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公开(公告)号:KR101751200B1
公开(公告)日:2017-06-26
申请号:KR1020170054842
申请日:2017-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32201
Abstract: 마이크로파의파워손실이나이상방전을억제하면서균일한플라즈마를형성할수 있는마이크로파방사안테나, 마이크로파플라즈마원및 플라즈마처리장치를제공한다. 마이크로파전송로를따라전송된마이크로파를챔버내에방사하고, 표면파플라즈마를생성하기위한마이크로파방사안테나(45)로서, 도전체로이루어지는안테나본체(121)와, 안테나본체(121)에각각형성된처리가스도입구(124), 가스확산공간(123) 및복수의가스토출구멍(125)과, 안테나본체(121)에가스확산공간(123) 및가스토출구멍(125)과는분리된상태에서, 마이크로파전송로에대응해서복수형성된슬롯(122)과, 안테나본체(121)의마이크로파방사면측에슬롯형성영역을포함하도록환형상으로설치된환형상유전체부재(126)를갖는다.
Abstract translation: 它提供了一个微波功率损耗和微波炉辐射天线,同时抑制异常放电,可以形成均匀的等离子体,微波等离子体源和等离子体处理装置。 辐射沿腔室中的微波传输传输的微波,和一个微波辐射天线45用于产生表面波等离子体,分别形成在由导体制成,天线主体121,入口的天线主体121的工艺气体 124,气体扩散空间123和被分离,以及多个气体喷出孔125和气体扩散空间中的天线主体121,123和气体排出口125,一个微波传输 它具有安装成环形形状,以包括槽形成所述多个狭槽形成122和天线单元121对应于的微波辐射表面侧区域的环形介电元件(126)。
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公开(公告)号:KR101434054B1
公开(公告)日:2014-08-25
申请号:KR1020120149112
申请日:2012-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/6426 , H05B6/70 , H05B6/707 , H05B6/72 , H05B6/806
Abstract: 전력의 이용 효율 및 가열 효율에 우수하고, 피처리체에 대하여 균일한 처리를 실행할 수 있는 마이크로파 가열 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다. 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2)의 천장부(11)에서, 4개의 마이크로파 도입 포트(10)는, 각각, 그 장변과 단변이 4개의 측벽부(12A, 12B, 12C, 12D)의 내벽면에 평행해지고, 또한 서로 90° 각도를 변경한 회전 위치에 배치되어 있다. 각 마이크로파 도입 포트(10)는 각각의 장변에 수직인 방향으로 평행 이동시켰을 경우에, 평행한 장변을 갖는 다른 마이크로파 도입 포트(10)에 겹치지 않도록 배치되어 있다.
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公开(公告)号:KR101393949B1
公开(公告)日:2014-05-12
申请号:KR1020120021712
申请日:2012-03-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3222 , C23C16/274
Abstract: 균일한 표면파 플라즈마를 형성하는 것이 가능한 표면파 플라즈마 발생용 안테나 및 표면파 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 마이크로파 출력부로부터, 외측 도체와 내측 도체로 이루어지는 동축형상의 도파로를 통해 전송된 마이크로파를 챔버내에 방사하여, 챔버내에 표면파 플라즈마를 발생시키기 위한 표면파 플라즈마 발생용 안테나로서, 평면형상을 이루고 복수의 슬롯이 원주형상으로 형성되며, 또한, 원주 방향에 인접하는 슬롯과 슬롯의 이음매 부분에 있어서, 이들 슬롯이 직경 방향으로 중첩되어 있고, 그 이음매 부분이 슬롯으로 둘러싸인 상태로 되어 있다.
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公开(公告)号:KR101245430B1
公开(公告)日:2013-03-19
申请号:KR1020117000747
申请日:2009-07-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H05H1/46
Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하도록 마련되고 상기 처리 용기내에 처리가스를 공급하기 위한 다수의 가스 토출 구멍이 그 하면에 형성된 도전성 부재로 이루어지는 가스 샤워헤드와, 상기 가스 샤워헤드의 아래쪽 공간을 둘러싸는 영역에 유도 결합형 플라즈마를 발생시키기 위해 고주파 전류가 공급되는 유도 코일과, 상기 가스 샤워헤드에 부의 직류 전압을 인가해서 상기 유도 코일에 의해 유도되는 전계를 처리 영역의 중앙부측에 인입하기 위한 부전압 공급 수단과, 상기 처리 용기내를 진공 배기하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가다.
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公开(公告)号:KR101240842B1
公开(公告)日:2013-03-08
申请号:KR1020097001760
申请日:2007-07-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 가사이시게루
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32256
Abstract: 마이크로파 플라즈마원(2)은, 마이크로파를 복수로 분배한 상태로 출력하는 마이크로파 출력부(30)와, 복수로 분배된 마이크로파를 상기 챔버내로 유도하는 복수의 안테나 모듈(module)(41)을 구비하고, 각 안테나 모듈(41)은, 마이크로파를 증폭하는 앰프(amplifier)(47)를 가지는 앰프부(42)와, 증폭된 마이크로파를 챔버내에 방사하는 안테나(51)를 가지는 안테나부(44)와, 마이크로파의 전송로에 있어서의 임피던스(impedance) 조정을 실행하는 튜너(tuner)(43)를 구비하고, 튜너(43)는, 안테나부(44)와 일체로 마련되고, 앰프(47)에 근접하여 마련되어 있다.
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公开(公告)号:KR1020120030564A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:KR1020127001941
申请日:2010-07-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68792
Abstract: 본 발명은 피처리체에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리 장치에 있어서, 배기 가능하게 된 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 배치되어 상단측에서 상기 피처리체를 지지하는 비자성 재료로 이루어지는 회전 부상체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 소정의 간격으로 마련된 자성 재료로 이루어지는 복수의 회전 XY용 흡착체와, 상기 회전 부상체에 그 둘레방향을 따라 마련된 자성 재료로 이루어지는 링형상의 부상용 흡착체와, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 부상용 흡착체에 수직방향 위쪽을 향하는 자기 흡인력을 작용시켜 상기 회전 부상체의 기울기를 조정하면서 부상시키는 부상용 전자석군과, 상기 처리 용기의 외측에 마련되어 상기 회전 XY용 흡착체에 자기 흡인력을 작용시켜 상기 부상된 상기 회전 부상체를 수평방향에서 � �치 조정하면서 회전시키는 회전 XY용 전자석군과, 상기 처리 용기내에 필요한 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리 기구와, 장치 전체의 동작을 제어하는 장치 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 처리 장치이다.
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公开(公告)号:KR101020328B1
公开(公告)日:2011-03-08
申请号:KR1020107009011
申请日:2006-09-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/324 , H01L21/67109
Abstract: 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치(2)와, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 상기 처리 용기(4)내에 마련되어, 그 상면측에 상기 피처리체를 탑재시키기 위한 탑재대(18)와, 상기 탑재대(18)의 상부에 마련된 복수의 열전 변환 소자(22)와, 상기 처리 용기의 천장부를 기밀히 덮는 광투과창(8)과, 상기 처리 용기(4)내를 향해서 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(12)을 구비하고 있다. 상기 광투과창(8)의 상방에, 상기 피처리체를 향해서 가열용의 빛을 사출하는 반도체 광사출 소자(58)를 포함하는 복수의 가열 광원(52)으로 이루어지는 가열 수단(46)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 가열 효율이 높고, 또한 피처리체에 대하여 한층 더 고속에서의 승온 및 강온이 가능해진다.
Abstract translation: 本发明提供一种热处理装置(2),该热处理装置(2)对被处理物(W)进行规定的热处理,能够排出处理容器(4),处理容器(4) 设置在载置台18上的多个热电转换元件22;密封处理容器的顶部的透光窗8; 以及用于向腔室1的内部导入必要的气体的气体导入单元12。 包括多个加热光源52的加热装置46设置在光透射窗8的上方,所述加热光源52包括用于向待处理对象发射用于加热的光的半导体发光元件58 。 结果,加热效率高,并且待加工的物体可以以更高的速度被加热和冷却。
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公开(公告)号:KR1020100106611A
公开(公告)日:2010-10-01
申请号:KR1020107019421
申请日:2009-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01P5/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01P5/12 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46
Abstract: 전력 합성기(100)는 통형을 이루는 본체 용기(1)와, 본체 용기(1)의 측면에 설치된, 전력을 전자파로서 도입하는 복수의 전력 도입 포트(2)와, 복수의 전력 도입 포트(2)에 각각 설치된 복수의 급전 안테나(6)와, 복수의 급전 안테나(6)로부터 본체 용기(1) 안으로 방사된 전자파를 공간 합성하는 합성부(10)와, 합성부(10)로 합성된 전자파를 출력하는 출력 포트(11)를 포함하고, 급전 안테나(6)는 전력 도입 포트(2)로부터 전자파가 공급되는 제1 극(21) 및 공급된 전자파를 방사하는 제2 극(22)을 갖는 안테나 본체(23)와, 안테나 본체(23)로부터 측방으로 돌출하도록 설치된, 전자파를 반사시키는 반사부(24)를 포함한다.
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公开(公告)号:KR1020100049684A
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:KR1020107007145
申请日:2001-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/4586 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/68792
Abstract: A substrate heating device capable of heating a substrate placed on a loading table (104) having a heating means (108) in a treating container (102), comprising a supporting part (202) formed of a first material and supporting the loading table, a sealing part (204) formed of a second material having a heat conductivity different from that of the first material and sealing the supporting part and the treating container, and a connection part (206) for connecting airtight the supporting part with the sealing part, whereby a thermal gradient between the upper and lower parts of the loading table can be reduced by properly selecting the first and second materials having different heat conductivities, and thus the length of the supporting structure of the loading table can be shortened.
Abstract translation: 一种基板加热装置,其能够将放置在具有加热装置(108)的装载台(104)上的基板加热到处理容器(102)中,所述基板加热装置包括由第一材料形成并支撑所述装载台的支撑部分(202) 由第二材料形成的密封部分(204),其具有不同于第一材料的热导率并且密封支撑部分和处理容器的第二材料,以及用于将支撑部分与密封部分气密连接的连接部分(206) 由此通过适当地选择具有不同导热性的第一和第二材料,可以减小装载台的上部和下部之间的热梯度,从而可以缩短装载台的支撑结构的长度。
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公开(公告)号:KR1020100040747A
公开(公告)日:2010-04-20
申请号:KR1020107004225
申请日:2006-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 가사이시게루
IPC: H01L21/26 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/2686 , H01L21/324
Abstract: A heat treating device comprising a treating room housing a substrate, a plurality of light sources provided above the treating room to respectively illuminate the substrate, a first reflector having an inner surface that forms a dome-shaped reflection surface and reflecting parts of lights output from respective light sources to lead them to the substrate, and a plurality of second reflectors respectively provided for respective light sources and reflecting/condensing lights from respective light sources to lead them to the substrate, characterized in that the reflection surface of each second reflector has part of a spheroidal surface or a curved surface approximate to it that surrounds a first focal point in order to form the first focal point at a position at which each light source is disposed and to form a second focal point on a side where the substrate is disposed.
Abstract translation: 一种热处理装置,包括容纳基板的处理室,设置在处理室上方以分别照射基板的多个光源;第一反射器,具有形成圆顶形反射面的内表面,并且反射部分从 各自的光源将它们引导到基板,以及多个第二反射器,分别设置用于各个光源,并且将来自各个光源的光反射/聚光以将它们引导到基板,其特征在于,每个第二反射器的反射表面具有 的球状表面或与其相邻的弯曲表面围绕第一焦点,以便在每个光源设置的位置处形成第一焦点,并在基板设置的一侧形成第二焦点 。
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