公开(公告)号：KR101249611B1

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：KR1020107017810

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라히데오 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7881

Abstract: 본 발명은 요철 형상을 갖는 실리콘의 산화 처리에 있어서, 측벽에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께를 바닥부에 비해서 매우 얇게 형성하는 것을 과제로 한다.
복수의 마이크로파 방사 구멍(32)을 갖는 평면 안테나판(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 배치대(2)에 고주파 전력을 인가하면서, 처리 가스 내의 산소 비율이 0.1％ 이상 50％ 이하의 범위 내이며, 또한 처리 압력이 1.3 ㎩ 이상 667 ㎩ 이하의 범위 내인 조건에서 플라즈마를 생성시킨다. 이 플라즈마에 의해, 웨이퍼(W) 상에 형성된 요철 형상의 실리콘의 측벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와, 오목부의 바닥벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와의 비[측벽면의 막 두께/바닥벽면의 막 두께]가 0.6 이하의 범위 내가 되도록 한다.

公开(公告)号：KR101217898B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020097027399

申请日：2008-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오타긴야 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/02238

Abstract: 플라즈마처리장치(100)는, 챔버(1) 안에서플라즈마를생성시키는플라즈마생성수단과, 피처리체[웨이퍼(W)]를향해이동하는플라즈마안의활성종의입자수의적산값을계측하는계측부(60)와, 계측된입자수의적산값이설정값에도달한경우에, 플라즈마처리를종료시키도록제어하는제어부(50)를구비하고있다. 계측부(60)는, 광원부(61)로부터미리결정된레이저광을플라즈마를향해조사하고, VUV 모노크로미터를구비한검지부(63)로수광함으로써활성종의입자수를측정한다.

公开(公告)号：KR1020100119547A

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：KR1020107017810

申请日：2009-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카무라히데오 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76235 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7881

Abstract: 본 발명은 요철 형상을 갖는 실리콘의 산화 처리에 있어서, 측벽에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께를 바닥부에 비해서 매우 얇게 형성하는 것을 과제로 한다.
복수의 마이크로파 방사 구멍(32)을 갖는 평면 안테나판(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 배치대(2)에 고주파 전력을 인가하면서, 처리 가스 내의 산소 비율이 0.1％ 이상 50％ 이하의 범위 내이며, 또한 처리 압력이 1.3 ㎩ 이상 667 ㎩ 이하의 범위 내인 조건에서 플라즈마를 생성시킨다. 이 플라즈마에 의해, 웨이퍼(W) 상에 형성된 요철 형상의 실리콘의 측벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와, 오목부의 바닥벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와의 비[측벽면의 막 두께/바닥벽면의 막 두께]가 0.6 이하의 범위 내가 되도록 한다.

公开(公告)号：KR1020090096472A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020097013175

申请日：2007-12-20

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66818

Abstract: A pattern forming method includes a step of preparing a processing object having silicon whereupon an initial pattern having a first line width is formed; a step of oxidizing the silicon surface with plasma in a processing chamber of a plasma processing apparatus and forming a silicon oxide film on the surface of the initial pattern, and a step of removing the silicon oxide film. The silicon oxide film formation and the silicon oxide film removal are repeatedly performed, and a target pattern having a second line width finer than the first line width is formed on the processing object.

Abstract translation: 图案形成方法包括准备具有硅的处理对象的步骤，由此形成具有第一线宽的初始图案; 在等离子体处理装置的处理室中用等离子体氧化硅表面并在初始图案的表面上形成氧化硅膜的步骤，以及去除氧化硅膜的步骤。 重复执行氧化硅膜形成和氧化硅膜去除，并且在处理对象上形成具有比第一线宽窄的第二线宽的目标图案。

公开(公告)号：KR1020090086059A

公开(公告)日：2009-08-10

申请号：KR1020097006328

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: A plasma oxidizing method in which a plasma is produced in a processing chamber of a plasma processing apparatus under a processing condition that the proportion of oxygen in the processing gas is 20% or more and the processing pressure is 400 to 1333 Pa, and silicon exposed from the surface of an object to be processed is oxidized by the plasma to form a silicon oxide film. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种等离子体氧化方法，其中在处理气体中氧的比例为20％以上，处理压力为400〜1333Pa，处理压力为400〜1333Pa的加工条件下，在等离子体处理装置的处理室中产生等离子体， 从待处理物体的表面被等离子体氧化，形成氧化硅膜。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020140129301A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020147026992

申请日：2013-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  이케다다로 ,  가베요시로 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  야마시타쥰 ,  반마사카즈 ,  몬덴다이치 ,  마에니시마사요시 ,  야마자키료지

IPC: H05B6/74 ,  H05B6/72 ,  H01L21/268

CPC classification number: H05B6/707 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

Abstract: 마이크로파 가열 처리 장치(1)에서는, 어닐 처리 동안, 복수의 지지 핀(16)에 의해 웨이퍼 W를 지지하여, 회전 구동부(17)를 구동시키는 것에 의해, 웨이퍼 W를 수평 방향으로 소정의 속도로 회전시킨다. 복수의 지지 핀(16)은, 승강 구동부(18)를 구동시키는 것에 의해, 샤프트(14)와 함께 상하 방향으로 승강하여, 웨이퍼 W의 높이 위치를 가변으로 조절한다. 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대해서 전압을 인가하여 마이크로파를 생성하고, 도파관(32), 투과창(33)을 거쳐서, 처리 용기(2)내에서 회전하는 웨이퍼 W의 상방의 공간에 도입한다. 처리 용기(2)에 도입된 마이크로파는, 회전하는 웨이퍼 W의 표면에 조사되어, 주울 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해, 웨이퍼 W가 신속히 가열된다.

公开(公告)号：KR1020130000409A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020127026718

申请日：2011-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  오타오슈이치로 ,  사토요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/32105

Abstract: 처리 용기(1) 내를 배기 장치(24)에 의해 감압 배기하면서, 가스 공급 장치(18)의 불활성 가스 공급원(19a) 및 오존 함유 가스 공급원(19b)으로부터, 불활성 가스 및 O
2 와 O
3 의 합계의 체적에 대한 O
3 의 체적 비율이 50% 이상인 오존 함유 가스를 소정의 유량으로 가스 도입부(5)를 거쳐서 처리 용기(1) 내에 도입한다. 마이크로파 발생 장치(39)에서 발생된 소정 주파수, 예를 들어 2.45GHz의 마이크로파를, 평면 안테나(31)로부터 투과판(28)을 경유하여 처리 용기(1)로 방사하고, 불활성 가스 및 오존 함유 가스를 플라즈마한다. 이 마이크로파 여기 플라즈마에 의해 웨이퍼(W) 표면에 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 동안에, 탑재대(2)에 고주파 전원(44)으로부터 소정의 주파수 및 파워의 고주파 전력을 공급하여도 좋다.

公开(公告)号：KR101056199B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하고, O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도가 1×10
12 [㎝
-3 ] 이상인 플라즈마를 이용하여 피처리체의 표면을 플라즈마 산화 처리하여 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 사이, VUV 모노크로미터(63)에 의해 플라즈마 중의 O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도를 계측하여 플라즈마 처리 조건을 보정한다.

Abstract translation: 进行等离子体氧化处理以通过使用等离子体在具有O（1D2）自由基密度的等离子体中在目标物体的表面上形成氧化硅膜，该自由基密度为1×1012 [cm3; 等离子体处理装置的处理室内的氧气。 在等离子体氧化过程中，通过VUV单色器63测量等离子体中的O（1D2）自由基密度，并且对等离子体工艺条件进行校正。

公开(公告)号：KR1020100106576A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).

公开(公告)号：KR1020090126280A

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020097020434

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: A silicon oxide film is formed in a processing chamber of a plasma processing apparatus by performing oxidation process to a body, which is to be processed and has an uneven pattern, by using plasma. The film is formed by plasma by applying high frequency power to a placing table whereupon the body to be processed is placed, under the conditions where the ratio of oxygen in a processing gas is 0.5% or more but not more than 10% and a processing pressure within a range of 1.3-665Pa.

Abstract translation: 在等离子体处理装置的处理室中，通过使用等离子体对被处理体并具有不均匀图案的体进行氧化处理，形成氧化硅膜。 在处理气体中的氧比例为0.5％以上且10％以下的条件下，通过向放置台施加高频电力，由此对被处理体进行放置，由等离子体形成膜， 压力在1.3-665Pa范围内。