公开(公告)号：KR101056199B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하고, O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도가 1×10
12 [㎝
-3 ] 이상인 플라즈마를 이용하여 피처리체의 표면을 플라즈마 산화 처리하여 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 사이, VUV 모노크로미터(63)에 의해 플라즈마 중의 O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도를 계측하여 플라즈마 처리 조건을 보정한다.

Abstract translation: 进行等离子体氧化处理以通过使用等离子体在具有O（1D2）自由基密度的等离子体中在目标物体的表面上形成氧化硅膜，该自由基密度为1×1012 [cm3; 等离子体处理装置的处理室内的氧气。 在等离子体氧化过程中，通过VUV单色器63测量等离子体中的O（1D2）自由基密度，并且对等离子体工艺条件进行校正。

公开(公告)号：KR1020100106576A

公开(公告)日：2010-10-01

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).

公开(公告)号：KR1020090126280A

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020097020434

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: A silicon oxide film is formed in a processing chamber of a plasma processing apparatus by performing oxidation process to a body, which is to be processed and has an uneven pattern, by using plasma. The film is formed by plasma by applying high frequency power to a placing table whereupon the body to be processed is placed, under the conditions where the ratio of oxygen in a processing gas is 0.5% or more but not more than 10% and a processing pressure within a range of 1.3-665Pa.

Abstract translation: 在等离子体处理装置的处理室中，通过使用等离子体对被处理体并具有不均匀图案的体进行氧化处理，形成氧化硅膜。 在处理气体中的氧比例为0.5％以上且10％以下的条件下，通过向放置台施加高频电力，由此对被处理体进行放置，由等离子体形成膜， 压力在1.3-665Pa范围内。

公开(公告)号：KR1020070095989A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：KR1020077017648

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: An oxide film is formed on a surface of a substrate for electronic device by irradiating the surface of the substrate for an electronic device with a plasma, which is produced from oxygen and hydrogen, in the presence of a treating gas containing at least oxygen and hydrogen. A method and apparatus for forming an oxide film, wherein control of the thickness of the oxide film is easy and an oxide film of good quality can be obtained, and a material for an electronic device having such a good-quality oxide film are disclosed.

Abstract translation: 通过在至少含有氧和氢的处理气体存在下，用氧和氢制造的等离子体照射电子器件用基板的表面，在电子器件用基板的表面上形成氧化膜 。 用于形成氧化膜的方法和装置，其中氧化膜的厚度的控制容易，并且可以获得质量好的氧化膜，并且公开了一种具有这种优质氧化膜的电子器件的材料。

公开(公告)号：KR1020070047769A

公开(公告)日：2007-05-07

申请号：KR1020077002598

申请日：2005-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31612 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/32105

Abstract: 본 발명은 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나로 처리실 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 RLSA 방식의 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 챔버내 압력 67∼667 Pa, 온도 300∼600℃ 이하, 마이크로파 전력 1000∼3500 W, 처리 가스로서 100∼2000 mL/min의 Ar 가스, 1∼500 mL/min의 O
2
가스를 이용하고, 또한 처리 가스 중의 Ar 가스에 대한 O
2
가스의 비율을 0.5∼5％로 제어하면서 폴리실리콘의 산화를 행하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101248651B1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020107017596

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  기타가와준이치 ,  야마베기쿠오

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31654 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66765

Abstract: 실리콘과 절연막과의 계면이 평탄한 절연막을 CVD법에 의해 형성하기 위해서, 복수의 구멍을 갖는 평면 안테나(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 실리콘 표면을 산화시켜 산화규소막을 형성한다(단계 S1). 이 산화규소막 상에 CVD법에 의해 절연막으로서의 산화규소막을 성막하고(단계 S4), 플라즈마 처리 장치(100)를 더 이용하여 챔버(1) 내에 희가스와 산소를 함유하는 처리 가스를 도입하며, 평면 안테나(31)에 의해 마이크로파를 도입하고, 6.7 Pa 이상 533 Pa 이하의 범위 내의 압력 조건으로 플라즈마를 발생시키며, 이 플라즈마에 의해 절연막을 개질한다(단계 S6).

公开(公告)号：KR101188553B1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：KR1020097020434

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 요철 패턴을 갖는 피처리체에 플라즈마에 의한 산화 처리를 실시하여 실리콘 산화막을 형성함에 있어서, 처리 가스 중의 산소의 비율이 0.5% 이상 10% 미만이고, 또한 처리 압력이 1.3~665Pa의 조건으로, 피처리체를 탑재하는 탑재대에 고주파 전력을 인가하면서 플라즈마를 형성한다.

公开(公告)号：KR101123442B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020077023295

申请日：2006-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  고바야시다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28273

Abstract: 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나에 의해 처리실 내에 마이크로파를 도입하여 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 질화 처리 공정에 의해, 폴리실리콘층(111)의 표면에 질화 영역(112)을 형성한다. 다음에, 질화 영역(112)의 위에 CVD 산화막(113) 등을 형성하고, 폴리실리콘층(111) 등을 소정 형상으로 패터닝 한 후, 질화 영역(112)을 산화 배리어층으로 해서, 노출된 폴리실리콘층(111)의 측벽부 등에 열산화에 의해 열산화막(114)을 형성한다. 따라서, 종래에 비해 더욱 저온의 공정에 의해 버즈피크의 발생을 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR101102690B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020097006183

申请日：2007-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66795

Abstract: 플라즈마 산화 처리의 장점을 손상하는 일이 없이, 절연 내성이 우수하고, 반도체 장치의 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있는 양질인 막질의 실리콘 산화막을 형성한다. 처리 가스중의 산소의 비율이 1% 이하에서, 또한 압력이 133Pa 이하의 제 1 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성한다(제 1 산화 처리 공정). 상기 제 1 산화 처리 공정에 이어서, 처리 가스중의 산소의 비율이 20% 이상에서, 또한 압력이 400~1333Pa의 제 2 처리 조건에서 플라즈마를 형성하고, 해당 플라즈마에 의해, 상기 피처리체 표면을 산화하고, 또한 실리콘 산화막을 형성한다 (제 2 산화 처리 공정).

公开(公告)号：KR100930432B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020077017648

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: In the presence of a process gas comprising at least an oxygen gas and a hydrogen gas, the surface of a substrate for electronic device is irradiated with plasma based on oxygen and hydrogen, to thereby form an oxide film on the substrate for electronic device. There is provided a process for forming an oxide film and an apparatus for forming oxide film which can provide a high-quality oxide film and can easily control the thickness of the oxide film, and a material for electronic device having such a high-quality oxide film.

Abstract translation: 在包含至少一种氧气和氢气的处理气体的存在下，用基于氧和氢的等离子体照射电子器件用基板的表面，从而在用于电子器件的基板上形成氧化物膜。 提供了一种形成氧化物膜的方法和形成氧化物膜的装置，该装置能够提供高质量的氧化物膜并且可以容易地控制氧化物膜的厚度，并且提供了具有这种高质量氧化物的电子装置用材料 电影。