公开(公告)号：CN1758430A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510102531.2

申请日：2005-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 沼田英夫 ,  江泽弘和 ,  田窪知章 ,  高桥健司 ,  青木秀夫 ,  原田享 ,  金子尚史 ,  池上浩 ,  松尾美惠 ,  大村一郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明的半导体器件，具备：具有贯通孔的半导体基板；在上述贯通孔的内面上形成的第1绝缘树脂层；在上述半导体基板的表背面中的至少一方的面上形成的第2绝缘树脂层；以及在上述贯通孔内以至少把上述半导体基板的表背两面间连接起来的方式连续地形成，而且，已借助于上述第1绝缘树脂层与上述贯通孔的内面绝缘的第1导电体层。在第2绝缘树脂层上，可以具备已与贯通孔内的第1导电体层电连的第2导电体层(布线图形)。可以得到在贯通孔内形成、构成连接插塞等的导电体层的绝缘可靠性高，适合于多芯片封装体等的半导体器件。连接半导体基板的表背间的导电体层和绝缘层的形成性高，可以削减形成成本。

公开(公告)号：CN1638606A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101778.8

申请日：2004-12-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 ,  青木秀夫 ,  田窪知章

IPC: H05K3/12 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K3/207 ,  G03G15/224 ,  G03G15/225 ,  G03G15/6585 ,  G03G15/6591 ,  H05K3/1266 ,  H05K3/246 ,  H05K3/4664 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2203/0517

Abstract: 按照本发明的一个形态，提供下述的电子电路的制造方法：以堆叠树脂层的方式反复进行多次树脂层形成工序，在基体构件上形成全部的上述树脂层一体化了的、具有预定的厚度的树脂层，上述的树脂层形成工序具备下述工序：使感光体的表面带电的工序；在已带电的感光体的表面上形成预定的图形的静电潜像的工序；在形成了上述静电潜像的上述感光体的表面上以静电的方式附着由树脂构成的荷电粒子以形成可视像的工序；将在上述感光体的表面上形成的由上述荷电粒子构成的可视像复制到基体构件上的工序；以及使已复制到上述基体构件上的上述可视像在上述基体构件上进行定影从而在上述基体构件上形成树脂层的工序。

公开(公告)号：CN1449010A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03108392.7

申请日：2003-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口直子 ,  杉崎吉昭 ,  青木秀夫 ,  平冈俊郎 ,  堀田康之 ,  青竹茂 ,  泽登美纱

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2886 ,  G01R31/2863

Abstract: 提供能够保持良好的电接触来进行具有微细电极构造的被测试电子部件的测试的半导体测试装置、半导体器件测试用接触基板、半导体器件的测试方法及半导体器件的制造方法。该半导体测试装置包括：测试电路(13)，将测试信号输入输出到被测试电子部件；测试信号布线(12)，与该测试电路电连接；接触基板(5)，与被测试电子部件的电极电连接，配有传送测试信号的导电通路(6)，设置有用绝缘性材料形成的、有上表面和下表面的至少一个以上的通孔；多层布线基板(7)，与导电通路和测试信号布线电连接，配置有在接触基板的下表面上的至少一个以上的通孔(9)；以及吸附机构(11)，吸附并保持被测试电子部件、接触基板、以及多层布线基板。