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公开(公告)号：KR100986896B1
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020080123141
申请日：2008-12-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명은 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상할 수 있도록 한 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 유기전계발광 표시장치는 주사선들로 주사신호를 공급하기 위한 주사 구동부와; 데이터선들로 상기 주사신호가 공급되는 기간 중 제 1기간 동안 기준전원을 공급하고, 상기 제 1기간을 제외한 나머지 제 2기간 동안 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부와; 상기 주사선들 및 데이터선들의 교차부에 위치되는 화소들을 구비하며; i(i는 자연수)번째 수평라인에 위치되는 화소는 캐소드전극이 제 2전원에 접속되는 유기 발광 다이오드와; 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 제 1전원 사이에 접속되는 제 1트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터와 상기 제 1전원 사이에 접속되는 제 4트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터의 게이트전극과 상기 데이터선 사이에 접속되며, i번째 주사선으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되는 제 2트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터 및 상기 제 4트랜지스터의 공통노드와 상기 데이터선 사이에 접속되며, 상기 i번째 주사선으로 주시신호가 공급될 때 턴-온되는 제 3트랜지스터와; 상기 제 1트랜지스터의 게이트전극과 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극 사이에 접속되는 제 1커패시터와; 상기 유기 발광 다이오드의 애노드전극과 소정의 전압원 사이에 접속되는 제 2커패시터를 구비한다.-
公开(公告)号：KR100941836B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080045969
申请日：2008-05-19
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276 , H01L29/7869 , H01L2251/5323
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 본 발명의 유기 전계 발광표시장치는, 다수의 주사선, 데이터선 및 화소 전원선이 매트릭스 형태로 배열되며, 상기 다수의 주사선, 데이터선 및 화소 전원선의 교차영역에 각각의 부화소가 형성되는 화소부와; 상기 각각의 부화소를 구동시키기 위한 신호를 입력받는 패드부와, 상기 패드부를 통해 상기 신호를 상기 다수의 주사선 및 데이터선에 공급하는 주사 구동부 및 데이터 구동부와, 상기 화소 전원선으로 전원을 공급하는 전원 공급선이 형성된 비화소부가 포함되고, 상기 부화소는, 산화물 반도체층을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 이격되어 배치되며, 하부전극 및 상부전극이 투명한 도전물질로 구현되는 캐패시터와; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 캐패시터 상부에 배치되는 유기 발광소자를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
투명한 도전성 물질, 캐패시터, 투명 반도체층, 전압 강하Abstract translation: 根据本发明，多条扫描线，数据线，和像素电源线中的一个实施方案中，本发明的有机发光显示装置被布置为矩阵形式中，每个所述多个扫描线，数据线的，和交叉区的像素电源线 像素形成; 扫描驱动器和数据驱动器，用于通过焊盘单元向多条扫描线和数据线提供信号;以及数据驱动器，用于向像素电源线供电， 以及其中形成电源线的非像素部分，所述子像素包括：包括氧化物半导体层的薄膜晶体管; 与薄膜晶体管隔开的电容器，下电极和上电极由透明导电材料形成; 和电连接到薄膜晶体管并设置在电容器上的有机发光二极管。
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公开(公告)号：KR1020090119446A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020080045497
申请日：2008-05-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F2001/136236 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a fabricating method of the thin film transistor are provided to form an etching protection film on a transparent semiconductor layer, thereby reducing damages of the transparent semiconductor layer during an etching process. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is located on a substrate(100). A gate insulating film(120) is located on the gate electrode. A transparent semiconductor layer(130) is located on the gate insulating film. An etching protection film(140) is located in a part of the transparent semiconductor layer. Source/drain electrodes(150a,150b) expose a part of the etching protection film. The source/drain electrodes are located on the protection film. The source/drain electrodes are connected to the transparent semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法，以在透明半导体层上形成蚀刻保护膜，从而减少在蚀刻过程中透明半导体层的损伤。 构成：栅电极（110）位于衬底（100）上。 栅极绝缘膜（120）位于栅极上。 透明半导体层（130）位于栅极绝缘膜上。 蚀刻保护膜（140）位于透明半导体层的一部分中。 源/漏电极（150a，150b）暴露一部分蚀刻保护膜。 源极/漏极位于保护膜上。 源极/漏极连接到透明半导体层。
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公开(公告)号：KR1020060112866A
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：KR1020050035553
申请日：2005-04-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/10 , H01L51/0002 , H01L51/0512 , H01L51/107
Abstract: An OTFT(organic thin film transistor) is provided to avoid a leakage current caused by accumulation of carriers while an organic semiconductor layer is formed to separate channel regions of adjacent thin film transistors by a simple process by forming an organic semiconductor layer by a CMP process while using a channel separation layer as a polishing stop layer. A source/drain electrode(121) is formed on a substrate(110). A channel separation layer(120) is formed on the substrate, including an opening part. A semiconductor layer(135) is formed in the opening part of the channel separation layer, coming in contact with the source/drain electrode. A gate(150) is formed on the substrate. A gate insulation layer(140) is formed between the source/drain electrode and the gate. The semiconductor layer includes an organic semiconductor layer.
Abstract translation: 提供了一种OTFT（有机薄膜晶体管），以避免由于载流子的积聚引起的漏电流，同时通过简单的工艺形成有机半导体层来分离相邻薄膜晶体管的沟道区域，通过CMP工艺形成有机半导体层 同时使用通道分离层作为抛光停止层。 源极/漏极（121）形成在衬底（110）上。 在基板上形成沟道分离层（120），包括开口部分。 在沟道分离层的开口部分形成半导体层（135），与源/漏电极接触。 在基板上形成栅极（150）。 在源/漏电极和栅极之间形成栅极绝缘层（140）。 半导体层包括有机半导体层。
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公开(公告)号：KR101117713B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020050060717
申请日：2005-07-06
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H05B33/22
Abstract: 본 발명은 유기 반도체층의 표면손상을 방지하고, 오프 전류를 감소시킬 수 있는 유기 박막 트래지스터 및 그의 제조방법과 유기박막 트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치를 개시한다.
본 발명은 게이트 전극, 소오스 및 드레인 전극 및 반도체층을 구비하는 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 기판상에 유기반도체물질을 형성하는 단계와; 상기 유기반도체물질상에 무기 절연막을 형성하는 단계와; 상기 무기 절연막상에 감광막을 형성하는 단계와; 상기 감광막을 이용하여 무기 절연막을 패터닝하는 단계와; 상기 무기 절연막을 식각정지막으로 이용하여 유기반도체물질을 건식식각하여 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100975204B1
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：KR1020080076010
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 게이트 절연막에 의해 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 산화물 반도체층은 제 1 케리어 농도를 갖는 제 1 두께 및 제 1 케리어 농도보다 낮은 제 2 케리어 농도를 갖는 제 2 두께로 이루어진다.
산화물 반도체, GaInZnO, 케리어 농도, 산소 농도, 산소 분압Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，形成在基底包括沟道区域，源极区域和漏极区域上的本发明的晶体管 的氧化物半导体层，从通过栅极绝缘膜在氧化物半导体层绝缘的栅极电极，并且包括源极电极和与源极区域和漏极区域，氧化物半导体层和具有的一个第一载流子浓度的第一厚度接触的漏电极 L 1载流子浓度。
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公开(公告)号：KR100944808B1
公开(公告)日：2010-02-26
申请号：KR1020080045497
申请日：2008-05-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 투명 반도체층; 상기 투명 반도체층 상의 일부에 위치하는 식각 보호막; 및 상기 식각 보호막의 일부를 노출시키며 상기 보호막 상에 위치하며, 상기 투명 반도체층의 양쪽 엣지 부분과 연결되는 소스/드레인 전극을 특징으로 하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
또한, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 투명 반도체 물질로 형성된 막을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하고, 상기 보호막을 패터닝하여 식각 보호막을 형성하고, 상기 투명 반도체 물질로 형성된 막을 패터닝하여 투명 반도체층을 형성하고, 상기 보호막 상에 위치하되 보호막의 일부를 노출시키고, 상기 투명 반도체층과 일부가 연결되도록 건식식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
투명 반도체층, 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100907400B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070086510
申请日：2007-08-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 엔(N) 타입 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극이 포함된다. 여기서, 상기 소스/드레인 전극과 접촉되는 반도체층은 1족 원소로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 이온이 도핑된 도핑영역을 포함한다.
N형 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 접촉저항, 이온 도핑, 전위장벽-
公开(公告)号：KR1020090072494A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070140628
申请日：2007-12-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/7869 , H01L51/0005
Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of masks by forming an organic semiconductor layer and an oxide semiconductor layer by an ink jet printing method. A first gate electrode(11) and a second gate electrode(12) are formed on a substrate(10), and are isolated each other. A gate insulation film(13) is formed on the first gate electrode and the second electrode. A first source/drain electrode(14a,14b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the first gate electrode. A P-type organic semiconductor layer(16) is formed on the first source/drain electrode by an ink jet printing method. A second source/drain electrode(15a,15b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the second gate electrode. An N-type oxide semiconductor layer(17) is formed on the second source/drain electrode by an ink jet printing method.
Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以通过喷墨打印方法形成有机半导体层和氧化物半导体层来减少掩模的数量。 第一栅电极（11）和第二栅电极（12）形成在基板（10）上，彼此隔离。 在第一栅电极和第二电极上形成栅极绝缘膜（13）。 第一源极/漏极（14a，14b）形成在栅极绝缘膜上，并且面对第一栅电极。 通过喷墨打印方法在第一源极/漏极上形成P型有机半导体层（16）。 第二源极/漏极（15a，15b）形成在栅极绝缘膜上，并面向第二栅电极。 通过喷墨印刷法在第二源极/漏极上形成N型氧化物半导体层（17）。
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公开(公告)号：KR1020090065951A
公开(公告)日：2009-06-23
申请号：KR1020070133508
申请日：2007-12-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618 , H01L29/06
Abstract: A manufacturing method of a thin film transistor and a manufacturing method of an organic light emitting display including the thin film transistor are provided to prevent generation of leakage current by maintaining stably resistivity of a channel region. A gate electrode(22) is formed on an insulating substrate(20). A gate insulating layer(23) is formed on an upper part of the insulating substrate including the gate electrode. The gate insulating layer includes oxygen ions. A semiconductor layer includes a channel region, a source region, and a drain region. A source electrode and a drain electrode come in contact with the semiconductor layer of the source region and the drain region. A protective layer is formed to coat an organic material on the upper part of the insulating substrate including the semiconductor layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管的制造方法和包括薄膜晶体管的有机发光显示器的制造方法，以通过维持沟道区域的稳定电阻来防止漏电流的产生。 在绝缘基板（20）上形成栅电极（22）。 在包括栅电极的绝缘基板的上部形成栅极绝缘层（23）。 栅绝缘层包括氧离子。 半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域的半导体层接触。 形成保护层，以在包括半导体层的绝缘基板的上部涂覆有机材料。
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