碳化硅的晶体生长方法
    21.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104695007B

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201410741299.6

    申请日:2014-12-05

    Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中,作为Si‑C溶液的收容部,使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚,例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布,使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出,抑制与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si‑C溶液接触,从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚,Si‑C溶液的组成变动少,还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。

    SiC单晶的制造方法
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108286075A

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201810285275.2

    申请日:2011-11-25

    Abstract: 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括:在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶;使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中;将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长;从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中,同时保持SiC单晶的生长。

    SiC单晶的制造方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107849734A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680042716.5

    申请日:2016-07-25

    CPC classification number: C30B19/04 C30B19/06 C30B29/36

    Abstract: 在本发明中,通过溶液法制造SiC单晶时,作为用作Si-C溶液的收容部的坩埚,使用以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的坩埚。另外,在其他方式中,在作为Si-C溶液的收容部的坩埚内收容以SiC为主要成分的氧含量为100ppm以下的烧结体。作为它们的主要成分的SiC成为Si和C的来源,通过加热使Si和C溶出到Si-C溶液中,但由于氧含量为100ppm以下,因此,Si-C溶液中的气体产生得到抑制。其结果是,能够长期稳定地制造低缺陷且高品质的SiC单晶。

    磁体保持夹具
    29.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102848310A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210216433.1

    申请日:2012-06-27

    CPC classification number: B24B41/06 B24B19/26 B24B27/06 Y10T83/263

    Abstract: 当稀土磁体块通过切割或磨削工具而进行切割或磨削时,夹具用于将磁体块保持就位。夹具包括:基部;一对金属支承部件,该对金属支承部件布置在基部的相对侧上,并提供有槽;以及橡胶棒,该橡胶棒接收于支承部件的槽中,以使得橡胶棒从该槽局部凸出,并抵靠在槽底部上。磁体块置于基部上,并夹持在橡胶棒之间。槽的容积大于橡胶棒的容积。

Patent Agency Ranking