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公开(公告)号：KR1020000012966A
公开(公告)日：2000-03-06
申请号：KR1019980031567
申请日：1998-08-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/283
Abstract: PURPOSE: A TiN layer is used as a barrier metal to prevent the damage of the lower conductive layer due to tungsten mainly used as a conductive layer and improve the adhesion to a IMD (inter-metal dielectric). But a over-hang on the upper part of a via hole due to a high aspect ratio caused by the current high integration makes the conductive layers like tungsten filling in the via hole and creates a void or a seaming phenomenon. CONSTITUTION: In the contact manufacturing method of a semiconductor, a via hole(106) is formed on a IMD(inter-metal dielectric)(104). Then after a barrier metal (108) which is a TiN layer is formed, the overhang of the barrier metal is removed on the upper part of the via hole (106) and the quality of the TiN layer is improved by a plasma manufacturing process which uses Ar and NH.sub.3. A via contact (112) is formed by the filling of the conductive layers in a post procedure,. So, the occurrence of void is prevented in the via hole because the filling of the conductive layer is proceeded by the removal of the overhang which occurs during the formation of the barrier metal.
Abstract translation: 目的：将TiN层用作阻挡金属，以防止由于主要用作导电层的钨导致的下导电层的损坏，并改善与IMD（金属间电介质）的粘合性。 但是由于目前的高集成度导致的高纵横比，在通孔的上部过度悬挂，使得诸如钨的填充在导电孔中的导电层产生空隙或接缝现象。 构成：在半导体的接触制造方法中，在IMD（金属间电介质）（104）上形成通孔（106）。 然后在形成作为TiN层的阻挡金属（108）之后，在通孔（106）的上部除去阻挡金属的突出部，通过等离子体制造工艺改善TiN层的质量， 使用Ar和NH3。 通过在后续过程中填充导电层形成通孔接触（112）。 因此，由于导电层的填充通过去除在形成阻挡金属过程中发生的悬垂而进行，所以在通孔中防止空隙的发生。
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公开(公告)号：KR1019990031421A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970052129
申请日：1997-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야.
본 발명은 무지향 스피커 시스템을 위한 음향 반사판 장치에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.
본 발명은 모든방향에 특히 360도에 대해 균일한 음파를 내도록 하는 무지향 스피커 시스템을 위한 음향 반사판 장치를 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지.
본 발명은 360도 입체 지향성을 갖도록 구형 형상의 캐비넷에 상하로 스피커유니트를 고정되게 설치하고, 상기 스피커유니트의 전면에 음파의 확산을 위하여 음향 반사판을 형성하고, 이 음향 반사판의 중앙에 스피커의 전후방향의 지향성과 음압레벨 및 주파수 응답특성을 개선하기 위하여 일정크기의 원형 개구공을 형성하여 스피커유니트의 음이 전면의 음향 반사판과 개구공에 의해 360도 입체 무지향을 실현할 수 있도록 한 무지향 스피커 시스템을 위한 음향 판사판 장치를 구성한다.
라. 발명의 중요한 용도.
본 발명은 360도 입체 무지향성을 갖도록 구형의 캐비넷에 반사판을 형성하고 상기 반사판 중앙에 개구공을 형성한 무지향 스피커 시스템.-
公开(公告)号：KR1019990031418A
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：KR1019970052126
申请日：1997-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R1/40
Abstract: 가. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야.
본 발명은 무지향 스피커 시스템에 관한 것이다.
나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.
본 발명은 모든방향에 특히 360도에 대해 균일한 음파를 내도록 하는 무지향 스피커 시스템을 제공함에 있다.
다. 발명의 해결방법의 요지.
본 발명은 무지향 스피커 시스템은 360도 입체 지향성을 갖도록 구형 형상과 직육면체 형상의 캐비넷에 전후로 스피커유니트를 고정되게 설치하고, 상기 스피커유니트가 설치된 전후면에 음파의 확산을 위하여 음향반사판을 형성하고, 이 음향 반사판의 크기는 스피커유니트의 진동반경의 크기에 맞게 형성하여 반사효율을 개선하며, 상기 스피커유니트의 음이 캐비넷 전면의 음향 반사판에 의해 반사되어 360도 입체 무지향을 실현할 수 있도록 무지향 스피커 시스템을 특징으로 한다.
라. 발명의 중요한 용도.
본 발명은 360도 입체 무지향성을 갖도록 한 무지향 스피커 시스템.-
公开(公告)号：KR1019980069095A
公开(公告)日：1998-10-26
申请号：KR1019970006002
申请日：1997-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김민
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 장치의 배선막 등으로 널리 사용되고 있는 텅스텐 실리사이드막을 형성할 때 발생되는 파티클을 최소화하고, 반도체 장치의 제조 시간을 감축시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 장치의 제조 방법은, SixHy 가스를 반도체 기판과 반응시켜 상기 반도체 기판상에 Si 시드를 형성하는 단계와, DCS 가스와 WF
6 가스와의 혼합 가스를 이용하여 상기 반도체 기판상에 WSiz막을 형성하는 단계와, SixHy 가스를 이용하여 상기 WSiz막상에 캡핑막을 형성하는 단계를 포함한다. 이와 같은 방법에 의해서, 텅스텐 실리사이드막상에 캡핑막을 형성하기 위한 공정 시간을 감축시킬 수 있고, 아울러, 잔류 가스에 의한 반도체 장치의 오염을 최소화할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980026827A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：KR1019960045392
申请日：1996-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀 형성방법이 개시되어 있다. 이 방법은 반도체기판 상에 불순물을 함유하는 하부 평탄화산화막 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 인산용액 또는 황산용액에 대한 식각률이 상기 하부 층간절연막의 식각률보다 더 빠른 특성을 갖는 캐핑절연막을 형성하는 단계와, 상기 캐핑절연막 상에 상기 하부 평탄화산화막과 동일한 막질로 이루어진 상부 평탄화산화막을 형성하는 단계와, 상기 상부 평탄화산화막의 소정영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로하여 상기 노출된 상부 평탄화산화막 및 그 아래의 캐핑절연막과 하부 평탄화산화막을 연속적으로 식각함으로써, 상기 반도체기판의 소정영역을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 황산용액에 담구어 상기 포토레지스트 패턴을 제거함과 동시에 상� �� 콘택홀 측벽에 노출된 캐핑절연막을 등방성 식각함으로써, 요부를 갖는 콘택홀 측벽을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 산화막 식각용액으로 세정함으로써, 상기 콘택홀에 의해 노출된 반도체기판의 표면의 자연산화막을 제거함과 동시에 상기 등방성 식각된 캐핑절연막에 의한 홀의 내경보다 작거나 동일한 내경을 갖도록 상기 상부 평탄화산화막 및 상기 하부 평탄화산화막을 등방성 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 콘택홀 측벽에 돌출부가 형성되는 것을 방지할 수 있으므로 콘택홀을 채우는 금속막 형성시 콘택홀 내에 보이드가 형성되는 현상을 개선시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970018650A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031786
申请日：1995-09-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/00
Abstract: 본 발명은 반도체장치의 금속접촉부를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 구성은 반도체기판(10)상에 층간 절연막으로서 제1의 BPSG막(11)을 형성하는 공정과; 상기 제1의 BPSG막(11)상에 비트라인층(12)을 형성하는 공정과; 상기 비트라인층(12)을 포함하여 상기 제1의 BPSG막(11)상에 적어도 500Å 이상의 두께를 갖는 PE-산화막(13)을 형성하는 공정과; 스페이서형성용 마스크를 사용하여 상기 PE-산화막(13)을 건식식각하여 상기 비트라인층(12)의 측벽에 스페이서(13a)를 형성하되, 상기 스페이서(13a)로 남아 있는 패턴의 측면은 500Å이상의 두께의 PE-산화막이 남도록 하고 그리고 이외의 부분에는 PE-산화막의 두께를 500Å이하가 되도록 하는 공정과; 그 위에 층간절연막인 제2의 BPSG막(14)의 증착을 증착한 다음 커페시터형성용 콘택홀을 형성하는 공정을 포함한다. 본 발명에 의하면, 남아 있는 제1의 BPSG막의 두께는 후속의 열처리공정에서 BPSG화될 수 있을 정도로 충분히 낮고, 그리고 상기 비트라인의 측면에 있는 스페이서는 비트라인의 시프트 및 BPSG 버블에 의한 결함발생을 방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR101697251B1
公开(公告)日：2017-01-17
申请号：KR1020110000534
申请日：2011-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04R9/043 , Y10T29/49005
Abstract: 본발명은슬림형스피커에관한것으로서, 프레임과, 프레임의상단에설치되는진동판과, 진동판의아래에설치되며, 하단에음성코일이감긴보빈과, 음성코일이감긴상기보빈의하단부가삽입되어상하로직선이동할수 있는홈을포함하는자석부재와, 보빈의중심에상기보빈과평행하도록상기자석부재에고정된중심기둥, 및중심기둥에서상기보빈의내주면을지지하고상기프레임에서상기보빈의외주면을지지하여, 상기보빈이직선왕복운동을할 수있도록지지하는댐퍼;를포함한다.
Abstract translation: 扬声器包括框架，设置在扬声器的框架的顶端的隔膜和设置在隔膜下方的绕线筒。线圈缠绕在线轴的底端，磁性构件具有槽，底部端部 卷绕绕线圈的线轴以上下方向的直线被插入并往复运动中心支柱固定在线轴的中心处的磁性部件上，与线轴的运动平行地延伸。 阻尼器从中心支柱支撑线轴的内圆周表面。 阻尼器另外从框架支撑筒管的外圆周表面，以便使筒管以直线往复运动。 通过阻尼器在长度方向和宽度方向上支撑线轴导致摆动和失真的最小化，从而使扬声器产生准确的声音。
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公开(公告)号：KR101641573B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020090108912
申请日：2009-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229
Abstract: 소자분리구조물은제1 영역및 제2 영역을가지며, 상호이격된복수의소자들이배치되는기판, 소자들사이및 제1 영역의기판상부에제1 폭을갖도록형성된제1 트렌치내부에순차적으로형성된보이드가없는제1 산화막패턴및 제3 산화막패턴및 소자들사이및 제2 영역의기판상부에제1 폭보다큰 제2 폭을갖도록형성된제2 트렌치내부에순차적으로형성된제2 산화막패턴및 내부에보이드를갖는제4 산화막패턴을포함한다. 따라서, 소자분리구조물은우수한열적안정성을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150143207A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020140072437
申请日：2014-06-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의사상에따르면스피커유닛은복수의극을갖고자속을발생시키는마그네트와, 마그네트에서발생한자속의경로를형성하는요크부로서, 마그네트의어느하나의극으로부터연장되는제 1 요크와, 마그네트의다른어느하나의극으로부터연장되는제 2 요크와, 제 1 요크와제 2 요크의사이에형성되는복수의자기갭을갖는요크부와, 복수의자기갭에배치되어전류인가시에운동하는보이스코일과, 보이스코일의운동에따라진동하며음압을발생시키는다이아프램을포함하고, 제 1 요크는복수의자기갭을형성하도록제 2 요크측으로돌출되는복수의자기플레이트를포함하고, 복수의자기플레이트는서로상이한두께를갖도록마련되어, 보이스코일의유동거리가증대되고, 언밸런스구조에따른차별화된음질을갖는다.
Abstract translation: 根据本发明，扬声器单元包括：具有多个磁极并产生磁通量的磁体; 形成由磁体产生的磁通的路径的磁轭单元包括从磁体的一个磁极延伸的第一磁轭和从磁体的另一个磁极延伸的第二磁轭，并且在第一和第二磁体之间形成多个磁隙 第二个轭 当施加电流时，设置在磁隙上以移动的音圈单元; 以及根据音圈的移动而振动并产生负压的隔膜。 第一磁轭包括朝向第二磁轭突出以形成磁隙的多个磁性板。 磁板具有不同的厚度以增加音圈的流动距离，并通过不平衡的结构实现卓越的声音质量。
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公开(公告)号：KR1020150101639A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140023185
申请日：2014-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B05B15/12
CPC classification number: B05B13/0242 , B05B13/025
Abstract: 본 발명은 복수의 레일을 포함하는 코팅장치 및 이를 갖는 코팅시스템에 관한 것이다. 코팅장치는 외관을 형성하는 부스, 부스의 내부에 위치하고, 피코팅체에 코팅물질을 분사하는 분사유닛, 부스를 관통하며 연장되도록 설치되고, 피코팅체가 각각 로딩되는 복수의 컨베이어을 포함한다. 복수의 컨베이어를 따라 피코팅체가 이동하여 효율적으로 부대시설을 이용할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及包括多个轨道的涂覆装置和包括该导轨的涂覆系统。 该涂布装置包括形成外观的展位，位于展位内的喷涂单元，将涂料喷涂到待涂装物体上，以及多个输送机，其通过穿过展厅延伸并将物体加载到 分别涂覆。 本发明通过沿输送机移动被涂物体来提高生产率并有效地利用辅助设备。
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