公开(公告)号：FR2861931B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：FR0350752

申请日：2003-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： ENGUENT JEAN PIERRE ,  ARTIGUES OLIVIER ,  TETELIN CLAUDE

IPC: H04L27/06 ,  G06K7/08 ,  H03D1/02

公开(公告)号：FR2870259A1

公开(公告)日：2005-11-18

申请号：FR0405151

申请日：2004-05-12

Applicant: UNIV D AIX MARSEILLE I ,  UNIV AIX MARSEILLE II ,  NOTEL FREDERIC

Inventor： EL BATTARI ASSOU ,  NOTEL FREDERIC

IPC: C12N9/10 ,  C12P19/18 ,  C12P21/00

Abstract: Procédé de préparation d'un composé osidique dans lequel dans lequel on fait réagir un composé accepteur de sucre avec un nucléotide donneur de sucre en présence d'un extrait de glycoprotéines membranaires issues de cellules de mammifères qui ont naturellement la capacité de réaliser des glycosylations proches de celles de l'homme, lesdites cellules étant munies d'au moins une glycosyltransférase exogène, l'extrait formant un appareil de Golgi reconstitué in vitro et kits pour la préparation d'un composé osidique

公开(公告)号：FR2932624A1

公开(公告)日：2009-12-18

申请号：FR0803350

申请日：2008-06-16

Applicant: UNIV D AIX MARSEILLE I ,  IHS HASSAN

Inventor： IHS HASSAN ,  DUFAZA CHRISTIAN

IPC: H03F3/217

Abstract: L'invention concerne un amplificateur numérique (A11) recevant un signal d'entrée numérique (IS) et fournissant un signal modulé numérique (OS") comprenant une composante de bruit (N) introduite par un modulateur numérique. Le dispositif comprend des moyens (MT12, ADET) pour appliquer un gain (G, 1/G) au signal d'entrée (IS) ou à un signal (QS) issu du signal d'entrée et traversant le modulateur, lorsque l'amplitude (X) du signal d'entrée (IS) est inférieure à un seuil (TH), de manière à augmenter le rapport signal/bruit entre le signal modulé (OS") fourni par le modulateur et le bruit (N) introduit par le modulateur.

公开(公告)号：DE602006003605D1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：DE602006003605

申请日：2006-09-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN-MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/788

Abstract: The memory point has a floating gate (103) placed above a P-type semiconductor substrate (100) and comprising a central portion (110) and end portions (111, 112) respectively insulated from the substrate by a thin insulating layer (102) and an insulating area (107). The central portion is by majority doped with P-type doping and the end portions comprise N-type doped zone constituting a part of a PN junction. The end portions form electron wells so that electrons injected into the gate are stored at level of the end portions.

公开(公告)号：FR2886426B1

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：FR0551377

申请日：2005-05-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： KUSSENER EDITH ,  TELANDRO VINCENT ,  CHAILLAN FABIEN

IPC: G06F7/58

Abstract: The generator has an oscillator circuit (2) whose polarization is controlled by an analog polarization circuit (5). The circuit (5) is controlled by a continuous time and amplitude variation signal produced by a sample-and-hold circuit (63). An output signal of an analog signal generator (64) is sampled with pseudorandom instant by the circuit (63) at each time when an output signal of a pseudorandom signal source (61) crosses a threshold fixed by a detector (62) : An independent claim is also included for a method of controlling a pseudorandom number generator.

公开(公告)号：FR2891398A1

公开(公告)日：2007-03-30

申请号：FR0552849

申请日：2005-09-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： BOUCHAKOUR RACHID ,  BIDAL VIRGINIE ,  CANDELIER PHILIPPE ,  FOURNEL RICHARD ,  GENDRIER PHILIPPE ,  LAFFONT ROMAIN ,  MASSON PASCAL ,  MIRABEL JEAN MICHEL ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: L'invention concerne un point mémoire non volatil incluant une grille flottante placée au-dessus d'un substrat semiconducteur, la grille flottante comprenant des portions actives isolées du substrat par des couches isolantes fines, et des portions inactives isolées du substrat par des couches isolantes épaisses non traversables par des électrons, les portions actives étant majoritairement dopées de type P et les portions inactives comprenant au moins une zone dopée de type N constituant une partie d'une jonction PN.

公开(公告)号：FR2864337A1

公开(公告)日：2005-06-24

申请号：FR0351179

申请日：2003-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  UNIV D AIX MARSEILLE I

Inventor： NEE DIDIER ,  FORLI LIONEL ,  BOROT BERTRAND ,  PORTAL JEAN MICHEL

IPC: G11C29/24 ,  G11C29/50 ,  H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: The cell has two parallel branches provided between two input/output nodes (1, 2). One branch has an inverter (3) and another branch has two series inverters (4, 5). The inverter (5) is short-circuited by a switch (6) controllable by a control signal. The cell operates as static RAM cell to allow static test and as a ring oscillator to allow dynamic test, when the switch is closed and opened, respectively. Independent claims are also included for the following: (A) a test structure comprising a number of cells; and (B) a method to test an integrated circuit.