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公开(公告)号:KR1020120011186A
公开(公告)日:2012-02-07
申请号:KR1020100072854
申请日:2010-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B6/12
CPC classification number: H05B6/062 , H05B2213/04 , H05B2213/07
Abstract: PURPOSE: A temperature sensor and an induction heating cooker having the same are provided to improve productivity and space utilizability by including a heat transfer member which transfers the heat of a working coil side to the temperature sensor. CONSTITUTION: An object is placed on countertop. A working coil(20) and temperature sensor(30) are arranged in the lower side of the countertop. A heat transfer member(40) transfers the heat of a working coil to the temperature sensor. One part of the heat transfer member is contacted to the working coil. The heat transfer member is formed into a non-magnetic material in which heat conductivity is excellent. The heat transfer member is composed of one material among copper, aluminum, and stainless steel. The heat transfer member comprises a sealing pipe in which working fluid is filled.
Abstract translation: 目的:提供一种温度传感器和具有该温度传感器的感应加热烹调器,以通过包括将工作线圈侧的热传递到温度传感器的传热构件来提高生产率和空间利用率。 构成:物体放在台面上。 工作线圈(20)和温度传感器(30)布置在台面的下侧。 传热构件(40)将工作线圈的热量传递到温度传感器。 传热部件的一部分与工作线圈接触。 传热构件形成为导热性优异的非磁性材料。 传热构件由铜,铝和不锈钢中的一种材料组成。 传热构件包括填充工作流体的密封管。
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公开(公告)号:KR1020070020898A
公开(公告)日:2007-02-22
申请号:KR1020050075263
申请日:2005-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 공기로부터 오염물질을 제거하는 오염 제어 시스템을 제공한다.
오염 제어 시스템은 기액 접촉에 의해 공기 중의 분자상 오염물질들을 포집하고 이를 아래 방향으로 배출하는 제거기와 제거기가 적셔진 상태로 유지되도록 제거기로 탈이온수를 공급하는 액체 공급기를 가진다. 제거기는 그 측방향으로 공기가 유입되도록 배치되고, 액체 공급기는 제거기의 상부에서 탈이온수를 제거기로 공급하도록 배치된다.
오염 제어 시스템, 분자상 오염 물질, 기액 접촉, 제거기, 액체 공급기-
公开(公告)号:KR102220509B1
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:KR1020190146791
申请日:2019-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 영상음향시스템이개시된다. 영상음향시스템은, 상단이개방되며, 내부에수납공간이마련된하우징, 하우징의내부에설치되어하우징상단을통해노출가능하도록동작하는영상음향장치및, 영상음향장치를하우징상단을통해노출시키거나하우징내부에수납시킬수 있는승강장치를포함한다. 이경우영상음향장치는, 디스플레이, 디스플레이의적어도일 측에구비된스피커및, 제1 이벤트에따라디스플레이가하우징내부에수납된상태에서미디어아트컨텐츠를출력하는제1 모드로동작하고, 제2 이벤트에따라디스플레이일부가하우징상단을통해외부로노출된상태에서스피커를통해음향컨텐츠를출력하는제2 모드로동작하고, 제3 이벤트에따라디스플레이전체가하우징상단을통해외부로노출된상태에서영상컨텐츠를출력하는제3 모드로동작하도록제어하는프로세서를포함한다.
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公开(公告)号:KR101844405B1
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:KR1020110032614
申请日:2011-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05B6/065 , H05B2213/03 , H05B2213/05
Abstract: 본발명의일 측면은하나의가열코일에복수개의용기가올려지고각 용기의조리조건이상이한경우에가열코일의파워를안정적으로조절할수 있는유도가열조리기및 그제어방법을제공한다. 이를위해본 발명의일 실시예에따른유도가열조리기는조리판아래에설치되는복수개의가열코일; 복수개의가열코일위에용기가놓여있는지판단하는제어부;를포함하고, 제어부는하나의가열코일위에복수개의용기가놓여있는지판단하고, 하나의가열코일위에복수개의용기가놓여있으면, 복수개의용기가각각점유하는다른가열코일의출력을기초로복수개의용기가놓여진가열코일의출력을조절한다. 이를통해하나의가열코일에올려진복수개 용기의조리조건이상이한경우에도사용자의의사를반영하여복수개의용기에대한조리를안정적으로수행할수 있다..
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公开(公告)号:KR101837562B1
公开(公告)日:2018-03-12
申请号:KR1020150155980
申请日:2015-11-06
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: H01M2/16 , H01M10/052
CPC classification number: H01M2/1686 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/166 , H01M10/0525
Abstract: 다공성기재및 상기다공성기재의적어도일면에위치하는내열층을포함하고, 상기내열층은가교구조를가지는바인더, 구형필러및 상기구형필러보다적게포함되어있는판상필러를포함하는이차전지용세퍼레이터및 이를포함하는이차전지에관한것이다.
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公开(公告)号:KR101709696B1
公开(公告)日:2017-02-23
申请号:KR1020150026797
申请日:2015-02-25
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: H01M2/16
CPC classification number: H01M2/1653 , H01M2/166 , H01M2/1686 , H01M10/052
Abstract: 기재, 그리고상기기재의적어도일면에위치하고이미드계공중합체를포함하는내열다공층을포함하고, 상기이미드계공중합체는하기화학식 1로표시되는제1 반복단위및 하기화학식 2로표시되는제2 반복단위를포함하는리튬이차전지용세퍼레이터및 이를포함하는리튬이차전지가제공된다. [화학식 1][화학식 2](상기화학식 1 및 2에서, L, L, Q, Q, R, R′, a, a′, m 및 n은각각명세서에정의된바와같다.)
Abstract translation: 一种用于可再充电锂电池和可再充电锂电池的隔板,所述隔板包括基板,以及在所述基板的至少一侧上的耐热多孔层,所述耐热多孔层包括基于酰亚胺的共聚物,其中, 酰亚胺基共聚物包括由化学式1表示的第一重复单元和由化学式2表示的第二重复单元:
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公开(公告)号:KR1020160115599A
公开(公告)日:2016-10-06
申请号:KR1020150043601
申请日:2015-03-27
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
IPC: H01M2/16 , H01M10/052
CPC classification number: H01M2/1686 , H01M2/1646 , H01M2/1653 , H01M2/166 , H01M10/052
Abstract: 기재, 그리고상기기재의적어도일면에위치하고가교바인더및 비가교바인더를포함하는내열다공층을포함하고, 상기가교바인더는다관능우레탄계화합물을포함하는가교성화합물로부터가교된구조를가지며, 상기가교바인더및 상기비가교바인더는 3:7 내지 8:2의중량비로포함되는리튬이차전지용세퍼레이터및 이를포함하는리튬이차전지가제공된다.
Abstract translation: 一种用于可再充电锂电池的隔板和包括该可再充电锂电池的可再充电锂电池,所述隔板包括基板,以及在所述基板的至少一侧上的耐热多孔层,所述耐热多孔层包括交联粘合剂和 非交联粘合剂,其中所述交联粘合剂具有至少一种可交联化合物的交联结构,所述至少一种可交联化合物包含多官能氨基甲酸酯基化合物,并且所述交联粘合剂和所述非交联粘合剂包括 重量比为约3:7至约8:2。
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公开(公告)号:KR1020150002980A
公开(公告)日:2015-01-08
申请号:KR1020130075046
申请日:2013-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: F25B1/00
CPC classification number: F25B1/005 , C09K5/041 , C09K2205/10 , F25B9/002 , F25B13/00 , F25B31/002 , F25B41/06 , F25B2400/12 , F25B2400/121 , F25B2500/01
Abstract: 냉동장치는 R1234yf 단일냉매, R1234yf 혼합냉매, R1234ze 단일냉매, R1234ze 혼합냉매 중 어느 하나를 작동냉매로 하는 냉동 사이클을 형성하며, 극압첨가제를 첨가한 냉동기 오일이 사용되는 압축기를 갖는 냉매회로를 포함한다. 이를 통해 친환경적인 냉매를 사용함과 동시에 냉방효율이 높은 공기조화기의 구현이 가능하다.
Abstract translation: 一种制冷装置,包括使用选自R1234yf单一制冷剂,R1234yf混合制冷剂,R1234ze单一制冷剂和R1234ze混合制冷剂中的选择的工作制冷剂形成制冷循环的制冷剂回路。 制冷剂回路具有使用包含极压添加剂的冷冻机油的压缩机。 使用环保的制冷剂,并且提供具有高冷却效率的空调。
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公开(公告)号:KR1020140048650A
公开(公告)日:2014-04-24
申请号:KR1020120114864
申请日:2012-10-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/31144 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/0688
Abstract: Provided are a 3D semiconductor device and a method for manufacturing the 3D semiconductor device. The method for manufacturing the 3D semiconductor device comprises forming a laminated structure by successively laminating a plurality of horizontal films on a substrate having a cell array area and a contact area; forming a first mask pattern which covers the cell array area and comprises openings extended to one direction on the contact area; performing a first etching process of first etching depth for the laminated structure by using the first mask pattern as an etching mask; forming a second mask pattern which covers the cell array area and exposes a part of the contact area; and a step for performing a second etching process of second etching depth, greater than the first etching depth, for the laminated structure by using the second mask pattern as the etching mask. [Reference numerals] (AA) Repeat N-1 times; (S1) Successively laminate horizontal layers of a 2n layer; (S2) Form a line type mask pattern; (S3) Etching process of first etching depth; (S4) Form a flat mask pattern; (S5) Etching process of second etching depth; (S6) Reduce the flat mask pattern; (S7) Form step structure wiring
Abstract translation: 提供了3D半导体器件和用于制造3D半导体器件的方法。 制造3D半导体器件的方法包括通过在具有单元阵列区域和接触面积的基板上依次层叠多个水平薄膜来形成叠层结构; 形成覆盖所述单元阵列区域并包括在所述接触区域上向一个方向延伸的开口的第一掩模图案; 通过使用第一掩模图案作为蚀刻掩模,对叠层结构进行第一蚀刻深度的第一蚀刻工艺; 形成覆盖所述单元阵列区域并露出所述接触区域的一部分的第二掩模图案; 以及通过使用第二掩模图案作为蚀刻掩模,对层压结构进行大于第一蚀刻深度的第二蚀刻深度的第二蚀刻处理的步骤。 (标号)(AA)重复N-1次; (S1)连续层叠2n层的水平层; (S2)形成线型掩模图案; (S3)第一蚀刻深度的蚀刻工艺; (S4)形成平面图案; (S5)第二蚀刻深度的蚀刻工艺; (S6)减少平面图案; (S7)形成步骤结构接线
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