公开(公告)号：CN101454878A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780018998.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红红

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在0.5Pa以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在1200cm－1附近有C－F键的峰、在1600cm－1附近有C－N键的峰和在3300cm－1附近有C－H键的峰。

公开(公告)号：CN115440564A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210587398.8

申请日：2022-05-26

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 铃木大地 ,  森川泰宏 ,  土居谦太 ,  中村敏幸

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够控制谐振点的位置且能够使谐振点靠近线圈天线的输出端的等离子体处理装置。具备：ICP天线(21)，具备输入端(21I)和输出端(21O)；串联电路，通过将附加电感器(24)与可变电容器(25)串联连接而成；以及控制装置(33)，对可变电容器(25)的电容进行变更，输入端(21I)经由天线用匹配器(22)与天线用电源(23)连接，输出端(21O)与附加电感器(24)连接，附加电感器(24)经由可变电容器(25)与接地端连接。

公开(公告)号：CN114068320A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110879598.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 土居谦太 ,  作石敏幸 ,  中村敏幸 ,  森川泰宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种硅的干蚀刻方法。在本发明的硅的干蚀刻方法中，准备硅基板，形成在所述硅基板上具有开口的掩模图案，根据所述掩模图案，导入第一气体以在所述硅基板上形成沉积层，根据所述掩模图案，导入第二气体对所述硅基板进行干蚀刻处理以在所述硅基板的表面形成凹部图案，导入第三气体对所述硅基板进行灰化处理。

公开(公告)号：CN106463393A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201680001490.4

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 村山贵英 ,  森川泰宏 ,  作石敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J17/04 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/38 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2468 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/469

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：腔室，其内部能够进行减压，在所述内部能够对被处理体进行等离子体处理；平板状的第一电极，配设于所述腔室内，载置所述被处理体；第一高频电源，对所述第一电极施加第一频率的偏置电压；螺旋状的第二电极，配置于所述腔室外，以隔着形成所述腔室的上盖的石英板而与所述第一电极对置的方式配置；以及气体导入单元，将含有氟的工艺气体从在所述上盖或其附近配置的气体导入口导入到所述腔室内，针对所述第二电极，电连接有施加第二频率的交流电压的第二高频电源和施加比所述第二频率高的第三频率的交流电压的第三高频电源，同时施加两种交流电压。

公开(公告)号：CN101785088A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880102192.X

申请日：2008-08-05

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/30655 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/354 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子处理方法和等离子处理装置，其具有较高的保护膜覆盖性，而且具有良好的加工表面内均等性。用等离子将从靶材(31)中撞出的溅射粒子沉积在基板(W)的表面上时，会用等离子分解该溅射粒子，并生成活性物质之后将其沉积在基板表面上，由此可获得与等离子CVD加工类似的成膜状态，并可使其成为覆盖性高、加工表面内均等性良好的溅射成膜。尤其由于等离子源中使用了高频电场和磁中性环路(25)，所以可在磁场强度为0的区域高效地产生高密度等离子。通过随意调整磁中性环路的位置及大小，用该等离子可以实现加工表面内均等性较高的等离子处理。

公开(公告)号：CN100517595C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580021792.X

申请日：2005-06-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  林俊雄 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。