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公开(公告)号：KR101896759B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160057961
申请日：2016-05-12
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/108 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC classification number: G11C14/0018 , G11C11/39 , G11C11/404 , G11C11/5628 , G11C11/5671 , H01L27/0817 , H01L27/1027 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L29/513 , H01L29/7391
Abstract: 본발명은메모리소자, 그동작방법, 및그 제조방법을제공한다. 이메모리소자는기판상에서수직으로연장되고차례로제1 도전형의소오스영역, 진성영역, 및제2 도전형의드레인영역을포함하는반도체컬럼; 상기드레인영역에인접하여상기진성영역을감싸도록배치된제1 게이트전극; 상기제1 게이트전극과이격되고상기소오스영역에인접하여상기진성영역을감싸도록배치된제2 게이트전극; 상기제1 게이트전극과상기진성영역사이에배치된제1 게이트절연막; 및상기제2 게이트전극과상기진성영역사이에배치된제2 게이트절연막을포함한다.
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公开(公告)号：KR20180050193A
公开(公告)日：2018-05-14
申请号：KR20170027510
申请日：2017-03-03
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: A61H1/0266 , A61H1/0218 , A61H9/0078 , A61H2001/027 , A61H2201/1215 , A61H2201/164 , A61H2205/12
Abstract: 일실시예에따른족부스트레칭장치는, 신체의종아리부위가지지되는지지플레이트; 상기지지플레이트의일단에회동가능하게결합되며, 발바닥부위가지지되는회동플레이트; 및상기회동플레이트의일면에구비되어공기주입에의해팽창되는복수개의에어패드;를포함하고, 상기복수개의에어패드에주입되는공기패턴에의해발목스트레칭이조절될수 있다.
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公开(公告)号：KR101835231B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160123410
申请日：2016-09-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/11 , H01L21/8238 , H01L21/8228 , H01L27/092 , H01L29/66
CPC classification number: H01L27/11807 , G06N3/02 , G06N3/063 , G11C11/39 , G11C11/54 , H01L27/1052 , H01L27/10802 , H01L27/1104 , H01L29/66 , H01L29/7391 , H01L2027/11838 , H01L2027/11875 , H01L21/8228 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 본발명은반도체소자를제공한다. 이반도체소자는제1 도전형의제1 도전영역, 제2 도전형의제2 도전영역, 상기제1 도전영역과상기제2 도전영역사이에배치된진성영역, 및상기진성영역과상기제2 도전영역사이에배치된제1 도전형의장벽영역을포함하는반도체컬럼; 상기진성영역을감싸도록배치된게이트전극; 및상기게이트전극과상기진성영역사이에배치된게이트절연막을포함한다. 상기게이트에인가되는게이트전압과상기드레인에인가되는드레인전압에따라스위치또는휘발성메모리로동작한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件。 离子导体元件包括第一导电类型的第一导电区域，第二导电类型的第二导电区域，设置在第一导电区域和第二导电区域之间的本征区域， 半导体柱，包括设置在所述导电区之间的第一导电类型的势垒区; 栅电极，被布置为围绕本征区; 并且栅极绝缘膜设置在栅极电极和本征区域之间。 并根据施加到栅极的栅极电压和施加到漏极的漏极电压作为开关或易失性存储器进行操作。
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公开(公告)号：KR101804666B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020160042424
申请日：2016-04-06
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L27/102 , H01L27/08 , H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/08 , H01L27/102 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 본발명은메모리소자, 그동작방법, 및그 제조방법을제공한다. 이메모리소자는기판상에서수직으로연장되고차례로제1 도전형의소오스영역, 제2 도전형의드레인영역, 상기소오스영역과상기드레인영역사이에배치된진성영역, 및상기진성영역과상기드레인영역사이에배치된제1 도전형의장벽영역을포함하는반도체컬럼; 상기진성영역을감싸도록배치된게이트전극; 및상기게이트전극과상기진성영역사이에배치된게이트절연막을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160019151A
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020140103160
申请日：2014-08-11
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02601 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/66356 , H01L29/66439 , H01L29/7391 , H01L2924/13061 , H01L29/783 , H01L29/7833
Abstract: 반도체소자및 반도체소자제조방법이개시된다. 반도체소자는, 절연성기판, 절연성기판상에형성된, 양단이각각 p형과 n형으로도핑되고도핑된영역사이는도핑되지않은진성인반도체나노와이어, 반도체나노와이어의 p형도핑영역과 n형도핑영역상에각각형성된도핑영역전극, 반도체나노와이어의진성영역상에형성된하부절연막, 하부절연막상의일부영역에형성된진성영역전극, 및하부절연막상에서, 진성영역전극과도핑영역전극들사이에각각전극들과이격되어형성된금속또는반도체나노입자영역을포함한다. 이와같은구성에의하면, 소스와드레인의기생저항이작으면서도우수한정전기적제어효과를가지는나노와이어를이용한트랜지스터소자를제공할수 있게된다. 또한, 미세크기를가지면서도단채널효과를극복하고낮은문턱전압이하의기울기값을가질수 있는구조의나노와이어를이용한트랜지스터소자를제공할수 있게된다.
Abstract translation: 公开了半导体部件和半导体部件的制造方法。 半导体部件包括：绝缘基板; 形成在绝缘基板上的半导体纳米线，其每端被掺杂为p型和n型，并且其掺杂区域之间的区域是固有的; 掺杂区电极分别形成在p型掺杂区域和半导体纳米线的n型掺杂区域上; 形成在半导体纳米线的本征区上的下绝缘膜; 形成在下绝缘膜的一部分上的本征区电极; 以及金属或半导体纳米颗粒区域，其形成在本征区域电极和距离电极的距离处的下部绝缘膜上的掺杂区域电极之间。 根据上述结构，本发明能够提供一种使用在源极和漏极之间具有低寄生电阻的纳米线并且具有优异的静电控制效果的晶体管组件。 此外，可以使用具有能够减小尺寸，克服短沟道效应并且具有低于阈值电压的梯度的结构的纳米线来提供晶体管组件。
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Patent Agency Ranking26.发明公开기판 상의 인듐주석산화물 나노라드의 제조방법, 이를 통해 제조된 인듐주석산화물 나노라드 투명전극, 및 이를 이용한 소자 无效一种制造基板上形成的氧化铅纳米粒子的方法，该方法制造的氧化锡纳米光透明电极，以及使用该方法的装置
公开(公告)号：KR1020120054976A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116404
申请日：2010-11-22
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: H01B5/14
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing indium tin oxide nano rods on a substrate, an indium tin oxide nano rod transparent electrode, and a device using the same are provided to reduce manufacturing costs by not using expensive metal catalysts. CONSTITUTION: An ITO film is formed on a substrate by vaporizing indium and tin on a substrate. An ITO seed is formed by dissolving the ITO film. An ITO nano rod is grown on the ITO seed by vaporizing indium and tin with a vapor-solid method.
Abstract translation: 目的：提供一种在基板上制造铟锡氧化物纳米棒的方法，氧化铟锡纳米棒透明电极及使用其的装置，以通过不使用昂贵的金属催化剂来降低制造成本。 构成：通过在基板上蒸发铟和锡，在基板上形成ITO膜。 通过溶解ITO膜形成ITO种子。 通过汽相 - 锡法蒸发铟和锡，在ITO种子上生长ITO纳米棒。
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27.发明公开
公开(公告)号：KR1020120002225A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR1020100063000
申请日：2010-06-30
Applicant: 고려대학교 산학협력단 , 김대수
Abstract: PURPOSE: A method for preparing a bio material using coating of hydroxyapatite/zirconia composites and a bio material prepared by the same are provided to effectively form a hydroxyapatite/zirconia composite ceramic coating layer even in a short processing time and a low processing temperature by employing micro-arc oxidation. CONSTITUTION: A method for preparing a bio material using coating of hydroxyapatite/zirconia composites comprises steps of: forming electrolyte in an electrolytic cell from a mixed solution of KH_2PO_4, CaCl_2, and ZrCl_4, immersing a titanium anode and a metal cathode with a higher reduction potential than titanium in the electrolytic cell, applying electric current and voltage to the anode and cathode to generate arc discharge that creates plasma, and forming a hydroxyapatite/zirconia composite layer on the titanium surface from ion materials in the electrolytic cell by using the plasma.
Abstract translation: 目的：提供使用羟基磷灰石/氧化锆复合材料的涂层和由其制备的生物材料制备生物材料的方法，以便即使在短的加工时间和低的加工温度下也可以通过采用以下方式有效地形成羟基磷灰石/氧化锆复合陶瓷涂层 微弧氧化。 构成：使用羟基磷灰石/氧化锆复合材料的涂层制备生物材料的方法包括以下步骤：从KH_2PO_4，CaCl_2和ZrCl_4的混合溶液中在电解槽中形成电解质，将钛阳极和金属阴极浸入较高的还原 电解槽中的钛电位，向阳极和阴极施加电流和电压以产生产生等离子体的电弧放电，并通过使用等离子体从电解池中的离子材料在钛表面上形成羟基磷灰石/氧化锆复合层。
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公开(公告)号：KR100973931B1
公开(公告)日：2010-08-03
申请号：KR1020080019278
申请日：2008-02-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 산화아연 카드뮴셀레나이드/황화아연 제조 방법 및 이를 이용하여 형성한 혈당 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 먼저 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 합성하고, 클로로폼(chloroform)에 분산되어 있는 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점을 바이오 물질 검출에 응용하기 위해 극성 용매에 분산될 수 있는 리간드로 표면을 치환 시키고, 포도당 산화효소를 고정화 시키고 여기에 포도당을 떨어뜨려 그에 따른 카드뮴셀레나이드/황화아연 양자점의 발광이 증가하는 것으로 혈당치를 측정함으로써, 혈당 수치를 용이하게 측정할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020090093640A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080019278
申请日：2008-02-29
Applicant: 고려대학교 산학협력단
CPC classification number: C12Q1/26 , C09K11/54 , C12Q1/54 , C12Y101/03004 , G01N33/66
Abstract: A method for manufacturing of zinc oxide cadmium/zinc oxidase quantum is provided to easily bind with a bio material and improve the detection sensitivity of glucose concentration. A method for manufacturing cadmium selenide/zinc sulfide quantum dot comprises: a step of ionizing a cadmium to prepare a first solution; a step of ionizing selenium to make a second solution; a step of adding the second solution to make a third solution having cadmium selenide quantum dot; a step of ionizing zinc and sulfur to make a fourth solution; a step of adding the fourth solution in the third solution to prepare a fifth solution; a step of preparing sixth and seventh solution; and a step of adding n-hydroxysulfo-succinimide, 1-Ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl) carbodiimide and glucose oxidase to fix the glucose oxidase in the cadmium selenide/zinc sulfide quantum dot.
Abstract translation: 提供氧化锌镉/锌氧化酶量子的制造方法，容易与生物材料结合，提高葡萄糖浓度的检测灵敏度。 硒化镉/硫化锌量子点的制造方法包括：使镉离子化以制备第一溶液的步骤; 电离硒的步骤制成第二溶液; 添加第二溶液以制备具有硒化镉量子点的第三溶液的步骤; 电离锌和硫以制成第四溶液的步骤; 将第四溶液添加到第三溶液中以制备第五溶液的步骤; 制定第六和第七种解决方案的步骤; 以及添加正羟基磺基琥珀酰亚胺，1-乙基-3-（3-二甲基氨基丙基）碳二亚胺和葡萄糖氧化酶以将葡萄糖氧化酶固定在硒化镉/硫化锌量子点中的步骤。
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公开(公告)号：KR1020170014850A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108816
申请日：2015-07-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: C05F11/00
Abstract: 본발명은가시박분쇄물을포함하는비료조성물또는상기비료조성물의제조방법에관한것이다. 본발명의비료조성물은우수한질소화학비료대체제로서토양무기태질소의함량및 작물의생산성을증가시키는특성을가진다. 또한, 본발명의비료조성물은생태계교란식물인가시박을바이오매스로서활용하는방안을제시한점에서친환경적이다.
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