金刚石电子发射器及使用其的电子束源

    公开(公告)号:CN1813329A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200480018499.3

    申请日:2004-09-15

    CPC classification number: H01J1/304 H01J1/308 H01J2237/06325 H01J2237/3175

    Abstract: 提供了一种比传统器件更小的、能够在更低电压下、更有效地进行操作的电子发射器件。该器件包括用于向阴极照射光线的光发射器件,其中至少阴极的电子发射面是由金刚石做成的。通过按照这种方式组成器件,可以使抽出电子的电压比传统器件降低很大余量,并因此获得能够以低电压进行操作的小器件。优选地,将光发射器件与阴极形成一个单元,同样优选地,光发射器件和电极是由金刚石做成的。此外,优选地,阴极的电子发射面是n-或p-型金刚石半导体。

    单晶金刚石及其制造方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111133134B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201880060767.X

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石,所述单晶金刚石包含:在观察表面中观察到的杂质总浓度不同的n种类型的区域,所述观察表面与(110)面平行并且具有不大于5μm的表面粗糙度Ra,所述观察表面是通过对所述单晶金刚石的表面进行研磨而得到的,其中n为2或3。所述n种类型的区域各自具有不小于0.1μm2的面积。在所述观察表面上的第一条线、第二条线和第三条线中的至少一条与所述n种类型的区域之间的边界交叉至少四次。所述第一条线、所述第二条线和所述第三条线是与 方向平行并且具有1mm长度的线段。所述第一条线的中点对应于所述观察表面的重心。所述第二条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。所述第三条线的中点对应于在 方向上距所述重心300μm的点。

    单晶金刚石材料、单晶金刚石芯片和穿孔工具

    公开(公告)号:CN107109691B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201680006136.0

    申请日:2016-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石材料中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中,非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下,置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具,其包含单晶金刚石拉丝模,其中在所述单晶金刚石拉丝模中,非置换型氮原子的浓度为200ppm以下,置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度,并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面,所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。

    单晶金刚石及其制造方法、包含单晶金刚石的工具和包含单晶金刚石的部件

    公开(公告)号:CN106574393A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201580039728.8

    申请日:2015-07-22

    Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在,各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点,所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外,在所述单晶金刚石(20)中,平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中,晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此,提供一种单晶金刚石,所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。

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