-
公开(公告)号：CN103402161B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310307946.8
申请日：2013-07-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微硅麦克风及其制作方法，包括具有正面和背面的衬底、贯通衬底的背腔、设置在衬底的正面且作为硅麦克风两极板的背板和振动体、以及形成在背板和振动体之间的振动空间，背板通过窄槽将其分割形成中心部和围设在中心部外围的外围部，中心部和外围部上设置有若干声孔，中心部和外围部通过绝缘连接部连接，微硅麦克风还包括分别与背板的中心部和外围部电性连接的第一信号部和第二信号部、以及与振动体电性连接的第三信号部，该微硅麦克风实现探测两种不同声压范围的信号，有效的避免信号失真，且具有体积小的优点，而相对制作工艺来说，由于，在制作的过程中，采用常规工艺加工实现，所以，其制作方法简单。
-
公开(公告)号：CN109809355B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201910166629.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成若干间隔排列的第一孔；进行第一热处理，使得若干所述第一孔合并成悬空的第一真空腔；形成与所述第一真空腔连通的沟槽以及由所述沟槽环绕的感应本体。该方法简化了压力传感器的制造工艺。同时制备的压力传感器，其感压薄膜受外界应力的影响较小。
-
公开(公告)号：CN119063897A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565093.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种基于MEMS工艺的六维力传感器，包括力传感器芯片，所述力传感器芯片包括位于所述力传感器芯片中心位置的质量块，以及连接所述质量块与芯片外框的弹性梁；所述弹性梁上设置有力敏电阻；底部结构，设置在垂直于所述力传感器芯片表面的方向，用于容纳所述力传感器芯片；顶部结构，位于所述力传感器芯片一侧，通过中间结构连接所述力传感器芯片。
-
公开(公告)号：CN118882901A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411375360.X
申请日：2024-09-30
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例公开了一种六轴力传感器及其制造方法，其中六轴力传感器包括：受力块；支撑框架，支撑框架围绕受力块，且受力块与支撑框架之间具有间隙；多组弹性件，多组弹性件设于间隙内，并分别与受力块和支撑框架连接，多组弹性件将间隙分隔成多个第一形变腔；若干力敏电阻，若干力敏电阻设置在弹性件中，以构成六组惠斯通电桥，分别用于测量第一力、第二力、第三力、第一力矩、第二力矩以及第三力矩；每组弹性件包括一对间隔设置的弹性梁；任意一对弹性梁与受力块和支撑框架围合成第二形变腔。根据本申请，其双弹性梁结构为力敏电阻提供了可布置的空间，实现了测量力、力矩与非测量力、力矩间的自解耦，提高了本申请的六轴力传感器的精准性。
-
公开(公告)号：CN118425559B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410888184.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P1/00
Abstract: 本申请的实施例公开了一种加速度传感器结构及其制造方法、加速度传感器，其中加速度传感器结构包括：衬底层；结构层，其设置在衬底层的一侧，结构层包括支撑框架部和活动质量块，所示支撑框架部与活动质量块相分离；支撑结构，其支撑连接支撑框架部和衬底层，支撑框架部包括依次层叠的支撑牺牲部、支撑保护部和支撑绝缘部；在衬底层的厚度方向上，支撑绝缘部以及支撑保护部的正投影均与活动质量块的正投影相交叠。根据本申请，其在支撑结构中增加了支撑保护部，以扩大导电层对支撑绝缘部的保护面积，减少了绝缘层在释放工艺中被释放的面积，进而避免了用以支撑连接电极的绝缘层被过渡刻蚀而影响电极的固定效果，提高产品的稳定性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118684187A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411159728.9
申请日：2024-08-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明的公开了一种压力传感器及其制造方法，其中制造方法包括：在衬底的一侧表面形成重掺杂区域，在重掺杂区域刻蚀多个孔，相邻的孔之间具有柱状凸部，在柱状凸部和重掺杂区域之间形成空腔，在重掺杂区域所在的衬底的一侧表面制作外延结构，在外延结构上制作第一环槽并填充第一环槽，制作绝缘结构，制作电连接结构。位于第一环槽内的外延结构形成压力传感器的可动极板，位于重掺杂区域中且与可动极板相对的衬底形成压力传感器的固定极板。本申请通过在衬底的一侧表面制作重掺杂区域，并在重掺杂区域刻蚀多个孔，相较于利用牺牲层工艺形成可变电容和利用键合工艺制造可变电容，本申请工艺简单，且成本较低。
-
公开(公告)号：CN117842926A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410258763.X
申请日：2024-03-07
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备，其中，所述微差压传感器包括MEMS芯片，MEMS芯片包括以层叠方式设置的基底、振膜以及背极板，背极板包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，第一电极区域构成第一电极，第二电极区域构成第二电极，振膜构成第三电极，第一电极与第三电极构成第一电容，第二电极与第三电极构成第二电容；通过第一电连接端向第一电极施加电压激励信号或者高电压信号等方式，驱使振膜产生形变，以改变振膜和背极板之间的间距，来模仿加气流检测；然后通过第三电连接端输出感测到的所述第二电容的变化量，以根据第一预设阈值确定MEMS芯片是否处于劣化状态。
-
公开(公告)号：CN117246973A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311536537.5
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种微机电压力传感器及其制备方法。微机电压力传感器，包括：第一衬底；压敏感应组件，压敏感应组件位于第一衬底的一侧；压敏感应组件包括压敏电阻；介质层，介质层位于压敏感应组件背离第一衬底的一侧；第二衬底，第二衬底的一侧开设有凹槽；其中，介质层与第二衬底具有所凹槽的一侧贴合以围合成密闭腔体，腔体在第一衬底的正投影覆盖压敏电阻在第一衬底的正投影。本申请通过使介质层与第二衬底具有凹槽的一侧贴合以形成密闭腔体，具有封装尺寸小、制作工序简单等优势。
-
公开(公告)号：CN107892268B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201711113454.X
申请日：2017-11-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，所述压力传感器包括：衬底；收容腔，位于所述衬底内，包括底壁和侧壁；感应本体，悬浮于所述收容腔内，所述感应本体与所述收容腔侧壁之间具有深槽，所述感应本体与收容腔底壁之间具有与所述深槽连通的第一腔体，且所述感应本体与收容腔侧壁之间通过位于所述深槽内的悬梁固定连接；所述感应本体包括：半导体层、位于所述半导体层表面的介质层、贯穿所述介质层至半导体层内的密闭的第二腔体、覆盖所述介质层和第二腔体的器件层，所述器件层表面具有压阻条。上述压力传感器具有应力释放结构，可靠性高。
-
公开(公告)号：CN114094975A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111452381.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种体声波谐振器，包括：衬底，其中所述衬底包括空腔，所述空腔开口位于所述衬底上表面，所述空腔底部被所述衬底封闭；位于所述衬。底和所述空腔上方的压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上表面的两组相互交错的叉指电极。本申请还涉及一种体声波谐振器的制备方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
161
records
(took 0.067 seconds)
