公开(公告)号：CN1943014A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011103.7

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北添牧子 ,  大园修司 ,  伊藤博巳 ,  斋藤一也 ,  浅利伸

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供不将催化体加热到2000℃以上，抑制清洁气引起的催化体腐蚀劣化，在低成本下进行实用的清洁速度和良好的清洁的自洁式催化化学蒸镀装置。使从加热电源6和该加热电源6的各端子6a、6b间向反应容器2内的催化体4通入恒电流的导线5a、5b与反应容器2为电绝缘的状态，在已排气的反应容器2内导入含有卤素元素的清洁气，通过从加热电源6通电加热催化体4，使通过该加热而生成的活性种与附着在反应容器2内的附着膜反应而除去附着膜，此时，从恒压电源8以适当的极性在加热电源6的导线5b上外加适当值的直流偏压。

公开(公告)号：CN118056489A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202280066382.0

申请日：2022-08-04

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 富永淳二 ,  宫田典幸 ,  浅沼周太郎 ,  宫口有典 ,  斋藤一也 ,  神保武人 ,  堀田和正 ,  増田健

IPC: H10N70/20 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明提供一种制造效率优异的结晶化积层结构体的制造方法。本发明的特征在于包括：积层结构体形成步骤，于包括室温的小于100℃的温度下实施，且将积层结构体7形成于对结晶化时的Sb2Te3层5及GeTe层6赋予共通的晶轴的配向控制层4上，所述积层结构体7积层有厚度为2nm～10nm的Sb2Te3层5与厚度超过0nm且为4nm以下的GeTe层6，并且于GeTe层6中以0.05at％～10.0at％的含量包含微量添加元素(S、Se)；Sb2Te3层结晶化步骤，于100℃以上且小于170℃的第1结晶化温度下对积层结构体7进行加热并保持，使Sb2Te3层5结晶化；及GeTe层结晶化步骤，于170℃以上400℃以下的第2结晶化温度下对Sb2Te3层5已结晶化的积层结构体7进行加热并保持，使GeTe层6结晶化。

公开(公告)号：CN114381693A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110967499.3

申请日：2021-08-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北泽僚也 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/04

Abstract: 本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43)，容器具有排放部(44)，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a，44a，44b)上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。

公开(公告)号：CN109415800B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201780039108.3

申请日：2017-07-19

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 北泽僚也 ,  中村寿充 ,  朝比奈伸一 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/24

Abstract: 本发明提供一种可尽量减少粒子的影响的所谓向下沉积方式的真空蒸镀装置。其具有配置在真空室(1)内的蒸镀源(3)，蒸镀源具有容置蒸镀物质(Vm)的容置箱(31)和加热蒸镀物质使其升华或气化的加热装置(33)；容置箱中设置有升华或气化了的蒸镀物质的喷出部(32)，喷出部相对于真空室内的被成膜物(S)位于垂直方向上方，喷出部具有相对于垂直方向斜向下的喷出口(32b)，从该喷出口向被成膜物喷出蒸镀物质，容置箱偏移设置在远离被成膜物的端部的位置上。

公开(公告)号：CN107636192B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201680031933.4

申请日：2016-06-07

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 加藤裕子 ,  矢岛贵浩 ,  远山佳宏 ,  青代信 ,  清健介 ,  高桥明久 ,  斋藤一也

IPC: C23C14/24 ,  B05D1/32 ,  B05D3/06 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12

Abstract: 本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。

公开(公告)号：CN108149226A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711278236.1

申请日：2017-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山田龙藏 ,  太田淳 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/503 ,  C23C16/4586

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。

公开(公告)号：CN102171455B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980138585.0

申请日：2009-11-12

Applicant: 爱发科低温泵株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 小室拓 ,  增田行男 ,  降矢新治 ,  斋藤一也 ,  大园修司 ,  浅利伸

IPC: F04B37/16 ,  F04B37/08 ,  F04B37/18

CPC classification number: F04B37/08 ,  F04B37/18

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制臭氧在低温泵中的存留的真空排气装置、真空处理装置以及真空排气方法。为达到上述目的，本发明的一个实施方式的真空排气装置(1)包括：真空处理用的处理室(11)泵单元，该泵单元具有冷捕集器(161)与排气通路(13A)，所述冷捕集器(161)能够捕集排出气体，所述排气通路(13A)用于将所述排出气体从所述处理室(11)导向所述冷捕集器(161)；加热单元(20)，其使从所述处理室(11)流向所述冷捕集器(161)的所述排出气体中含有的臭氧在所述排气通路(13A)中产生热分解。

公开(公告)号：CN101098981B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200680001884.6

申请日：2006-05-10

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 广野贵启 ,  多田勋 ,  中塚笃 ,  菊池正志 ,  小形英之 ,  川村裕明 ,  斋藤一也 ,  佐藤昌敏

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3277 ,  B08B7/00 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/46 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32009

Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。

公开(公告)号：CN101567392A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141769.4

申请日：2005-04-25

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 若松贞次 ,  菊池亨 ,  桥本征典 ,  仓田敬臣 ,  浅利伸 ,  斋藤一也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种在确保良好的生产性同时又具有优良特性和高可靠性的栅绝缘层的薄膜晶体管。本发明提供的薄膜晶体管，包括：在基板(9)上含有源区(17)、沟道区(18)、漏区(19)的有源层(11)，栅电极层(16)，以及在有源层(11)和栅电极层(16)之间所形成的栅绝缘层(15)的薄膜晶体管，栅绝缘层(15)由在有源层(11)一侧形成的第1氧化硅膜(12)、在栅电极层(16)一侧形成的第2氧化硅膜(14)，和在第1氧化硅膜(12)与第2氧化硅膜(14)之间形成的氮化硅膜(13)而形成。

公开(公告)号：CN101427609A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780014739.6

申请日：2007-04-18

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 小松孝 ,  中村久三 ,  片桐弘明 ,  谷典明 ,  斋藤一也

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G09F9/40

CPC classification number: C09K11/565 ,  H01L27/3267 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105)，并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强，所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，可以从同一位置放射发光光线。