公开(公告)号：KR102245116B1

公开(公告)日：2021-04-26

申请号：KR1020180105402

申请日：2018-09-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야기히로노리 ,  가케가와다카시 ,  야마구치가츠마사 ,  후루야유이치 ,  모겐난

IPC: H01L21/67 ,  G05D16/08 ,  G05D16/20

Abstract: 본발명은프로세스개시시의원료가스의유량을단시간에안정화시키는것이가능한가스공급장치를제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의가스공급장치는, 원료가스를버퍼탱크및 제1 고속개폐밸브를통해처리용기내에간헐적으로공급할수 있는가스공급장치로서, 상기버퍼탱크의 2차측에접속되고, 상기버퍼탱크내부를배기할수 있는이배큐에이션라인(evacuation line)과, 상기이배큐에이션라인에설치된제2 고속개폐밸브를갖는다.

公开(公告)号：KR1020060103287A

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：KR1020067018174

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

公开(公告)号：KR1020060038481A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020067006792

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

公开(公告)号：KR1020130058627A

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：KR1020120133521

申请日：2012-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다나카마사유키 ,  모치즈키다카시 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/34 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585

Abstract: PURPOSE: A film forming apparatus is provided to prevent SiH2Cl2 gas from being mixed with different gases using individual gas supply lines, and restrain the generation of particles due to a gas byproduct. CONSTITUTION: A film forming process is performed on a wafer in a chamber(102). A process gas supply part(200) supplies a process gas to the chamber. The process gas supply part includes an NH3 supply part(200A), a SiH2Cl2 supply part(200B), and a TiCl4 supply part(200C). An exhausting part(300) includes an exhaust line(310) connected to the outlet of the chamber. A vacuum pump(330) is connected to the exhaust line. The vacuum pump maintains a vacuum pressure by vacuum absorption. [Reference numerals] (102) Chamber; (242C) Vaporizer; (320) Trap; (330) Vacuum pump

Abstract translation: 目的：提供一种成膜设备，以防止SiH2Cl2气体与各种气体供应管线混合，并抑制由气体副产物产生的颗粒。 构成：在室（102）中的晶片上进行成膜工艺。 工艺气体供应部件（200）将处理气体供应到腔室。 处理气体供给部包括NH 3供给部（200A），SiH2Cl2供给部（200B）和TiCl4供给部（200C）。 排气部（300）包括连接到室的出口的排气管（310）。 真空泵（330）与排气管连接。 真空泵通过真空吸收维持真空压力。 （102）室; （242C）蒸发器; （320）陷阱; （330）真空泵

公开(公告)号：KR1020100067693A

公开(公告)日：2010-06-21

申请号：KR1020107011258

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming device, characterized by comprising a treatment container specifying a chamber, a loading table installed in the chamber and allowing a treated substrate to be loaded thereon, a shower head installed opposite to the loading table and having a large number of gas discharge holes, a gas feeding mechanism for feeding treatment gas into the chamber through the shower head, and a shower head temperature control means for controlling the temperature of the shower head.

Abstract translation: 一种成膜装置，其特征在于，包括：指定室的处理容器;安装在所述室中的载置台，并且处理的基板被装载在其上;安装在所述装载台相对的并具有大量排气孔的喷淋头 用于通过喷淋头将处理气体供给到室内的气体供给机构，以及用于控制喷淋头温度的喷淋头温度控制装置。

公开(公告)号：KR100776843B1

公开(公告)日：2007-11-16

申请号：KR1020067024611

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR100776057B1

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：KR1020060105843

申请日：2006-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미히사시 ,  사이토데츠야 ,  가케가와다카시 ,  마세다카히사 ,  고이즈미마코토 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  쳉팡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

公开(公告)号：KR100756107B1

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：KR1020037010504

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020070046749A

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：KR1020060105843

申请日：2006-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미히사시 ,  사이토데츠야 ,  가케가와다카시 ,  마세다카히사 ,  고이즈미마코토 ,  다다구니히로 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠 ,  쳉팡

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置，气体喷头（气体供给单元）通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔，则在所形成的工艺气体的通流面积，包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个，根据在彼此的周缘部的螺纹接头中，每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入，例如不同的材料，如Hastelloy或碳。

公开(公告)号：KR1020150127537A

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：KR1020150061353

申请日：2015-04-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가케가와다카시 ,  츠다에이노스케 ,  오오타도모히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/5096 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522

Abstract: 본발명은, 처리용기내에플라즈마를발생시켜기판을처리하는기판처리장치에있어서, 당해처리용기내에서의파티클발생을억제한다. 플라즈마를이용하여웨이퍼를처리하는기판처리장치로서, 웨이퍼를기밀하게수용하는처리용기와, 처리용기내에서기판을탑재하는탑재대를구비한하부전극과, 탑재대상에탑재된기판에대향하여배치되고, 복수의공급구멍이형성된샤워플레이트를구비한상부전극(30)과, 상부전극(30)의외주부를둘러싸는절연부재(40)와, 샤워플레이트를거쳐서상기처리용기내에처리가스를공급하는처리가스공급원과, 절연부재(40)를, 처리용기내의압력에서의처리가스의반응중간체중 적어도하나의포화증기온도이상으로가열하는가열기구가열기구(41)를가진다.

Abstract translation: 本发明涉及能够通过在处理容器中产生等离子体来处理基板的基板处理装置，抑制处理容器中的颗粒的产生。 使用等离子体处理晶片的基板处理装置包括：密封地存储晶片的处理容器; 下部电极，其包括用于将所述基板安装在所述处理容器中的安装杆; 面向所述基板的上电极，安装在所述安装杆上，并且包括具有多个供给孔的喷淋板; 围绕所述上电极（30）的外部的绝缘构件（40）; 处理气体供给源，其通过所述淋浴板向处理容器供给处理气体; 以及加热工具（41），其在比处理容器中的压力处理气体的反应中间体中的温度高于至少一个温度的温度下加热绝缘构件（40）。