公开(公告)号：KR100769719B1

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：KR1020060116320

申请日：2006-11-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박형진 ,  김제원 ,  황석민 ,  채승완 ,  고건유 ,  김동우

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40

Abstract: A nitride-based light emitting device is provided to improve the effect of current diffusion by forming a transparent electrode and a transparent current diffusion layer on p-type and n-type nitride layers. An n-type nitride layer(120) is formed on a substrate, and has an upper surface defined by a first region and a second region. An active layer is formed on the second region of the n-type nitride layer. A p-type nitride layer is formed on the active layer, and a transparent electrode(150) is formed on the p-type nitride layer. A p-type electrode(160) is formed on the transparent electrode, and a transparent current diffusion layer(180) is formed on the first region of the n-type nitride layer. An n-type electrode(170) is formed on the transparent current diffusion layer.

Abstract translation: 提供一种氮化物系发光器件，通过在p型和n型氮化物层上形成透明电极和透明电流扩散层来提高电流扩散的效果。 在衬底上形成n型氮化物层（120），并且具有由第一区域和第二区域限定的上表面。 在n型氮化物层的第二区域上形成有源层。 在有源层上形成p型氮化物层，在p型氮化物层上形成透明电极（150）。 在透明电极上形成p型电极（160），在n型氮化物层的第一区域上形成透明电流扩散层（180）。 在透明电流扩散层上形成n型电极（170）。

公开(公告)号：KR100721143B1

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：KR1020060006717

申请日：2006-01-23

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 황석민 ,  오방원 ,  고건유 ,  박형진

IPC: H01L33/38

Abstract: 본 발명은 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층 상에 형성된 n형 질화갈륨층과, 상기 n형 질화갈륨층의 소정 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화갈륨층과, 상기 p형 질화갈륨층 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 p형 전극과, 상기 활성층이 형성되지 않은 상기 n형 질화갈륨층 내에 소정 깊이로 형성된 하나 이상의 트렌치 및 상기 트렌치의 내벽을 따라 형성된 n형 전극을 포함하는 질화갈륨계 발광다이오드에 관한 것이다.
LED, 수평, 전류확산, n형 전극, 트렌치

Abstract translation: 形成本发明的有源层上涉及一种基于氮化镓的发光二极管，特别地，基片，形成在所述衬底，缓冲层以及形成在所述缓冲层上的n型氮化镓层和所述n型氮化镓层的预定区域上 形成在有源层上的p型GaN层，形成在p型GaN层上的透明电极，形成在透明电极上的p型电极和形成在n型氮化镓层上的n型氮化镓层 并且至少一个在沟槽中预定深度形成的沟槽和沿着沟槽的内壁形成的n型电极。

公开(公告)号：KR100814464B1

公开(公告)日：2008-03-17

申请号：KR1020060117208

申请日：2006-11-24

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  김제원 ,  김동우 ,  황석민 ,  박형진

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/02

Abstract: A nitride-based semiconductor light emitting device is provided to increase an effective area for light emission by eliminating the necessity of connection electrodes for connecting a plurality of electrode pads of first and second conductivity types or a plurality of electrodes of the first and second conductivity types. A nitride semiconductor layer(120) of a first conductivity type is formed on a substrate, An active layer is formed on a predetermined region of the nitride semiconductor layer. A nitride semiconductor layer of a second conductivity type is formed on the active region. A transparent electrode(150) is formed on the nitride semiconductor layer of the second conductivity type. At least two electrode pads(170a) of the second conductivity type are formed on the transparent electrode, not coming in direct contact with the transparent electrode and separated from each other. A plurality of electrodes(170) of the second conductivity type are made of a linear type, directly extended in one direction from the electrode pad of the second conductivity. At least one electrode pad(160a) of the first conductivity type is formed on the nitride semiconductor layer of the first conductivity type where the active layer is not formed, confronting the electrode pad of the second conductivity type. A plurality of electrodes(160) of the first conductivity type is made of a linear type, directly extended in one direction from the electrode pad of the first conductivity type and composed of a finger structure gearing with the electrode of the second conductivity type.

Abstract translation: 提供了一种氮化物系半导体发光器件，用于通过消除用于连接多个第一和第二导电类型的电极焊盘的连接电极或第一和第二导电类型的多个电极来增加发光的有效面积 。 在衬底上形成第一导电类型的氮化物半导体层（120）。在氮化物半导体层的预定区域上形成有源层。 在有源区上形成第二导电类型的氮化物半导体层。 在第二导电类型的氮化物半导体层上形成透明电极（150）。 第二导电类型的至少两个电极焊盘（170a）形成在透明电极上，不与透明电极直接接触并且彼此分离。 第二导电类型的多个电极（170）由直线型制成，从第二导电性的电极焊盘沿一个方向直接延伸。 在第一导电类型的氮化物半导体层上形成第一导电类型的至少一个电极焊盘（160a），其中没有形成有源层，面对第二导电类型的电极焊盘。 第一导电类型的多个电极（160）由直线型形成，从第一导电类型的电极焊盘直接沿一个方向延伸，并且由与第二导电类型的电极的手指结构构成。

公开(公告)号：KR100812737B1

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：KR1020060064431

申请日：2006-07-10

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  김제원 ,  김동우 ,  박형진 ,  황석민

IPC: H01L33/36

Abstract: 본 발명은 플립칩용 질화물계 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 서브마운트의 리드 패턴 상에 범프 볼을 통해 플립 본딩되는 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 기판과, 상기 기판 상에 형성되되, 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제1 영역 상에 형성된 활성층과, 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극과, 상기 p형 전극 상에 형성되되, 서로 등간격을 이루며 균일하게 배치된 다수의 p형 전극 패드 및 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되되, 상기 p형 전극 패드와 서로 등간격을 이루며 균일하게 배치된 다수의 n형 전극 패드를 포함하는 플립칩용 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
플립-칩(flip-chip), 발광다이오드(LED), 전극패드, 발광면, 저항

公开(公告)号：KR1020070099269A

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：KR1020060030502

申请日：2006-04-04

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  오방원 ,  함헌주 ,  김제원 ,  박형진 ,  황석민 ,  김동우

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: A nitride-based semiconductor light-emitting device is provided to expand a light-emitting surface through a P-type connection electrode linearly formed at the corner of a transparent electrode at a tilt angle below 90 degrees. A nitride-based semiconductor light-emitting device includes a substrate, an n-type nitride semiconductor layer(120), an active layer, a p-type nitride semiconductor layer, a transparent electrode(150), a p-type electrode pad(170a), a p-type connection electrode(170'), a p-type electrode(170), and an n-type electrode pad(160a). The n-type nitride semiconductor layer(120) is formed on the substrate. The active layer is formed in a predetermined area of the n-type nitride semiconductor layer(120). The p-type nitride semiconductor layer is formed on the active layer. The transparent electrode(150) is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The p-type electrode pad(170a) is formed on the transparent electrode(150). The p-type connection electrode(170') is extended from the p-type electrode pad(170a), and is linearly formed at a tilt angle less than 90 degrees with respect of one side of the transparent electrode(150) adjacent to the p-type electrode pad(170a). The p-type electrode(170) is extended from one end of the p-type connecting electrode(170') toward the n-type electrode pad(160a), and is parallel to one side of the adjacent transparent electrode(150). The n-type electrode pad(160a) faces the p-type electrode pad(170a) on the n-type nitride semiconductor layer(120) without the active layer.

Abstract translation: 提供了一种氮化物系半导体发光器件，用于通过在透明电极的角部线性形成的P型连接电极以90度以下的倾斜角度使发光面膨胀。 氮化物系半导体发光元件包括基板，n型氮化物半导体层（120），有源层，p型氮化物半导体层，透明电极（150），p型电极焊盘 170a），p型连接电极（170'），p型电极（170）和n型电极焊盘（160a）。 n型氮化物半导体层（120）形成在基板上。 有源层形成在n型氮化物半导体层（120）的预定区域中。 p型氮化物半导体层形成在有源层上。 透明电极（150）形成在p型氮化物半导体层上。 p型电极焊盘（170a）形成在透明电极（150）上。 p型连接电极（170'）从p型电极焊盘（170a）延伸，并且相对于邻近于透明电极（150）的一侧的倾斜角小于90度线性地形成 p型电极焊盘（170a）。 p型电极（170）从p型连接电极（170'）的一端朝向n型电极焊盘（160a）延伸，并且与相邻的透明电极（150）的一侧平行。 n型电极焊盘（160a）面对没有活性层的n型氮化物半导体层（120）上的p型电极焊盘（170a）。

公开(公告)号：KR100706944B1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：KR1020050097604

申请日：2005-10-17

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  황석민 ,  박형진

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/36

Abstract: 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 특히, 기판과, 상기 기판 상에 형성되어 있으며, 제1 영역 및 상기 제1 영역과 서로 맞물리는 핑거 구조의 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 n형 질화물 반도체층과, 상기 n형 질화물 반도체층의 제2 영역 상에 형성되어 있는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되어 있는 p형 질화물 반도체층과, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 반사전극과, 상기 반사전극 상에 형성되어 있는 p형 전극과, 상기 n형 전극 상에 형성되되, 적어도 하나 이상 상기 n형 전극의 다른 변에 인접하게 배치된 다수의 n형 전극 패드를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자를 제공한다.
질화물, 반도체, 대면적, 분할, 구동전압, 전류확산

Abstract translation: 具有顶表面的本发明Ñ涉及一种氮化物系半导体发光元件，特别是，基板和，形成在基板上并划分为第一区域和所述第一区域的第二区域，并且所述互锁手指一起结构 型氮化物半导体层，并且所述第二区域和所述有源层的n型氮化物半导体层被形成在，在有源半导体层上形成p型氮化物，形成在p型氮化物半导体层上的反射 以及形成在所述n型电极上并与所述至少一个n型电极的另一侧相邻设置的多个n型电极焊盘， 基半导体发光器件。

公开(公告)号：KR1020070034716A

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：KR1020050089199

申请日：2005-09-26

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 고건유 ,  오방원 ,  민복기 ,  박형진 ,  황석민

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/641

Abstract: A GaN based LED and a method of manufacturing the same are provided. The GaN based semiconductor LED can have an improved heat dissipation capability of a sapphire substrate, thereby preventing device characteristic from being degraded by heat and improving the luminous efficiency of the device. In the GaN based LED, a sapphire substrate has at least one groove formed in a lower portion thereof. A thermally conductive layer having higher thermal conductivity than the sapphire substrate is formed on a bottom surface of the sapphire substrate to fill the groove. An n-type nitride semiconductor layer is formed on the sapphire substrate, and an active layer and a p-type nitride semiconductor layer are sequentially formed on a predetermined portion of the n-type nitride semiconductor layer. A p-electrode and an n-electrode are formed on the p-type nitride semiconductor layer and the n-type nitride semiconductor layer, respectively.

Abstract translation: 提供了一种GaN基LED及其制造方法。 GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底的散热能力，由此防止器件特性因热而降级并且提高器件的发光效率。 在基于GaN的LED中，蓝宝石衬底具有在其下部中形成的至少一个凹槽。 具有比蓝宝石衬底更高导热率的导热层形成在蓝宝石衬底的底表面上以填充凹槽。 在蓝宝石衬底上形成n型氮化物半导体层，并且在n型氮化物半导体层的预定部分上依次形成有源层和p型氮化物半导体层。 在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上分别形成p电极和n电极。