公开(公告)号：KR1020120069754A

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：KR1020127011218

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  니시타다츠오 ,  히로타요시히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823857

Abstract: 희생 산화막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리, 및/또는 이산화 규소막의 형성과 웨트 에칭에 의한 박리를 실행하는 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 희생 산화막 및/또는 이산화 규소막의 형성을, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하여 생성시킨 O(
1 D
2 ) 래디컬이 지배적인 플라즈마에 의해 실행한다.

公开(公告)号：KR101056199B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020087023984

申请日：2007-08-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  C23C8/10 ,  C23C8/36 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L22/20

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 산소를 포함하는 처리 가스를 이용하고, O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도가 1×10
12 [㎝
-3 ] 이상인 플라즈마를 이용하여 피처리체의 표면을 플라즈마 산화 처리하여 실리콘 산화막을 형성한다. 플라즈마 산화 처리 사이, VUV 모노크로미터(63)에 의해 플라즈마 중의 O(
1 D
2 ) 라디칼의 밀도를 계측하여 플라즈마 처리 조건을 보정한다.

Abstract translation: 进行等离子体氧化处理以通过使用等离子体在具有O（1D2）自由基密度的等离子体中在目标物体的表面上形成氧化硅膜，该自由基密度为1×1012 [cm3; 等离子体处理装置的处理室内的氧气。 在等离子体氧化过程中，通过VUV单色器63测量等离子体中的O（1D2）自由基密度，并且对等离子体工艺条件进行校正。

公开(公告)号：KR1020090126280A

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020097020434

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

Abstract: A silicon oxide film is formed in a processing chamber of a plasma processing apparatus by performing oxidation process to a body, which is to be processed and has an uneven pattern, by using plasma. The film is formed by plasma by applying high frequency power to a placing table whereupon the body to be processed is placed, under the conditions where the ratio of oxygen in a processing gas is 0.5% or more but not more than 10% and a processing pressure within a range of 1.3-665Pa.

Abstract translation: 在等离子体处理装置的处理室中，通过使用等离子体对被处理体并具有不均匀图案的体进行氧化处理，形成氧化硅膜。 在处理气体中的氧比例为0.5％以上且10％以下的条件下，通过向放置台施加高频电力，由此对被处理体进行放置，由等离子体形成膜， 压力在1.3-665Pa范围内。

公开(公告)号：KR1020100019469A

公开(公告)日：2010-02-18

申请号：KR1020097024919

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시히로 ,  고바야시다카시 ,  시오자와도시히코 ,  다무라다이스케

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3144 ,  H05H1/46

Abstract: In a micro wave plasma processing device (100), plasma of a processing gas is formed in a chamber (1) by a micro wave which has been emitted from a micro wave emission hole (32) of a planar antenna (31) and transmitted through a micro wave transmitting plate (28). Plasma processing is performed by the plasma on a work (W) placed on a table (2). The micro wave transmitting plate (28) has a concave/convex section (42) at a part of the micro wave transmitting plane corresponding to a peripheral portion of the work and a flat section (43) at a part corresponding to the center portion of the work (W).

Abstract translation: 在微波等离子体处理装置（100）中，通过从平面天线（31）的微波发射孔（32）发射的微波在室（1）中形成处理气体的等离子体，并传输 通过微波传输板（28）。 等离子体处理由放置在工作台（2）上的工件（W）上的等离子体进行。 微波传输板（28）在与工件的周边部分相对应的微波透射平面的一部分处具有凹凸部（42），在与该工件的周边部分对应的部分处具有平坦部（43） 工作（W）。

公开(公告)号：KR1020090096472A

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：KR1020097013175

申请日：2007-12-20

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66818

Abstract: A pattern forming method includes a step of preparing a processing object having silicon whereupon an initial pattern having a first line width is formed; a step of oxidizing the silicon surface with plasma in a processing chamber of a plasma processing apparatus and forming a silicon oxide film on the surface of the initial pattern, and a step of removing the silicon oxide film. The silicon oxide film formation and the silicon oxide film removal are repeatedly performed, and a target pattern having a second line width finer than the first line width is formed on the processing object.

Abstract translation: 图案形成方法包括准备具有硅的处理对象的步骤，由此形成具有第一线宽的初始图案; 在等离子体处理装置的处理室中用等离子体氧化硅表面并在初始图案的表面上形成氧化硅膜的步骤，以及去除氧化硅膜的步骤。 重复执行氧化硅膜形成和氧化硅膜去除，并且在处理对象上形成具有比第一线宽窄的第二线宽的目标图案。

公开(公告)号：KR1020090086059A

公开(公告)日：2009-08-10

申请号：KR1020097006328

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252

Abstract: A plasma oxidizing method in which a plasma is produced in a processing chamber of a plasma processing apparatus under a processing condition that the proportion of oxygen in the processing gas is 20% or more and the processing pressure is 400 to 1333 Pa, and silicon exposed from the surface of an object to be processed is oxidized by the plasma to form a silicon oxide film. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 一种等离子体氧化方法，其中在处理气体中氧的比例为20％以上，处理压力为400〜1333Pa，处理压力为400〜1333Pa的加工条件下，在等离子体处理装置的处理室中产生等离子体， 从待处理物体的表面被等离子体氧化，形成氧化硅膜。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR101399765B1

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：KR1020097013175

申请日：2007-12-20

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 나고야 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리마사루 ,  가베요시로 ,  시오자와도시히코 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/66818

Abstract: 패턴 형성 방법은 제 1 선폭을 갖는 초기 패턴이 형성된 실리콘을 갖는 피처리체를 준비하는 것과, 그 실리콘 표면을 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서 플라즈마 산화 처리하여, 초기 패턴의 표면에 실리콘 산화막을 형성하는 것과, 실리콘 산화막을 제거하는 것을 포함하며, 실리콘 산화막의 형성과 실리콘 산화막의 제거를 반복해서 실행함으로써, 피처리체 상에, 상기 제 1 선폭에 비해 미세한 제 2 선폭을 갖는 목적의 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR101389247B1

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130023220A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020127028202

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네자와료타 ,  다카하시데츠로 ,  오사키요시노리 ,  스즈키고우키 ,  사이토도모히로 ,  야마시타쥰 ,  사토요시히로 ,  시오자와도시히코 ,  야마자키고이치 ,  후루키가즈히로

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 유전체판(28)과 덮개 부재(13)의 지지부(13a) 사이에 링 형상의 O링(29a)을 가짐과 아울러, 당해 O링(29a)의 외주측에, 처리 용기(1)의 상부에 배치된 덮개 부재(13)의 지지부(13a)와 유전체판(28) 사이에 간극 d를 형성하기 위한 스페이서(60)를 마련하였다. 간극 d에 의해서, 처리 용기(1) 내에서의 플라즈마의 열에 의해 덮개 부재(13)나 유전체판(28)이 열팽창하더라도, 덮개 부재(13)와 유전체판(28)이 접촉하여, 갈리는 것이 없어져, 유전체판(28)의 파손이나 파티클의 발생을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020090058000A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006327

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  아다치히카루 ,  기타가와주니치 ,  야마모토노부히코

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: A plasma oxidizing method includes a step of placing an object to be processed and having a surface containing silicon on a susceptor disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen in the processing vessel, a step of supplying high-frequency electric power to the susceptor and applying a high-frequency bias to the object to be processed when the plasma is produced, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 等离子体氧化方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的基座上的步骤，在处理容器内从含有氧的处理气体生成等离子体的步骤 向基座提供高频电力的步骤，在制造等离子体时向待处理物体施加高频偏压的步骤，以及通过在物体的表面氧化硅来形成氧化硅膜的步骤 由等离子体处理。