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公开(公告)号:CN110732944B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN201910645186.9
申请日:2019-07-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在晶片等基板的边缘部形成具有直角截面的阶梯形状的凹陷的研磨装置及研磨方法。研磨装置在基板(W)的边缘部形成阶梯形状的凹陷。研磨装置具备使基板(W)以旋转轴心CL为中心旋转该基板旋转装置(3);具有将研磨带(38)按压于基板(W)的边缘部的第一外周面(51a)的第一辊(51);以及具有与第一外周面(51a)接触的第二外周面(54a)的第二辊(54),第二辊(54)具有限制研磨带(38)向远离旋转轴心CL的方向的运动的带止挡面(75),带止挡面(75)位于第一外周面(51a)的半径方向外侧。
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公开(公告)号:CN110788740B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN201910708221.7
申请日:2019-08-01
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/304
Abstract: 本申请提供用于保持基板的顶环以及基板处理装置,顶环用于保持尺寸大的基板。根据一个实施方式,提供用于保持基板的顶环,该顶环具有:基板支承面;保持部件,该保持部件被配置为包围所述基板支承面的外周;以及保持器引导装置,该保持器引导装置以使保持部件能够在与所述基板支承面垂直的方向上位移的方式进行引导,并且以禁止保持部件在与所述基板支承面平行且远离所述基板支承面的方向上的位移的方式进行支承,保持器引导装置配置在将所述基板支承部包围的保持部件的内侧。
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公开(公告)号:CN107263304B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201710226920.9
申请日:2017-04-06
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/34 , B24B49/16 , B24B47/26 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种可将研磨负荷维持在适当范围内的研磨装置。研磨装置具备:用于将研磨器具(7)按压于基板(W)的按压构件(11);朝向基板保持部(1)上的基板(W)的规定的方向对按压构件(11)施力的致动器(25);可与按压构件(11)一体地移动的定位构件(31);限制按压构件(11)及定位构件(31)的移动的止动件(35);使止动件(35)向规定的方向移动的止动件移动机构(37);获得负荷反馈值的研磨负荷检测部(40、41),该负荷反馈值根据被施加于按压构件(11)的研磨负荷而改变;以及决定止动件(35)的移动速度的止动件速度决定部(43),该止动件(35)可使负荷反馈值在设定范围内。
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公开(公告)号:CN106041713A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610227568.6
申请日:2016-04-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供基板处理装置,能够使晶片等基板的中心高精度地对准基板台的轴心。基板处理装置具有:偏心检测部(60),取得基板W的中心从定心台(10)的轴心C1的偏心量和偏心方向;以及对准器(36、41、75),执行使定心台(10)移动及旋转直到定心台(10)上的基板W的中心位于处理台(20)的轴心C2上的定心动作。对准器(36、41、75)根据定心台(10)的轴心相对于处理台(20)的轴心的初始相对位置以及基板W的中心的偏心量和偏心方向来计算使定心台(10)移动的距离和使定心台(10)旋转的角度。
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公开(公告)号:CN1780794A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200480011640.7
申请日:2004-04-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明涉及从含有铜的各种废水中除去和回收金属例如铜的方法及设备。处理废水的方法包括在包括电渗析操作和电解沉积操作组合的铜处理步骤(10)中处理废水,以产生铜浓度降低的处理水(107),然后从该废水中回收铜。
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公开(公告)号:CN115066315B
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202180012587.6
申请日:2021-01-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor: 柏木诚
IPC: B24B41/047 , B24B21/00 , B24B21/08 , B24B21/16 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于用于将研磨具推压至晶片等基板的研磨头。此外,本发明关于用于以这样的研磨头研磨基板的研磨装置。研磨头(10)构成为具备:环状的弹性构件(40),该弹性构件用于相对于基板(W)推压研磨具(3);及按压具主体(43),该按压具主体具有经由弹性构件(40)相对于基板(W)推压研磨具(3)的按压面(44),按压面(44)具有第一嵌合槽(45),该第一嵌合槽供弹性构件(40)的第一部位(41)嵌合,第一部位(41)从按压面(44)突出,弹性构件(40)在弹性变形的状态下被挂在按压具主体(43),研磨头(10)通过第一部位(41),将研磨具(3)推压至基板(W)。
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公开(公告)号:CN118450967A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202280084657.3
申请日:2022-10-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor: 柏木诚
Abstract: 本发明涉及一种处理晶片等基板的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法使固定于包含基准轴(13a)和可动轴(13b)的偏心轴(13a、13b)的辊(11a、11b)接触具有凹槽(Nw)的基板(W)的周缘部,通过使辊(11a、11b)进行圆周运动,而使基板(W)进行旋转和圆周运动,进一步使处理器具(201)接触基板(W)来处理该基板(W)。在基板(W)处理中,基于检测凹槽(Nw)通过可动轴(13b)的情况的凹槽检测传感器(77)的测量值,算出基板(W)的旋转速度,在基板(W)的旋转速度超出相对于基板(W)的理论上的旋转速度所设定的容许范围时,发出警报。
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公开(公告)号:CN118176088A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202280067725.5
申请日:2022-10-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/30 , B24B37/32 , H01L21/683
Abstract: 无论基板的被吸附面的平坦度如何都能可靠地吸附基板。基板吸附构件(330)包含:多孔质构件(334),具有用于吸附基板(WF)的基板吸附面(334a)和与减压装置连通的减压部(334b);遮蔽构件(332),具有第一遮蔽构件(332‑1)和框状的第二遮蔽构件(332‑2),该第一遮蔽构件遮蔽多孔质构件(334)中与基板吸附面(334a)为相反侧的面(334c),该第二遮蔽构件遮蔽多孔质构件(334)的侧面(334d)的至少一部分;及框状的弹性密封构件(336),以将多孔质构件(334)包围的方式安装于第二遮蔽构件(332‑2),并具有与基板(WF)接触的接触面(336a)。
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