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公开(公告)号：CN113497031A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110356220.8
申请日：2021-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种包括多个标准单元的集成电路。该集成电路包括：第一标准单元组，包括至少两个第一标准单元；第二标准单元组，在第一方向上与第一标准单元组相邻，第二标准单元组包括至少一个第二标准单元；以及第一绝缘栅极，与第一标准单元中的至少一个的一侧和所述至少一个第二标准单元的一侧邻接，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个包括集成的p型晶体管(pFET)和n型晶体管(nFET)，其中第一标准单元和第二标准单元中的每个具有不同设计的第一布设线，以及其中第一标准单元和第二标准单元中的每个根据对应的设计而具有有源区的相同或不同的布局。
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公开(公告)号：CN112908988A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011405734.X
申请日：2020-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/538
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括在第一方向上延伸的第一方向多个配线以及在与第一方向相交的第二方向上延伸的第二方向多个配线。在第一方向上延伸的第一方向多个配线包括：栅极配线，在第二方向上以栅极节距彼此间隔开；第一配线，在栅极配线之上，在第二方向上以第一节距彼此间隔开；第二配线，在第一配线之上，在第二方向上以第二节距彼此间隔开；以及第三配线，在第二配线之上，在第二方向上以第三节距彼此间隔开。栅极节距和第二节距之间的比率为6:5。
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公开(公告)号：CN105488244B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201510645497.7
申请日：2015-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , H01L27/02 , H01L27/28 , H01L29/66
Abstract: 提供了设计半导体装置的方法和用于设计半导体装置的系统。设计半导体装置的方法包括：提供包括有源区和虚设区的标准单元布局；确定有源区中的第一有源鳍与第二有源鳍之间的第一鳍节距和虚设区中的第一虚设鳍与第二虚设鳍之间的第二鳍节距；使用第一鳍节距和第二鳍节距在有源区中安置第一有源鳍和第二有源鳍并在虚设区中安置第一虚设鳍和第二虚设鳍；并检验标准单元布局。
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公开(公告)号：CN112466871A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010940222.7
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/118
Abstract: 一种集成电路包括第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区上的第一标准单元和第二标准单元以及在第一标准单元和第二标准单元之间并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物的填充单元。填充单元具有一个节距的尺寸。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物彼此间隔开所述一个节距的尺寸。填充单元的第一绝缘隔离物设置在第一标准单元和填充单元之间的第一边界处。填充单元的第二绝缘隔离物设置在第二标准单元和填充单元之间的第二边界处。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物将第一有源区的至少一部分分隔开，并将第二有源区的至少一部分分隔开。
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公开(公告)号：CN107104101B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710397056.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231760A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337186.X
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/41741 , H01L29/7827
Abstract: 本公开涉及具有垂直晶体管的集成电路。一种具有垂直晶体管的集成电路包括在第一方向上延伸并彼此平行地顺序排列的第一栅线至第四栅线、在第一栅线至第三栅线之上并与第二栅线绝缘的第一顶有源区、以及第二顶有源区。第一顶有源区分别与第一栅线和第三栅线形成第一晶体管和第三晶体管。第二顶有源区在第二栅线至第四栅线之上并与第三栅线绝缘。第二顶有源区分别与第二栅线和第四栅线形成第二晶体管和第四晶体管。
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公开(公告)号：CN107452802A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710368551.7
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/41758 , H01L29/42376 , H01L29/7827 , H01L29/7851 , H01L29/785
Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。
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公开(公告)号：CN105448910A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510595156.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L23/52
Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。
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公开(公告)号：CN109979989B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811612378.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。
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公开(公告)号：CN113192951B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202110478287.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 提供集成电路和集成电路组。该集成电路包括：基底；第一和第二有源区；第一和第二电源线；多个栅极图案，平行第一方向延伸并沿第二方向彼此间隔开；第一接触件，在有源区内和栅极图案上；连接下金属线和上金属线的过孔；多个鳍，沿第二方向延伸并形成在有源区上；源区/漏区，在有源区中和栅极图案两侧处；第二接触件，连接到源区/漏区。栅极图案在鳍上沿第一方向跨过鳍彼此平行延伸。第一接触件在第一层中，下金属线在第二层中，上金属线在第三层中。第一接触件将栅极图案电连接至下金属线。第一接触件包括接触栅极图案的第一部和接触下金属线的第二部。第一和第二有源区包括PMOSFET和NMOSFET区。
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