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公开(公告)号：KR1020170119906A
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020160048170
申请日：2016-04-20
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/36 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은 GaN 발광다이오드소자를제공한다. 이 GaN 발광다이오드소자는사파이어기판; 상기사파이어기판상에적층된 n형 GaN 층; 상기 n형 GaN 층상에적층된활성층; 상기활성층에적층된 p형 GaN층; 상기 p형 GaN층상에적층된투명전도성금속산화물을포함하는전류퍼짐층; 상기전류퍼짐층상에형성된상부전극패턴; 및상기상부전극패턴상에형성된상부전극패드를포함한다. 상기상부전극패턴은차례로적층된제1 상부전극패턴및 제2 상부전극패턴을포함하고, 상기제1 상부전극패턴은적층된은(Ag) 또는은 합금박막이고, 상기제2 상부전극패턴은투명전도성금속산화물박막을포함하고, 상기상부전극패턴과상기전류퍼짐층은청색또는녹색영역에서 85 퍼센트이상의투과도를가지는광학필터로동작한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种GaN发光二极管器件。 GaN发光二极管器件包括蓝宝石衬底; 堆叠在蓝宝石衬底上的n型GaN层; 堆叠在n型GaN层上的有源层; 堆叠在有源层上的p型GaN层; 包括堆叠在所述p型GaN层上的透明导电金属氧化物的电流扩展层; 形成在电流扩展层上的上电极图案; 并且在上电极图案上形成上电极焊盘。 上电极图案具有第一顶电极图案和所述第二包括顶部电极图案和所述第一顶电极图案被沉积银（Ag）或银合金薄膜，所述第二上部电极图案依次堆叠的透明 其中上电极图案和电流扩展层用作在蓝色或绿色区域中具有85％或更大的透射率的光学滤波器。
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公开(公告)号：KR101616230B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020150138142
申请日：2015-09-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: p형반도체층상에형성된전극구조체는, 상기 p형반도체층에형성되며, 금속베이스와확산물질을포함하는금속베이스반사층, 상기금속베이스반사층의상부에형성되며, 금속으로이루어진금속전극, 상기금속베이스반사층및 상기금속전극사이에개재되며, 상기금속베이스반사층을열처리하여상기확산물질이상기 p형반도체층내에확산되어상기 p형반도체층내에어셉터로서기능시키는열처리공정중 상기확산물질이상기금속전극을향하여확산되는것을억제하는확산억제막을포함한다.
Abstract translation: 形成在p型半导体层上的电极结构包括：形成在p型半导体层上并包含金属基底和扩散物质的金属基底反射层; 金属电极，形成在金属基底反射层的上部并由金属制成; 以及插入在金属基底反射层和金属电极之间的扩散抑制膜，并且在通过加热处理金属基底反射层的热处理过程中抑制扩散材料向金属电极扩散，以使扩散材料为 扩散到p型半导体层中并用作p型半导体层中的适配器。
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公开(公告)号：KR20180031945A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR20160120447
申请日：2016-09-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 본발명은박막트랜지스터에관한것으로, 본발명의실시예에따른박막트랜지스터는기판(10), 기판(10) 상에적층형성되는게이트전극(20), 게이트전극(20)의상부에형성되는게이트절연층(30), 게이트절연층(30)의상부에, 산화물반도체가배치되어형성되는채널층(40), 채널층(40) 상에, 굴절률이서로다른다수의물질이층(layer)를형성하며, 교대로번갈아적층되는패시베이션층(50), 채널층(40)의일측에접촉되는소스전극(60), 및채널층(40)의타측에접촉되는드레인전극(70)을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的薄膜晶体管包括基板10，层叠在基板10上的栅电极20，形成在栅电极20上的栅电极20， 在绝缘层30和栅极绝缘层30上的沟道层40和其中设置氧化物半导体的沟道层40上形成具有不同折射率的多种材料， 并且包括交替地交替堆叠的钝化层50，接触沟道层40的侧面的源电极60以及接触沟道层40的底面的漏电极70。
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公开(公告)号：KR101818339B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020160053347
申请日：2016-04-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/02 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/786
Abstract: 본발명은산화물박막트렌지스터를제공한다. 이산화물박막트렌지스터는기판; 상기기판에서제1 방향으로연장되는게이트전극; 상기게이트전극상에배치되고상기게이트전극을가로지르도록배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되고상기게이트전극의양측에서상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장되는산화물반도체층; 상기산화물반도체층상에배치되고상기게이트전극을중심으로서로이격되어배치되는소오스전극및 드레인전극; 및상기소오스전극과상기드렌인전극사이의노출된산화물반도체층상에배치되는보호층을포함한다. 상기보호층은절연체로구성된하부보호층; 상기하부보호층상에배치된금속나노구조체; 및절연체로구성되고상기금속나노구조체상에배치된상부보호층을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101803647B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020160068320
申请日：2016-06-01
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: p-type 반도체층구조물은, p-type 반도체층, 상기 p-type 반도체층상에구비되며, 상호교차하는금속패턴들및 상기금속패턴들과상기 p-type 반도체층사이에상기금속패턴들을따라개재되며상기금속패턴들과오믹컨택을형성하는오믹컨택패턴들을구비하는전극구조물및 상기전극구조물을덮도록구비된광반사구조물을포함한다. 이로써, 오믹컨택특성및 광추출효율이개선될수 있다.
Abstract translation: 在p型半导体层上和p型半导体层上设置p型半导体层结构，在该金属图案和p型半导体层之间夹着p型半导体层结构， 一种具有用于形成金属图案和欧姆接触的欧姆接触图案的电极结构以及覆盖电极结构的光反射结构。 结果，可以改善欧姆接触特性和光提取效率。
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公开(公告)号：KR101745090B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020150071121
申请日：2015-05-21
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L41/187 , H01L41/39 , C01G23/04
Abstract: 무연압전체박막구조물의제조방법에있어서, 챔버내에배치된척 상에기판을장착하고, 척과마주보도록세라믹타겟을배치한다. 이후, 세라믹타겟을이용하여기판상에무연압전체박막을형성한다. 여기서, 세라믹타겟은, (1-y)mol%(NaK)NbO+ ymol% 산화물 (CaTiO또는 BaTiO) (x는 0≤x≤1, y는 0
Abstract translation: 在无铅压电薄膜结构体的制造方法中，将基板安装在配置在腔室内的卡盘上，并且以与卡盘相对的方式配置陶瓷靶。 之后，通过使用陶瓷靶在衬底上形成无铅压电薄膜。 在此，陶瓷靶的组成式为（1-y）摩尔％（NaK）NbO + y摩尔％氧化物（CaTiO或BaTiO），其中x为0≤X≤1且y为0
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公开(公告)号：KR1020170047990A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020150148792
申请日：2015-10-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: n형질화물계발광소자는투명기판, 상기투명기판상에형성되고, 진입하는광을반사시키는반사성 p형오믹컨택전극체, 상기오믹컨택전극체상에형성된 p형질화물계클래드층, 상기 p형질화물계클래드층에마주보도록형성된 n형질화물계클래드층, 상기클래드층들사이에개재된질화물계활성층및 상기 n형질화물계클래드층상에형성되고, 주석박막/알루미늄박막을갖는다층박막구조로이루어진 n형전극체를포함한다.
Abstract translation: n型氮化物开发光学器件形成在透明基板上的透明基板，形成在入口光反射的反射p型欧姆接触电极体，向其中欧姆接触电极chesang p中基于氮化物的覆层，对货物系统等离子体 n型氮化物形成为与在包层基于层的包覆层彼此，所述夹之间的基于氮化物的活性层的包覆层和形成转染的基于存储N覆层上并具有锡薄膜/铝薄膜组成的多层薄膜结构，n型 和一个电极体。
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公开(公告)号：KR101886337B1
公开(公告)日：2018-08-09
申请号：KR1020160123713
申请日：2016-09-27
Applicant: 한국식품연구원 , 고려대학교 산학협력단 , 대상 주식회사
IPC: A61K35/747 , A23L33/135 , A01N63/02 , C11D3/48 , A23K10/18
Abstract: 본발명은락토바실러스플란타륨을유효성분으로함유하는인플루엔자바이러스에대한항바이러스용약학조성물에관한것이다. 보다구체적으로는, 본발명의락토바실러스플란타륨 DSR M2는인플루엔자바이러스에대한항바이러스활성이우수하므로, 이를유효성분으로함유하는약학적조성물은인플루엔자바이러스감염에의해발병되는독감, 감기, 인후염, 기관지염, 폐렴, 조류독감, 돼지독감, 염소독감등의예방또는치료용으로유용하게사용될수 있다. 또한, 상기의항바이러스활성을나타내는락토바실러스플란타륨 DSR M2는음료, 발효식품, 건강기능식품등과식품조성물, 식품첨가제조성물, 사료조성물또는사료첨가제조성물등에유용하게활용될수 있다.
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30.发明公开락토바실러스 플란타륨 DSR M2를 유효성분으로 함유하는 인플루엔자 바이러스에 대한 항바이러스용 조성물 有权DSR M2抗病毒药剂组合物的流感病毒，其包含植物乳杆菌DSR M2作为活性物质
公开(公告)号：KR20180033912A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR20160123713
申请日：2016-09-27
Applicant: 한국식품연구원 , 고려대학교 산학협력단 , 대상 주식회사
IPC: A61K35/747 , A01N63/02 , A23K10/18 , A23L33/135 , C11D3/48
CPC classification number: A61K35/747 , A01N63/02 , A23K10/18 , A23L33/135 , A23V2002/00 , A23V2200/3204 , C11D3/48 , Y10S514/849
Abstract: 본발명은락토바실러스플란타륨을유효성분으로함유하는인플루엔자바이러스에대한항바이러스용약학조성물에관한것이다. 보다구체적으로는, 본발명의락토바실러스플란타륨 DSR M2는인플루엔자바이러스에대한항바이러스활성이우수하므로, 이를유효성분으로함유하는약학적조성물은인플루엔자바이러스감염에의해발병되는독감, 감기, 인후염, 기관지염, 폐렴, 조류독감, 돼지독감, 염소독감등의예방또는치료용으로유용하게사용될수 있다. 또한, 상기의항바이러스활성을나타내는락토바실러스플란타륨 DSR M2는음료, 발효식품, 건강기능식품등과식품조성물, 식품첨가제조성물, 사료조성물또는사료첨가제조성물등에유용하게활용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于抗流感病毒的含有植物乳杆菌作为活性成分的抗病毒药物组合物。 更具体地，因为乳杆菌植物内体积DSR M2本发明yiwoosu针对流感病毒，该药物组合物流感，感冒，咽喉痛，支气管炎这是由流感病毒引起的感染，其包括作为活性成分的抗病毒活性的 ，肺炎，禽流感，猪流感，叶绿素等。 此外，表示乳杆菌植物内体积DSR M2的抗病毒活性可以是有用的采取的这种饮料，发酵食品，膳食补充剂作为食品组合物，食品添加剂组合物，饲料组合物的优势或饲料添加剂组合物。
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