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公开(公告)号：CN113972209A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110389976.2
申请日：2021-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。
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公开(公告)号：CN113838859A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110273389.7
申请日：2021-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L23/522
Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，包括多个有源区；位线，在衬底上沿水平方向延伸；直接接触部，连接在从多个有源区中选择的第一有源区与所述位线之间；内部氧化物层，接触直接接触部的侧壁；以及含碳氧化物层，在所述位线的侧壁上沿竖直方向非线性地延伸，含碳氧化物层接触所述位线的侧壁。
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公开(公告)号：CN110896073A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910644431.4
申请日：2019-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种集成电路器件包括在基层上的栅极堆叠结构以及在栅极堆叠结构的相反侧壁上且在基层上的栅极间隔物结构，栅极堆叠结构具有栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅极结构，栅极绝缘层具有在基层上并具有第一相对电容率的第一电介质层，栅极间隔物结构包括位于基层上的掩埋在位于栅极间隔物结构的下部处的栅极绝缘层的凹陷孔中的掩埋电介质层，掩埋电介质层包括与第一电介质层相同的材料。
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公开(公告)号：CN110729241A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910547303.8
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/06 , H01L27/11524 , H01L27/11531 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括：在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构；形成穿透模结构的孔；在基底上形成填充孔的第二半导体层；以及将激光照射到第二半导体层上。
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公开(公告)号：CN110504267A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910417483.8
申请日：2019-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/00 , G11C11/16
Abstract: 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法。所述方法包括形成有源结构，所述有源结构包括多个有源图案、限定有源图案的装置隔离层以及跨越有源图案并沿第一方向延伸的栅极结构；在有源结构上形成第一掩模图案；以及通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模来图案化有源结构以形成沟槽。形成第一掩模图案包括在第一掩模层中形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个第一开口，以及在第一掩模层中形成沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向延伸的多个第二开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400838A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910238662.5
申请日：2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L27/092
Abstract: 公开了一种半导体装置，半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一栅极图案，位于第一区域的基底上；以及第二栅极图案，位于第二区域的基底上。第一栅极图案包括顺序地堆叠的第一高k介电图案、第一N型含金属图案和第一P型含金属图案。第二栅极图案包括顺序地堆叠的第二高k介电图案和第二P型含金属图案。
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公开(公告)号：CN109524383A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811091300.X
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/10814 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76847 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，包括有源区；字线，在所述衬底中，并且每个字线沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸；位线结构，分别与有源区相连，并且每个位线结构沿与第一方向相交的第二方向延伸；以及间隔物结构，在所述位线结构中的相应位线结构的侧壁上。每个间隔物结构包括第一间隔物、第二间隔物和第三间隔物。第二间隔物设置在第一间隔物和第三间隔物之间，并且包括由第二间隔物的内表面限定的至少一个空隙。所述第二间隔物的高度大于所述至少一个空隙的高度。
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公开(公告)号：CN108987397A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810203802.0
申请日：2018-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本申请提供一种半导体装置，其包括位于支承层上的第一布线图案、位于第一布线图案上的第二布线图案和多重绝缘图案。第一布线图案在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开。支承层包括位于第一布线图案之间在第一方向和第二方向上彼此间隔开的第一接触孔图案。第二布线图案在第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开。所述多重绝缘图案位于支承层的未形成第一接触孔图案的上表面上，排列在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上，并且在第一布线图案与第二布线图案之间。
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公开(公告)号：CN108206156A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711372376.5
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/0649 , H01L21/0206 , H01L21/30604 , H01L21/76224 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L29/4236 , H01L21/76232
Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括具有第一沟槽的衬底、在第一沟槽的内侧面上的第一绝缘衬垫、以及在第一子沟槽的内侧面上的第二绝缘衬垫，第一子沟槽由第一沟槽中的第一绝缘衬垫限定，在垂直于衬底的顶表面的方向上邻接第一子沟槽的内侧面的第二绝缘衬垫的顶部水平不同于第一沟槽外部的衬底的顶表面。
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公开(公告)号：CN108155173A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711261582.9
申请日：2017-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/50 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L27/10814 , H01L27/10888 , H01L27/10894 , H01L27/11568 , H01L27/0886 , H01L23/50
Abstract: 一种半导体器件包括基板，该基板包括包含单元有源区域的单元阵列区域。绝缘图案在基板上。绝缘图案包括暴露单元有源区域并且延伸到单元有源区域中的直接接触孔。直接接触导电图案在直接接触孔中并且连接到单元有源区域。位线在绝缘图案上。位线连接到直接接触导电图案并且在垂直于绝缘图案的上表面的方向上延伸。绝缘图案包括包含非金属基电介质材料的第一绝缘图案和在第一绝缘图案上的第二绝缘图案。第二绝缘图案包括具有比第一绝缘图案的介电常数高的介电常数的金属基电介质材料。
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