公开(公告)号：KR1020090043598A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：KR1020097006183

申请日：2007-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 산화 처리의 장점을 손상하는 일이 없이, 절연 내성이 우수하고, 반도체 장치의 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있는 양질인 막질의 실리콘 산화막을 형성한다. 처리 가스중의 산소의 비율이 1% 이하에서, 또한 압력이 133Pa 이하의 제 1 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성한다(제 1 산화 처리 공정). 상기 제 1 산화 처리 공정에 이어서, 처리 가스중의 산소의 비율이 20% 이상에서, 또한 압력이 400~1333Pa의 제 2 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 상기 피처리체 표면을 산화하고, 또한 실리콘 산화막을 형성한다 (제 2 산화 처리 공정).

公开(公告)号：KR1020080102273A

公开(公告)日：2008-11-24

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: The surface of a processing object is subjected to plasma oxidation processing using a plasma of 181012 cm-3 orhigher O(1D2) radical density and using an oxygenous processing gas in a processing chamber of plasma processing apparatus, thereby forming a silicon oxide film. During the plasma oxidation processing, plasma processing condensations are corrected while measuring the density of O(1D2) radical in plasma by means of VUV monochrometer (63).

Abstract translation: 使用181012cm-3以上的O（1D2）自由基浓度的等离子体进行等离子体氧化处理，在等离子体处理装置的处理室中使用含氧处理气体，从而形成氧化硅膜。 在等离子体氧化处理期间，通过VUV单色仪（63）测量等离子体中的O（1D2）基团的密度，校正等离子体处理冷凝。