公开(公告)号：CN110720141A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880037900.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  G·Z·格瓦拉

IPC: H01L23/498

Abstract: 本发明提供了用于微电子组装和其他应用的具有适形目标焊盘的可变形电气触点。例如，在管芯级或晶片级的微电子组装期间，第一基板上的多个可变形电气触点可以被接合到第二基板上的多个适形焊盘。每个可变形触点变形至某个程度，该程度与第一基板和第二基板之间的接合压力的量相关。变形工艺还利用可变形电气触点擦拭每个相应的适形焊盘以形成新的金属与金属接触以便进行良好的传导。每个适形的焊盘在被可压缩材料加压时塌缩，以呈现电气触点的近似变形的形状，从而提供大导电表面积，同时还补偿水平不对准。可以升高温度以熔化电介质，该电介质封装电气连接、平衡两个基板之间的间隙和变化，并且将两个基板永久性地固定在一起。

公开(公告)号：CN105637633B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201480055178.4

申请日：2014-08-07

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： I·莫哈梅德 ,  B·哈巴

IPC: H01L23/538 ,  H05K1/18 ,  H01L25/10 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开了微电子组件，以及制作微电子组件的方法。在一些实施例中，微电子组件(100)包括微电子元件(102)，所述微电子元件(102)具有界定前表面(104)的边缘表面(106)，以及所述前表面(104)处的触点(112)；刚性金属柱(114)，所述刚性金属柱(114)设置在至少一个边缘表面(106)与所述组件(100)的对应边缘之间，每个金属柱(114)的侧壁(116)将第一端面(118)与第二端面(120)分隔开，所述侧壁(116)具有小于约1微米的均方根(rms)表面粗糙度；包封(122)，所述包封(122)至少接触所述边缘表面(106)和所述侧壁(116)；绝缘层(136)，所述绝缘层(136)覆盖在所述包封(122)上；连接元件(128)，所述连接元件(128)延伸穿过所述绝缘层(136)，其中至少一些连接元件(128)的横截面比所述金属柱(114)的横截面小；重新分布结构(126)，所述重新分布结构(126)沉积在所述绝缘层(136)上并通过所述第一连接元件(128)将第一端子(131)与对应的金属柱(114)电连接，一些金属柱(114)与微电子元件(102)的触点(112)电连接。

公开(公告)号：CN104937716B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201380070812.7

申请日：2013-12-10

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： I·莫哈梅德 ,  B·哈巴

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种微电子组件(5)可以包括：第一封装体(110)，其包括处理器(130)；以及第二封装体(10)电连接至该第一封装体。该第二封装体(10)可以包括：其中每个都具有存储器存储阵列功能和在相应的元件面(31)处的接触(35)的两个或更多个微电子元件(30)、相对的上下封装体面(11、12)、在相应的上下封装体面处的上端子和下端子(25、45)、和延伸通过该第二封装体的导电结构(14)。两个或更多个微电子元件中的相应微电子元件(30)的边缘(32)可以彼此间隔开，从而在这些边缘之间限定中央区域(23)。导电结构(14)可以与中央区域(23)对准，并且可以将下端子(45)与下列各项中的至少一项电连接：上端子(25)或者接触(35)。

公开(公告)号：CN105723509B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201480062077.X

申请日：2014-11-11

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  R·科 ,  R·L·萨加齐赛克 ,  W·佐尼

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/004 ,  B23K20/005 ,  B23K20/007 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/43 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43985 ,  H01L2224/783 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/78621 ,  H01L2224/78822 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 使用焊接工具(104)形成导电引线(137)。在将导线(115)焊接至金属表面(112)并使所述导线的长度延伸超过所述焊接工具之后，夹紧所述导线。所述焊接工具的移动在所述导线与除所述焊接工具以外的任何金属元件完全分离的位置处赋予所述导线扭结(116)。成形元件(334)，例如，在所述焊接工具的外表面处提供边缘或刀片裙部，可帮助扭结所述导线。任选地，扭曲所述导线，同时使用所述焊接工具张紧所述导线可导致所述导线断裂并限定末端(138)。所述引线随后从所述金属表面(112)延伸至所述末端(138)，并且可展示受到的扭转力的迹象。

公开(公告)号：CN104718611B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201380038752.0

申请日：2013-06-06

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐 ,  C·G·沃伊奇克 ,  T·卡斯基 ,  K·V·德塞 ,  魏怀亮 ,  C·米彻尔 ,  B·哈巴

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 部件10可包括衬底20和在开口30内延伸的导电通孔40。衬底20可具有第一和第二相对表面21、22。可在开口30的内壁32处露出介电材料60。导电通孔40可与第一表面21相邻地在开口30内限定释放沟道55。释放沟道55可在平行于第一表面21的平面P的方向D2上和所述第一表面21下方的5微米内与内壁32相距第一距离D1的边缘56，第一距离小于1微米和平面中的开口30的最大宽度的5％。边缘56可沿着内壁32延伸以跨越内壁的圆周的至少5％。

公开(公告)号：CN105144293A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480022547.X

申请日：2014-03-12

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： R·D·克里斯普 ,  W·佐尼 ,  B·哈巴 ,  陈勇

IPC: G11C5/06 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L23/13 ,  H01L29/40 ,  H01L23/31

CPC classification number: H05K7/1459 ,  G11C5/063 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2924/15311

Abstract: 可以在多芯片微电子封装件(100)中设置封装内飞越式信令，其中该封装件具有位于封装衬底(102)上的地址线(126)，其被配置为将地址信息承载到衬底上的具有来自封装件的端子(120)的第一延迟的第一连接区域(126C)，并且地址线被配置为将超出第一连接区域(126C)外的地址信息至少承载至具有来自端子(120)的大于第一延迟的第二延迟的第二连接区域(126D)。例如半导体芯片的第一微电子元件(110)的地址输入(140)可以与第一连接区域(126C)处的每条地址线耦合，并且第二微电子元件(112)的地址输入(140)可以与第二连接区域(126D)处的每条地址线耦合。

公开(公告)号：CN104969341A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201380072473.6

申请日：2013-12-18

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  F·L·阿亚托拉西 ,  M·纽曼 ,  P·莫纳德吉米

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了微电子元件及其制造方法。微电子元件(100)可以包括衬底，衬底包括延伸穿过衬底的半导体区域(102)的开口(108)，介电层(114)在开口的至少第一部分内覆盖开口的壁(110)，第一金属(118)设置在开口的第一部分内，第二金属设置在开口的第二部分内。第二金属可以形成微电子元件的接触的至少一部分。

公开(公告)号：CN104937716A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070812.7

申请日：2013-12-10

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： I·莫哈梅德 ,  B·哈巴

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/10 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种微电子组件(5)可以包括：第一封装体(110)，其包括处理器(130)；以及第二封装体(10)电连接至该第一封装体。该第二封装体(10)可以包括：其中每个都具有存储器存储阵列功能和在相应的元件面(31)处的接触(35)的两个或更多个微电子元件(30)、相对的上下封装体面(11、12)、在相应的上下封装体面处的上端子和下端子(25、45)、和延伸通过该第二封装体的导电结构(14)。两个或更多个微电子元件中的相应微电子元件(30)的边缘(32)可以彼此间隔开，从而在这些边缘之间限定中央区域(23)。导电结构(14)可以与中央区域(23)对准，并且可以将下端子(45)与下列各项中的至少一项电连接：上端子(25)或者接触(35)。

公开(公告)号：CN103930988B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201280055739.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  K·德塞

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种互连部件(10)包括第一支撑部分(12)并且具有与第一支撑部分的表面基本上垂直地经过第一支撑部分延伸的多个第一传导过孔(22)，从而每个过孔具有与第一表面(14)相邻的第一端(26)和与第二表面(16)相邻的第二端(24)。第二支撑部分(30)具有与第二支撑部分的表面基本上垂直地经过第二支撑部分延伸的多个第二传导过孔(40)，从而每个过孔具有与第一表面(34)相邻的第一端(44)和与第二表面(32)相邻的第二端(42)。重新分布层(50)设置于第一和第二支撑部分的第二表面之间，从而电连接第一过孔中的至少一些第一过孔与第二过孔中的至少一些第二过孔。第一和第二支撑部分可以具有小于12ppm/℃的CTE。

公开(公告)号：CN103930988A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280055739.1

申请日：2012-09-14

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： B·哈巴 ,  K·德塞

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/17 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19107 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T428/24521 ,  Y10T428/24802 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种互连部件(10)包括第一支撑部分(12)并且具有与第一支撑部分的表面基本上垂直地经过第一支撑部分延伸的多个第一传导过孔(22)，从而每个过孔具有与第一表面(14)相邻的第一端(26)和与第二表面(16)相邻的第二端(24)。第二支撑部分(30)具有与第二支撑部分的表面基本上垂直地经过第二支撑部分延伸的多个第二传导过孔(40)，从而每个过孔具有与第一表面(34)相邻的第一端(44)和与第二表面(32)相邻的第二端(42)。重新分布层(50)设置于第一和第二支撑部分的第二表面之间，从而电连接第一过孔中的至少一些第一过孔与第二过孔中的至少一些第二过孔。第一和第二支撑部分可以具有小于12ppm/℃的CTE。