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公开(公告)号：CN113241294A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110432576.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低场发射开启阈的中空金刚石纳米线阵群的制备方法，属于半导体器件制备领域。将掺杂浓度为1×1021cm‑3到1×1023cm‑3硼掺杂金刚石经过精密研磨抛光控制使其表面粗糙度在80‑120nm范围内。随后将其与Si陪片一同在O2和Cl2气源比例为2:1至10:1的条件下进行电感耦合等离子体反应离子刻蚀20‑90min。接着通过将刻蚀后的硼掺杂金刚石片在5‑7kPa，温度600‑800℃的条件下氢等离子体处理5‑30min，从而得到具有超低场发射开启电压阈值的高密度、高长径比中空氢终端金刚石纳米线阵群，以用于高性能电子发射器件等。
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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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公开(公告)号：CN104795292B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410024348.4
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个间隔设置的电子发射单元，所述电子发射单元包括一第一电极、一绝缘层以及一第二电极，所述绝缘层层叠设置在所述第一电极和第二电极之间，所述第一电极为所述电子发射源的电子发射端，所述第一电极为一碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层位于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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公开(公告)号：CN104795293B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410024418.6
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/308
CPC classification number: H01J29/04 , H01J31/12 , H01J2201/3125
Abstract: 本发明涉及一种电子发射源，包括：依次层叠设置的第一电极、一半导体层、一绝缘层以及一第二电极，所述第一电极作为该电子发射源的电子发射端，其特征在于，所述半导体层具有多个孔洞间隔设置，所述第一电极为一碳纳米管层，该碳纳米管层在对应多个孔洞位置处悬空设置。
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公开(公告)号：CN104795291A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410024347.X
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/18 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J31/127 , H01J2201/30461 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0449 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484 , H01J9/02 , H01J9/022 , H01J31/12
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个条形第一电极以及多个条形第二电极交叉且间隔设置，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极之间设置一绝缘层，所述条形第一电极为一碳纳米管复合结构，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及一半导体层复合层叠设置，所述半导体层设置于所述碳纳米管层与所述绝缘层之间。本发明涉及一种电子发射装置的制备方法以及采用上述电子发射装置的显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102280331B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110193383.5
申请日：2011-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：AlxGa1-xN，0＜x≤0.95。制备方法：将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统，抽真空、加热衬底、通入保护气体，用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。
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公开(公告)号：CN102280331A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110193383.5
申请日：2011-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 具有电子发射增强的混合相氮化物薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极技术领域，该阴极材料为GaN和AlN的混合物，同时具有六方纤锌矿和立方闪锌矿两种晶体结构；组分为：AlxGa1-xN，0＜x≤0.95。制备方法：将衬底及GaN和AlN烧结成的靶材放入激光脉冲沉积系统，抽真空、加热衬底、通入保护气体，用脉冲激光沉积系统制备了铝镓氮纤锌矿六方相和闪锌矿立方相两相共存的纳米薄膜。该薄膜相对单相薄膜场发射开启电压和最大电流密度提高了2-5个数量级。这种两相共存的薄膜有助于提高薄膜场发射性能和场发射显示器的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。
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公开(公告)号：CN102280330A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110191195.9
申请日：2011-07-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种光辅助/脉冲调制用大电流密度的电子源，应用于大功率超高频真空电子器件领域。电子源包括衬底（1）、N个大小相同的同心环电极（3）、电极引线（2）、衬底外缘电极（4）；其中，所述N个同心环电极（3）均匀分布在衬底（1）上，所述同心环电极具有亚波长周期电极结构，通过电极引线与衬底外缘电极（4）连接，在同心环电极（3）表面制备有冷阴极电子发射材料。本发明还公开了该电子源的电子发射方法，在直流电场作用下，利用连续输出或飞秒脉冲激光束辐射其上或下表面，实现发射电流的光辅助/脉冲调制。本发明将电子源设计为亚波长周期结构，提高了光-场发射中的光子吸收效率，增强光脉冲对电子发射的调制效果。
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公开(公告)号：CN102157316A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110057064.1
申请日：2011-03-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极领域。本发明采用激光脉冲沉积系统，在保护气体下，依次在导电衬底上沉积一层具有表面突起形貌的半导体传导缓冲层，然后在半导体传导缓冲层上沉积一层半导体电子势垒层，再在半导体电子势垒层上沉积一层半导体电子势阱层，得到由导电衬底自下向上依次为半导体传导缓冲层、半导体电子势垒层和半导体电子势阱层的增强电子发射性能的薄膜场发射阴极。本发明的薄膜场发射阴极具有低阈值电场、高发射电流密度、电子发射稳定并兼具工艺简单、使用寿命长，制备工艺简单易行，不涉及复杂、昂贵的光刻技术及其相关设备。
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公开(公告)号：CN1949434A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610136200.5
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01J1/308 , H01J17/04 , H01J29/04 , C09K11/08 , C09K11/77 , H01J17/20 , H01J17/49 , H01J31/12 , G09F9/30 , H01L33/00 , H01L27/15
CPC classification number: H01J63/08 , G02F1/133602 , G02F2001/133625 , H01J1/308 , H01J29/481 , H01J31/127 , H01J63/02
Abstract: 所提供的是具有低驱动电压和高发光效率的一种使用电子发射的发光器件，以及使用该发光器件的平板显示装置。此外，提供了一种使用电子发射的发光器件，在该器件中可以重复和可靠地形成纳米大小的间隙。该发光器件包括：多个PN结，每一个PN结包括具有预定厚度的耗尽层；面对耗尽层和与该耗尽层隔开预定距离的阳极；以及形成在阳极表面上的磷光体层。平板显示装置包括该发光设备。
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