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公开(公告)号：KR101093424B1
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020090108081
申请日：2009-11-10
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L51/5215
Abstract: An organic light emitting display device and a method of manufacturing the device are disclosed. The method includes forming a layer over an oxide semiconductor layer to protect the oxide semiconductor layer from damage as further layers are formed and etched.
Abstract translation: 公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。 该方法包括在氧化物半导体层上形成层以保护氧化物半导体层免于随着进一步的层被形成和蚀刻而受到损害。
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公开(公告)号：KR100963027B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080062418
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연층에 의해 게이트 전극과 절연되며 산화물 반도체로 이루어진 활성층, 활성층과 연결되는 소스 및 드레인 전극, 그리고 활성층의 일면 또는 양면에 형성된 계면 안정화층을 포함하며, 계면 안정화층은 3.0 내지 8.0eV의 밴드갭을 갖는 산화물로 이루어진다. 산화물을 포함하는 계면 안정화층은 게이트 절연층 및 보호층과 동질성을 갖기 때문에 화학적으로 높은 계면 안정성을 유지하며, 활성층과 같거나 활성층보다 큰 밴드갭을 갖기 때문에 물리적으로 전하 트랩핑을 억제시킨다.
산화물 반도체, 활성층, 계면 안정화층, 밴드갭, 전하 트랩핑Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体的薄膜晶体管作为有源层，薄膜晶体管被从栅电极通过栅极电极绝缘的平板显示装置，形成在基板的氧化物半导体上形成栅绝缘层 包括有源层，源极，和连接到所述有源层的漏极电极，和形成在一侧上的界面稳定层或制成的有源层的两侧上，并且，所述界面稳定层由具有3.0的带隙8.0eV的氧化物形成。 包含氧化物的界面稳定层维持化学上高的界面稳定性，因为它有一个栅绝缘层和所述保护层和所述亲和，抑制物理上相同的电荷俘获由于有源层，或具有比有源层大的带隙。
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公开(公告)号：KR100941850B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080031090
申请日：2008-04-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 산화물 반도체층, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 산화물 반도체층이 인듐(In)의 농도가 서로 다른 이층 구조의 GaInZnO(GIZO)층으로 이루어진다. 하부 GIZO층의 In의 농도를 높게 하여 전기적 특성을 향상시키고, 상부 GIZO층의 In의 농도를 낮게 하여 플라즈마 피해로 인한 특성 저하가 최소화되도록 한다.
산화물 반도체, GaInZnO, 이층 구조, 인듐(In) 농도, 이동도Abstract translation: 本发明是薄膜晶体管，涉及一种具有制造的方法的平板显示装置，以及一个薄膜晶体管，并且通过栅电极，形成在绝缘基板和所述栅极电极沟道区域，源极区域上的栅极绝缘膜，并且以氧化物半导体作为有源层 的氧化物半导体层，以提供一个漏区，并且包括源极电极和与所述源区和漏区接触的漏极电极，所述氧化物半导体层的铟的浓度（上）作为GaInZnO（GIZO）不同的双层结构的层形成 。 下GIZO层的In浓度增加以改善电特性，并且降低上GIZO层的In浓度以最小化由于等离子体损伤导致的特性劣化。
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公开(公告)号：KR1020090076581A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002610
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262 , H01L29/78618
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display including the thin film transistor are provided, which can improve ohmic contact property of the drain electrode and the P-type oxide semiconductor layer. The P-type oxide semiconductor layer(13) is formed on the substrate(10). The P-type oxide semiconductor layer comprises the channel region, source area and drain domain, and the ohmic contact domain of the drain area surface part and source area. The gate electrode is overlapped with the P-type oxide semiconductor layer of the channel region. The gate electrode is insulated with the P-type oxide semiconductor layer by the gate insulating layer. The source electrode(15a) and drain electrode(15b) come in contact with source area and drain region through the ohmic contact domain.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管，其制造方法和包括薄膜晶体管的平板显示器，其可以改善漏电极和P型氧化物半导体层的欧姆接触特性。 P型氧化物半导体层（13）形成在基板（10）上。 P型氧化物半导体层包括沟道区域，源极区域和漏极区域以及漏极区域表面部分和源极区域的欧姆接触区域。 栅电极与沟道区的P型氧化物半导体层重叠。 栅电极通过栅极绝缘层与P型氧化物半导体层绝缘。 源极（15a）和漏电极（15b）通过欧姆接触区域与源极区域和漏极区域接触。
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公开(公告)号：KR1020080104756A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070051994
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/10 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: The flat panel display including the thin film transistor and the manufacturing method thereof and thin film transistor are provided to improve the electrical characteristic of device by the reducing a leakage current at the non-resistance decrease of source and drain region and channel region. The thin film transistor comprises the insulating substrate(10), the gate electrode(12), the semiconductor layer(14), the diffusion barrier(15), the second insulating layer, source and drain electrode(17a and 17b). The gate electrode is formed on the insulating substrate. The semiconductor layer is insulated with the gate electrode with the first insulating layer. The semiconductor layer provides the channel region, source and drain region. The diffusion barrier is formed on the semiconductor layer of the channel region. The second insulating layer contains the hydrogen ion(16a). The contact hole is formed so that the second insulating layer source and drain region are exposed. The source and drain electrode are contacted with source and drain region through the contact hole.
Abstract translation: 提供包括薄膜晶体管的平板显示器及其制造方法和薄膜晶体管，以通过在源极和漏极区域以及沟道区域的非电阻减小处减少漏电流来改善器件的电气特性。 薄膜晶体管包括绝缘基板（10），栅极电极（12），半导体层（14），扩散阻挡层（15），第二绝缘层，源极和漏极电极（17a和17b）。 栅电极形成在绝缘基板上。 半导体层与具有第一绝缘层的栅电极绝缘。 半导体层提供沟道区，源极和漏极区。 扩散阻挡层形成在沟道区的半导体层上。 第二绝缘层含有氢离子（16a）。 接触孔形成为使得第二绝缘层源极和漏极区域露出。 源极和漏极通过接触孔与源极和漏极区域接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100975204B1
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：KR1020080076010
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 게이트 절연막에 의해 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 산화물 반도체층은 제 1 케리어 농도를 갖는 제 1 두께 및 제 1 케리어 농도보다 낮은 제 2 케리어 농도를 갖는 제 2 두께로 이루어진다.
산화물 반도체, GaInZnO, 케리어 농도, 산소 농도, 산소 분압Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，形成在基底包括沟道区域，源极区域和漏极区域上的本发明的晶体管 的氧化物半导体层，从通过栅极绝缘膜在氧化物半导体层绝缘的栅极电极，并且包括源极电极和与源极区域和漏极区域，氧化物半导体层和具有的一个第一载流子浓度的第一厚度接触的漏电极 L 1载流子浓度。
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公开(公告)号：KR100963003B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080011492
申请日：2008-02-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 산화물 반도체층, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 산화물 반도체층이 지르코늄(Zr)을 포함하는 InZnO(IZO)층으로 이루어지고, Zr에 의해 IZO층의 케리어 농도가 1e+13 내지 1e+18개수/㎤로 조절된다.
산화물 반도체, InZnO(IZO), 지르코늄(Zr), 케리어 농도Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，但本发明的晶体管由栅极电极与栅极电极隔离，形成在基板上的栅极绝缘膜 提供沟道区，源极区和漏极区以及与源极区和漏极区接触的源电极和漏电极的氧化物半导体层。 氧化物半导体层由InZnO制成的（IZO）层包括锆（Zr），是由Zr的浓度控制到载体1E + 13至1e + 18号/㎤IZO层。
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公开(公告)号：KR1020100002503A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a thin film transistor, a manufacturing method thereof and a thin film transistor are provided to physically control the charge trapping and the active layer protected at the same time. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate. A part of an activation layer(13) is overlapped with the source/drain electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A gate electrode is insulated on a gate insulating layer. An interface stabilization layer(14) is formed in the upper side and lower surface of the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管，以物理地控制同时保护的电荷俘获和有源层。 构成：在基板上形成源电极和漏电极。 活化层（13）的一部分与源/漏电极重叠。 活性层包括氧化物半导体。 栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 界面稳定层（14）形成在有源层的上侧和下表面。
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公开(公告)号：KR1020090124527A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080050802
申请日：2008-05-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a TFT(Thin Film Transistor) for performing an ohmic contact of a metal electrode and an oxide semiconductor layer, and a manufacturing method thereof are provided to form an ohmic contact layer with high carrier concentration by processing the oxide semiconductor layer through a plasma. CONSTITUTION: A gate electrode(14) is formed on a substrate. An oxide semiconductor layer(18a) comprises a channel, a source and a drain region insulated with a gate insulating layer(16). A source and drain electrode are connected to source and drain region. An ohmic contact layer(18b) is allowed in between a source and drain region and source and drain electrode. The ohmic contact layer includes the oxide semiconductor layer with carrier concentration high than source and drain region.
Abstract translation: 目的：提供一种用于包括用于执行金属电极和氧化物半导体层的欧姆接触的TFT（薄膜晶体管）的平板显示器及其制造方法，以通过加工来形成具有高载流子浓度的欧姆接触层 氧化物半导体层。 构成：在基板上形成栅电极（14）。 氧化物半导体层（18a）包括通过栅极绝缘层（16）绝缘的沟道，源极和漏极区域。 源极和漏极连接到源极和漏极区。 欧姆接触层（18b）被允许在源极和漏极区域以及源极和漏极之间。 欧姆接触层包括载流子浓度高于源极和漏极区的氧化物半导体层。
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公开(公告)号：KR1020090105561A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080031093
申请日：2008-04-03
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1343 , G02F2201/40 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a flat panel display device with the same are provided to prevent electric characteristics from lowering due to damage to an oxide semiconductor layer, thereby obtaining capacitance of a capacitor without increasing surface area. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a substrate(10), a lower electrode(14b), an insulating layer(16), an upper electrode(18b), a protective film(20), a source electrode(22a), and a drain electrode(22b). The substrate includes the first area and the second area. The lower electrode is formed on a gate electrode(14a) and a substrate of the second area. The insulating layer is formed on an upper part of the semiconductor device including the gate electrode and the lower electrode. The upper electrode is made of a channel area, an activation layer(18a) and an oxide semiconductor on the insulating layer of the lower electrode. The protective layer is patterned to expose an upper electrode and the source and drain areas.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件和具有该半导体器件的平板显示器件，以防止由于氧化物半导体层的损坏导致的电特性降低，从而获得电容器的电容而不增加表面积。 构成：半导体器件包括衬底（10），下电极（14b），绝缘层（16），上电极（18b），保护膜（20），源电极（22a）和漏极 电极（22B）。 基板包括第一区域和第二区域。 下电极形成在栅极电极（14a）和第二区域的衬底上。 绝缘层形成在包括栅电极和下电极的半导体器件的上部。 上部电极由下部电极的绝缘层上的沟道区域，活化层（18a）和氧化物半导体构成。 图案化保护层以暴露上电极和源极和漏极区域。
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