension (VDS4) s'inverse. Figure pour l'abrégé : Fig. 5
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公开(公告)号：FR3049769A1
公开(公告)日：2017-10-06
申请号：FR1652823
申请日：2016-03-31
Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS
Inventor： MENARD SAMUEL
IPC: H01L29/747 , H01L29/74
Abstract: L'invention concerne un composant de puissance vertical comportant : un substrat (1) en silicium dopé d'un premier type de conductivité ; un caisson localisé (3) du second type de conductivité s'étendant depuis une face supérieure du substrat ; et du côté de la face supérieure du substrat (1), une structure de passivation revêtant une région périphérique du substrat (1) entourant le caisson (3), ladite structure de passivation comportant, sur et en contact avec ladite région périphérique de substrat, une première région (9) en un premier matériau de passivation et une deuxième région (31) en un deuxième matériau de passivation, la deuxième région (31) étant apte à générer des charges fixes positives à l'interface avec le silicium, de façon à générer, dans une région superficielle du substrat (1) en contact avec ladite deuxième région, une augmentation localisée de la concentration des porteurs majoritaires dans le substrat (1).
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