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公开(公告)号：CN105473756A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201580001616.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/58 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01B1/02 , H01B3/426 , H01B3/427 , H01L31/022466
Abstract: 提供能够飞跃性提高晶体转化处理后的透明导电层相对于晶体转化处理前的透明导电层的电特性、实现进一步的低电阻化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备薄膜基材(2)和形成于该基材的一个主表面(2a)的结晶质透明导电层(3)。晶体转化处理前的非晶质透明导电层的载流子密度na×1019为(10～60)×1019/cm3、霍尔迁移率μa为10～25cm2/V·s，晶体转化处理后的结晶质透明导电层(3)的载流子密度nc×1019为(80～150)×1019/cm3、霍尔迁移率μc为20～40cm2/V·s，由{(nc-na)2+(μc-μa)2}1/2定义的移动距离L为50～150。
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公开(公告)号：CN104937678A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005118.1
申请日：2014-01-15
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜的制造方法具有形成透明导电膜的工序(A)，该工序(A)为：在有机高分子薄膜基材的至少一个面上，利用辊对辊的装置，使用{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的靶，在该靶表面的水平磁场为85～200mT的高磁场下、在非活性气体的存在下，利用RF叠加DC溅射成膜法形成透明导电膜，并且，前述透明导电膜为前述铟系复合氧化物的结晶质膜，前述透明导电膜的膜厚为10nm～40nm的范围，前述透明导电膜的电阻率值为1.3×10-4～2.8×10-4Ω·cm。根据本发明的制造方法得到的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且薄膜的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN104919541A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480005113.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(％)所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10-4～2.0×10-4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN109930109B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201910038774.6
申请日：2012-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
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公开(公告)号：CN108353521B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201680062050.X
申请日：2016-12-14
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够长期保持优异的性能的电磁波吸收体，该电磁波吸收体具有：由高分子薄膜构成的电介质层B、在电介质层B的第1面的以氧化铟锡为主成分的电阻层A、和在电介质层B的第2面的具有比所述电阻层A低的薄层电阻的导电层C，上述电阻层A的氧化铟锡中含有的氧化锡为氧化铟锡重量的20～40重量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919541B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201480005113.9
申请日：2014-01-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜在有机高分子薄膜基材上的至少一个面具有透明导电膜，前述透明导电膜是{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100％所示的4价金属元素的氧化物的比率为7～15重量％的铟系复合氧化物的结晶质膜，所述透明导电膜的膜厚处于超过40nm且在200nm以下的范围，电阻率值为1.2×10‑4～2.0×10‑4Ω·cm，在(222)面和(440)面具有X射线衍射峰的主峰，(440)面的峰的强度(I440)与(222)面的峰的强度(I222)的峰强度比(I440/I222)小于0.3，并且，由X射线应力测定法测得的内部应力为700MPa以下。本发明的透明导电性薄膜具有透明导电膜，所述透明导电膜由具有低电阻率值及表面电阻值、且内部应力小的结晶质膜构成。
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公开(公告)号：CN105492653A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN104081473A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068061.0
申请日：2012-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01B13/0036 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B13/0016
Abstract: 本发明公开一种光透射性优异且电阻率较小的透明导电膜的制造方法。本发明是具备膜基材、和形成于上述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法。本发明具有：在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及，在所述将包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
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公开(公告)号：CN103839607A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310597960.6
申请日：2013-11-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G06F3/044 , H01B1/08 , Y10T428/265
Abstract: 提供结晶性优良，比电阻小的透明导电性膜。本发明的透明导电性膜（1），包含：膜基材（2）、和在该膜基材上形成的铟锡氧化物的多晶层（3）。多晶层（3），在厚度方向具有氧化锡的浓度梯度，多晶层（3）的厚度方向的氧化锡浓度的最大值为6重量%～12重量%。此外，多晶层（3）的总厚度为10nm～35nm，构成多晶层（3）的晶粒的最大尺寸的平均值为380nm～730nm。
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公开(公告)号：CN102737848A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210105777.5
申请日：2012-04-11
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01G9/2077 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , H01G9/2095 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供染料敏化型太阳能电池及用于其的密封材料。其中带透明导电电极层(5)的对电极侧基板(1)与具有透明导电电极层(5′)的工作电极侧基板(1′)在使两电极层(5，5′)为内侧的状态下对向配置，一对基板(1，1′)间的空隙被配置于这些基板内侧面周缘部的密封材料(4)密封，在密封的空隙内封入电解质溶液(6)。两基板(1，1′)由高分子树脂材料形成，在基板(1，1′)和电极层(5，5′)之间分别配置无机层(2，2′)，(3，3′)，密封材料4由以特定氢化弹性体衍生物为必要成分的光聚合性组合物(A)的固化物形成，与密封材料(4)接触的无机层(3，3′)的部分被(甲基)丙烯酰氧基烷基硅烷类硅烷偶联剂被覆。
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