公开(公告)号：KR1020090083490A

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020097014511

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020090017622A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：KR1020087030964

申请日：2007-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76841

Abstract: A film forming apparatus is provided with a chamber which partitions a processing space for performing film forming process to a substrate; a stage arranged in the chamber for placing the substrate; a substrate heating means arranged on the stage for heating the substrate; a shower head which is arranged to face the stage and has many gas jetting holes; a gas supplying mechanism for supplying the chamber with a processing gas through the shower head; a cooling means arranged above the shower head for cooling the shower head; and a shower head heating means arranged above the cooling means for heating the shower head through the cooling means.

Abstract translation: 一种成膜装置设置有将用于进行成膜处理的处理空间分隔到基板的室; 布置在所述室中用于放置所述基板的台; 布置在台架上用于加热基板的基板加热装置; 淋浴头，其布置成面向舞台并具有许多气体喷射孔; 气体供给机构，用于通过所述喷淋头向所述室供给处理气体; 布置在淋浴喷头上方以冷却喷头的冷却装置; 以及布置在冷却装置上方的用于通过冷却装置加热淋浴喷头的淋浴头加热装置。

公开(公告)号：KR100676979B1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020057018178

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR100666040B1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：KR1020060011212

申请日：2006-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가케가와다카시

IPC: H01L21/205

Abstract: CVD 장치 등에 사용할 수 있는 가스 샤워 헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 제 1 가스가 흐르는 공급로와 제 2 가스가 흐르는 공간 사이의 밀봉을 확실히 실행한다.
가스 샤워 헤드의 상측 부분에 해당하는 베이스 부재의 예컨대 중앙부에, 제 1 가스용 상부 공급로를 이루는 가스 공급관을 접속해서 그 하단이 해당 베이스 부재의 하부측에 개방되도록 하고, 베이스 부재의 편심 위치에 가스의 확산 공간으로 개방되는 제 2 가스 공급로를 접속한다. 그리고 가스 샤워 헤드의 하측 부분에 해당하는 샤워 플레이트의 중앙부에 형성된 제 1 가스용 하부 공급로의 상부 측에 제 1 가스의 통로를 이루는 내측 파이프를 설치하고, 이 내측 파이프를 제 1 가스용 상부 공급로를 이루는 가스 공급관 내에 삽입하고, 내측 파이프와 상기 제 1 가스용 상부 공급로 사이에 수지제의 링 형상의 밀봉 부재를 개재시킨다.

公开(公告)号：KR1020070004126A

公开(公告)日：2007-01-05

申请号：KR1020067024611

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR101089977B1

公开(公告)日：2011-12-05

申请号：KR1020087030964

申请日：2007-06-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76841

Abstract: 본 발명은, 기판에 대하여 성막 처리를 실시하기 위한 처리 공간을 구획하는 챔버와, 상기 챔버내에 마련되어, 상기 기판을 탑재하기 위한 스테이지와, 상기 스테이지에 마련된 상기 기판을 가열하기 위한 기판용 가열 수단과, 상기 스테이지에 대향하여 마련된 다수의 가스 토출 구멍을 가지는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐서 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 상방에 마련된, 상기 샤워헤드를 냉각하는 냉각 수단과, 상기 냉각 수단의 상방에 마련된, 상기 냉각 수단을 거쳐서 상기 샤워헤드를 가열하는 샤워헤드용 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100138864A

公开(公告)日：2010-12-31

申请号：KR1020107007169

申请日：2009-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가케가와다카시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: B24C1/00 ,  B24C11/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: B24C1/00 ,  B24C1/003 ,  B24C1/06 ,  B24C11/00 ,  C23C16/0254

Abstract: 본 발명의 방법은, 샤워 헤드 및 처리 용기 등의 금속 모재(母材)의 표면에, 비승화성 재료로 이루어지는 블라스트재(예컨대 알루미나)를 이용하여 블라스트 처리를 행하는 제1 블라스트 공정과, 상기 제1 블라스트 공정이 행해진 상기 금속 모재의 표면에, 승화성 재료로 이루어지는 블라스트재(예컨대 드라이아이스)를 이용하여 블라스트 처리를 행하는 제2 블라스트 공정을 포함한다. 제1 블라스트 공정에 의해 금속 모재의 표면을 적절하게 거칠게 함으로써 성막 처리 중에 생긴 부착막의 박리를 발생시키기 어렵게 하여, 부착막에서 유래하는 파티클의 발생을 방지하고, 제2 블라스트 공정에 의해 금속 모재의 표면에 부착되어 있는 비승화성 블라스트재의 잔사를 거의 확실하게 제거하여, 금속 모재로부터 탈락되는 비승화성 블라스트재의 잔사에서 유래하는 파티클의 발생을 방지한다.

公开(公告)号：KR101004222B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020107011258

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR101004192B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020097014512

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100065403A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020107011259

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.