公开(公告)号：CN1624944A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410098298.0

申请日：2004-12-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光装置(30)，它具备电阻率 0.5Ω·cm或其以下的氮化物半导体基板(1)、位于氮化物半导体基板的第1主表面侧的n型氮化物半导体层(3)、从氮化物半导体基板看位于比n型氮化物半导体层(3)更远的位置上的p型氮化物半导体层(5)和位于n型氮化物半导体层(3)以及p型氮化物半导体层(5)之间的发光层(4)；将氮化物半导体基板(1)以及p型氮化物半导体层(5)的任意一方安装在放出光的上侧，另外将另一方安装在下侧，位于该上侧的电极由1个构成。由此，能够得到可小型化，另外因结构简单而制造容易，可长期稳定地得到较大的发光效率的发光元件。

公开(公告)号：CN1547767A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN03800627.8

申请日：2003-01-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  山下正史 ,  木山诚

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/34

Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(12、12)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。

公开(公告)号：CN113584593B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202110717986.4

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42 ,  G01R27/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

公开(公告)号：CN111032930B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201780094136.5

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在

公开(公告)号：CN109643749B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN201780051235.5

申请日：2017-08-29

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 足立真宽 ,  木山诚 ,  山本喜之 ,  竹内恒博

IPC: H10N10/851 ,  C01B33/06

Abstract: 一种热电转换材料，其包含：基材，所述基材是半导体；和添加元素，所述添加元素不同于构成所述基材的元素。由所述添加元素形成的附加能带存在于所述基材的禁带内。相对于与所述基材的所述禁带相邻的价带的状态密度的最大值，所述附加能带的状态密度具有0.1以上的比率。

公开(公告)号：CN111032930A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201780094136.5

申请日：2017-09-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 河本真弥 ,  木山诚 ,  石川幸雄 ,  桥尾克司

IPC: C30B29/42

Abstract: 一种半绝缘性砷化镓晶体基板，所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面，所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径，所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R-17)mm的点为中心的三个测量区域中的每一个区域中具有5×107Ω·cm以上的比电阻的平均值和0.50以下的变异系数，所述变异系数通过用比电阻的标准偏差除以比电阻的平均值而得到。

公开(公告)号：CN106574398B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN104835852B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510063849.8

申请日：2015-02-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松浦尚 ,  岛津充

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种二极管。提供一种具有优良开关特性的二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。导通电阻R从二极管(1)的正向电流‑电压特性来获得。将反向阻断电压V阻断定义为产生二极管(1)的击穿的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容‑电压特性中得到的电容(C)积分来获得。

公开(公告)号：CN106574398A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN102422397B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN200980159180.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫崎富仁 ,  木山诚 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/60 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/2076

Abstract: 一种半导体器件，提供有：包括GaN的半导体层(1)以及电极。该电极包括：电极主体(6)；连接用电极(8)，其在从半导体层(1)观看时形成在比电极主体(6)更远的位置处并且包括Al；以及阻挡层(7)，其形成在电极主体(6)和连接用电极(8)之间，并且包括选自由W、TiW、WN、TiN、Ta和TaN组成的组中的至少一种材料。阻挡层(7)的表面粗糙度RMS为3.0nm或更小。