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公开(公告)号：CN103502489A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201380001177.7
申请日：2013-01-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用铜合金的制造方法、电子电气设备用导电元件以及端子，在所述铜合金中，以质量%计，含有超过2.0%且36.5%以下的Zn、0.1%以上且0.9%以下的Sn、0.05%以上且不到1.0%的Ni、0.001%以上且不到0.10%的Fe以及0.005%以上且0.10%以下的P，剩余部分包括Cu及不可避免杂质，并且，作为这些元素的含量的相互比率，以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜1.5、3＜（Ni+Fe）/P＜15、0.3＜Sn/（Ni+Fe）＜5，并且含有Cu、Zn及Sn的α相的晶粒的平均粒径为0.1～50μm，且包括含有Fe和/或Ni以及P的析出物。
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公开(公告)号：CN103282525A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280004657.4
申请日：2012-01-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种电子设备用或电气设备用铜合金、铜合金薄板及导电部件。该电子设备用或电气设备用铜合金的特征在于，以mass%计，含有23～36.5%的Zn、0.1～0.8%的Sn、0.05%以上且低于0.15%的Ni、0.005%以上且低于0.10%的Fe及0.005～0.05%的P，并且规定为如下：Fe含量与Ni含量之比Fe/Ni以原子比计，满足0.05＜Fe/Ni＜1.5，且Ni及Fe的合计含量（Ni+Fe）与P含量之比（Ni+Fe）/P以原子比计，满足3＜（Ni+Fe）/P＜15，以及Sn含量与Ni及Fe的合计量（Ni+Fe）之比Sn/（Ni+Fe）以原子比计，满足0.5＜Sn/（Ni+Fe）＜5，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN115917023B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202180045210.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
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公开(公告)号：CN114787400B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202080082309.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该铜合金具有Mg含量在70质量ppm以上且400质量ppm以下的范围内、Ag含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内且剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，P含量小于3.0质量ppm，导电率为90％IACS以上，KAM值的平均值为3.0以下。
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公开(公告)号：CN114269957B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080059341.X
申请日：2020-09-11
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该纯铜板的Cu的含量为99.96质量％以上，在将轧制面中的晶粒的平均结晶粒径设为Xμm，将Ag的含量设为Y质量ppm时，1×10‑8≤X‑3Y‑1≤1×10‑5成立，在将构成晶界三重点的三个晶界全部为特殊晶界的J3与所有晶界三重点的比例设为NFJ3，将构成晶界三重点的两个晶界为特殊晶界且一个晶界为随机晶界的J2与所有晶界三重点的比例设为NFJ2时，0.30＜(NFJ2/(1‑NFJ3))0.5≤0.48成立。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113614258A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019903.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提高了降低接触电阻的镀膜与含有Mg的铜合金板的密接性。一种铜合金板，在板厚方向的中心部包含超过1.2质量％且2质量％以下的Mg，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，表面处的表面Mg浓度为所述板厚方向的所述中心部的中心Mg浓度的30％以下，具有从所述表面起至Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部，Mg浓度从所述表面向所述板厚方向的所述中心部，以0.2质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
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公开(公告)号：CN107923001B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕‑P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN107923001A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680041266.8
申请日：2016-07-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
Abstract: 本发明的电子电气设备用铜合金中，含有大于2质量％且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P、0.001质量％以上且0.1质量％以下的Fe，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，以原子比计，满足3＜(Ni+Fe)/P＜30、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.7、0.002≤〔Fe/Ni〕＜0.6，而且，相对于合金整体的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕，含有Fe、Ni和P的〔Ni，Fe〕-P系析出物中的Fe的含量与Ni的含量的原子比〔Fe/Ni〕P满足5≤〔Fe/Ni〕P/〔Fe/Ni〕≤200。
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公开(公告)号：CN107299248A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710474023.X
申请日：2013-06-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱伸铜株式会社
CPC classification number: H01B1/026 , B21B3/00 , B32B15/01 , C22C9/04 , C22F1/00 , C22F1/08 , H01B5/02 , Y10T428/12 , Y10T428/12715 , B21B2003/005
Abstract: 本发明所涉及的电子电气设备用铜合金含有23质量％以上且36.5质量％以下的Zn、0.1质量％以上且0.9质量％以下的Sn、0.15质量％以上且小于1.0质量％的Ni、0.001质量％以上且小于0.10质量％的Fe、0.005质量％以上且0.1质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，且以原子比计，满足0.002≤Fe/Ni＜0.7、3＜(Ni+Fe)/P＜15、0.3＜Sn/(Ni+Fe)＜2.9，并且一表面中的来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}为0.8以下。
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