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公开(公告)号：KR100873081B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070051994
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/10 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 제 1 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역과 소스 및 드레인 영역을 제공하는 반도체층, 채널 영역의 반도체층 상에 형성된 확산 방지막, 수소 이온을 함유하며 소스 및 드레인 영역이 노출되도록 콘택홀이 형성된 제 2 절연막 및 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 소스 및 드레인 영역에 수소 이온이 함유된다.
화합물 반도체, 소스 및 드레인 영역, 수소 이온, 확산 방지막, 비저항-
公开(公告)号：KR100941855B1
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020080031541
申请日：2008-04-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 산화물 반도체층은 갈륨(Ga)의 농도가 서로 다른 이층 구조의 GaInZnO(GIZO)층으로 형성된다. 하부 GIZO층은 1e+13 내지 1e+18#/㎤ 정도의 케리어 농도를 가지며, 상부 GIZO층은 높은 Ga의 농도에 따른 강건한 구조를 갖는다.
산화물 반도체, GaInZnO(GIZO), 이층 구조, 갈륨(Ga) 농도Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，但本发明的晶体管由栅极电极与栅极电极隔离，形成在基板上的栅极绝缘膜 它包括一个源极电极以及与所述沟道区，氧化物半导体层接触的漏电极，以及源极区和包括源区和漏区的漏区。 该氧化物半导体层具有不同的双层结构的GaInZnO（GIZO）层的形成镓的浓度（Ga）的。 下GIZO层具有约1E + 13至1e + 18＃/㎤，上GIZO层具有按照高的Ga浓度的健壮结构的载流子浓度。
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公开(公告)号：KR100936874B1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：KR1020070133508
申请日：2007-12-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극을 포함하는 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 산소 이온을 포함하며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 반도체층을 형성하는 단계, 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 반도체층을 포함하는 상부에 유기물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 반도체층의 케리어 농도가 1e+17 내지 1e+18#/㎤ 범위 내에서 유지되도록 하여 안정적인 전기적 특성을 갖도록 한다.
화합물 반도체, 수소 농도, 케리어 농도, 보호막, 비저항-
公开(公告)号：KR100931491B1
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：KR1020080032081
申请日：2008-04-07
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: An Organic Light Emitting Display (OLED) and a method of fabricating the OLED includes: a substrate including a pixel region and a non-pixel region; a gate electrode arranged in the non-pixel region of the substrate; a first insulating layer arranged on the substrate having the gate electrode formed thereon, and having an open groove on an upper surface of a region opposite to the gate electrode; a semiconductor layer buried in the groove and including a source region, a channel region and a drain region; and an organic thin film layer arranged in the pixel region of the substrate. A common electrode is arranged between the drain region of the semiconductor layer and the organic thin film layer to electrically couple the drain region to the organic thin film layer.
Abstract translation: 有机发光显示器（OLED）和制造OLED的方法包括：包括像素区域和非像素区域的基板; 布置在衬底的非像素区中的栅电极; 第一绝缘层，布置在其上形成有栅电极的基板上，并且在与栅电极相对的区域的上表面上具有开口槽; 埋入沟槽中并包括源极区域，沟道区域和漏极区域的半导体层; 和布置在基板的像素区域中的有机薄膜层。 公共电极布置在半导体层的漏极区域和有机薄膜层之间以将漏极区域电耦合到有机薄膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090106757A
公开(公告)日：2009-10-12
申请号：KR1020080032081
申请日：2008-04-07
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L31/022483 , H05B33/26
Abstract: PURPOSE: An organic light emitting display device and a manufacturing method thereof are provided to secure process margin and improve productivity by decreasing the number of the masks. CONSTITUTION: A substrate(110) includes a pixel region and a non-pixel region. A gate electrode(120) is arranged in the non-pixel region of the substrate. A first insulation layer(130) is arranged on the substrate with the gate electrode. A groove with an upper open side is formed in the region opposite to the gate electrode of the first insulation layer. A semiconductor layer(140) is buried in the groove. The semiconductor layer includes a source region, a channel region, and a drain region. An organic thin film layer is arranged in the pixel region of the substrate. A common electrode(150b) is arranged between the drain region and the organic thin film layer. The common electrode electrically connects the drain region and the organic thin film layer.
Abstract translation: 目的：提供有机发光显示装置及其制造方法，以通过减少掩模的数量来确保工艺余量并提高生产率。 构成：衬底（110）包括像素区域和非像素区域。 栅电极（120）布置在衬底的非像素区域中。 第一绝缘层（130）布置在具有栅电极的基板上。 在与第一绝缘层的栅电极相反的区域中形成具有上开口侧的沟槽。 半导体层（140）埋在凹槽中。 半导体层包括源极区，沟道区和漏极区。 在衬底的像素区域中布置有机薄膜层。 公共电极（150b）布置在漏极区域和有机薄膜层之间。 公共电极电连接漏极区域和有机薄膜层。
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公开(公告)号：KR1020090106051A
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：KR1020080031541
申请日：2008-04-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/78696
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor and a flat panel display device having the thin film transistor are provided to prevent electric characteristics from being reduced due to plasma damage while maintaining the electric characteristics of an element. CONSTITUTION: A method of manufacturing a thin film transistor comprises the following steps. A gate electrode(11) is formed on a substrate(10). A gate insulating layer(12) is formed on an upper part including the gate electrode. Ions including In, Ga and Zn are evaporated from a target to form a lower GIZO layer(13b) on the gate insulating layer. An upper GIZO layer(13a) whose Ga concentrations is higher than a lower GIZO layer is formed on the lower GIZO layer. A source electrode and a drain electrode connected to a source area and a drain area are formed.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的平板显示装置，以防止在维持元件的电特性的同时由于等离子体损伤而导致的电特性降低。 构成：制造薄膜晶体管的方法包括以下步骤。 在基板（10）上形成栅电极（11）。 在包括栅电极的上部形成栅极绝缘层（12）。 包括In，Ga和Zn的离子从目标物蒸发，以在栅极绝缘层上形成下部GIZO层（13b）。 在下部GIZO层上形成Ga浓度高于下部GIZO层的上部GIZO层（13a）。 形成与源极区域和漏极区域连接的源极电极和漏极电极。
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公开(公告)号：KR1020090021741A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020070086510
申请日：2007-08-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78618
Abstract: A thin film transistor and a luminescent display device using the same are provided to decrease the contact resistance of the semiconductor layer interface by doping at least one ion into the semiconductor layer consisting of N-type oxide semiconductor. A gate electrode(220) is formed on a substrate(210). A gate isolation layer(230) is formed on the gate electrode. A semiconductor layer(240) consisting of N-type oxide semiconductor is formed on the gate isolation layer. One or more ion selected from the group comprised of the group 1 elements in the domain in which the source/drain electrode is arranged on the semiconductor layer is doped. Source/drain electrodes(250a,250b) are formed on the ion-doped semiconductor layer. The doping concentration of the doped region is 10^16 or 10^21/cm^3. The group 1 elements is comprised of the hydrogen (H), lithium (Li), sodium (Na), the potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), or francium(Fr).
Abstract translation: 提供薄膜晶体管和使用其的发光显示装置，以通过将至少一个离子掺杂到由N型氧化物半导体构成的半导体层中来降低半导体层界面的接触电阻。 在基板（210）上形成栅电极（220）。 栅极隔离层（230）形成在栅电极上。 在栅极隔离层上形成由N型氧化物半导体构成的半导体层（240）。 掺杂有源/漏极配置在半导体层的畴中的1族元素的一种以上的离子被掺杂。 源极/漏极（250a，250b）形成在离子掺杂半导体层上。 掺杂区域的掺杂浓度为10 ^ 16或10 ^ 21 / cm ^ 3。 第1族元素由氢（H），锂（Li），钠（Na），钾（K），铷（Rb），铯（Cs）或ium（Fr）组成。
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公开(公告)号：KR100882677B1
公开(公告)日：2009-02-06
申请号：KR1020070083435
申请日：2007-08-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/458 , H01L29/78696
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display device including the same are provided to decrease contact resistance of a semiconductor layer and a metal electrode through external diffusion of oxygen by forming the semiconductor layer made of a compound semiconductor including oxygen. A semiconductor layer(13) having a channel region(13a), a source region(13b), and a drain region(13c) is formed on a substrate(10). A gate electrode is overlapped with the semiconductor layer of the channel region on a gate dielectric film. A source electrode(14b) and a drain electrode(14c) are contacted with the semiconductor layer of the source region and the drain region. The source electrode and the drain electrode include one of more metal ion selected among groups made of Ru, Zn, In, and Sn. A conductive metal oxide layer(15) is formed between the source/drain electrodes and the semiconductor layer, and contains metal ion of the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置，以通过形成由包含氧的化合物半导体制成的半导体层来降低半导体层和金属电极通过氧的外部扩散的接触电阻 。 在衬底（10）上形成具有沟道区（13a），源区（13b）和漏区（13c）的半导体层（13）。 栅电极与栅极电介质膜上的沟道区的半导体层重叠。 源电极（14b）和漏电极（14c）与源极区域和漏极区域的半导体层接触。 源电极和漏极包括选自由Ru，Zn，In和Sn组成的组中的一种以上的金属离子。 在源/漏电极和半导体层之间形成导电金属氧化物层（15），并且包含源电极和漏电极的金属离子。
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公开(公告)号：KR1020070005398A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020050060717
申请日：2005-07-06
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L51/0541
Abstract: An OTFT(organic thin film transistor) is provided to avoid a leakage current caused by accumulation of carriers and prevent the surface of a semiconductor layer from being damaged by patterning the semiconductor layer while using an etch stop layer made of an inorganic insulation layer. A source/drain electrode(121,125) is formed on a substrate(110). A semiconductor layer(135) is correspondingly formed between the source electrode and the drain electrode, coming in contact with the source/drain electrode and including an organic semiconductor layer. An etch stop layer(145) made of an inorganic insulation layer is formed on the semiconductor substrate, including an inorganic insulation layer having higher etch selectivity than that of the organic semiconductor layer. A gate is formed on the substrate. A gate insulation layer is formed between the gate and the source/drain electrode.
Abstract translation: 提供OTFT（有机薄膜晶体管），以避免由于载流子的积聚引起的漏电流，并且通过在使用由无机绝缘层制成的蚀刻停止层的同时对半导体层进行图案化来防止半导体层的表面受损。 源极/漏极（121,125）形成在衬底（110）上。 在源电极和漏电极之间相应地形成半导体层（135），与源/漏电极接触并包括有机半导体层。 在半导体衬底上形成由无机绝缘层制成的蚀刻停止层（145），包括具有比有机半导体层更高的蚀刻选择性的无机绝缘层。 在基板上形成栅极。 在栅极和源极/漏极之间形成栅极绝缘层。
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