用于测量半导体外延晶片耐受电压的方法和半导体外延晶片

    公开(公告)号:CN1547767A

    公开(公告)日:2004-11-17

    申请号:CN03800627.8

    申请日:2003-01-23

    CPC classification number: H01L22/14 H01L22/34

    Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中,仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压,而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程,从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此,可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外,因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量,从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此,与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比,所产生的损失得以降低。

    半绝缘性砷化镓晶体基板
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113584593B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202110717986.4

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数,所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

    半绝缘性砷化镓晶体基板
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111032930B

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN201780094136.5

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数,所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在

    半绝缘性砷化镓晶体基板
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111032930A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201780094136.5

    申请日:2017-09-21

    Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数,所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

    氮化镓衬底
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106574398B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201580040883.1

    申请日:2015-04-16

    Abstract: 提供了一种氮化镓衬底,所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面,所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域,在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中,所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值,所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II):Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

    二极管
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104835852B

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201510063849.8

    申请日:2015-02-06

    Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下,二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

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