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公开(公告)号：KR102217241B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020140153738
申请日：2014-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/788
Abstract: 수직형메모리장치의제조방법은기판의셀 영역에형성된몰드구조물을관통하며상기기판상면에대해수직한제1 방향으로연장되는공통소스라인용개구부를형성하고, 상기기판의주변회로영역에형성된몰드보호막을관통하며상기제1 방향으로연장하는주변회로콘택홀을형성하고, 상기공통소스라인용개구부와상기주변회로콘택홀 내에각 콘택플러그들을동시에형성한다.
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公开(公告)号：KR1020170028495A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150124939
申请日：2015-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/68764 , H01J37/20 , H01J37/3056 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/31 , H01L21/2633 , H01L21/68792
Abstract: 본발명은척 어셈블리및 이를구비하는반도체제조장치에관한것으로, 수직방향으로제공되는이온빔에노출되는기판을척킹하는척, 상기척에결합되어상기척을지지하는필라, 그리고상기척을상기필라에회전가능하게연결하는연결부를포함한다. 상기연결부의회전은상기필라의중심을상기수직방향을따라관통하는상기필라의축에대하여상기척을경사지게하고, 상기척은상기필라를중심으로세차운동한다.
Abstract translation: 卡盘组件包括夹持基板的卡盘，以及连接到卡盘以支撑卡盘的支柱，支柱的轴线沿着柱的纵向方向穿过柱的中心，其中卡盘具有顶表面 ，其相对于柱的轴线倾斜，卡盘的顶表面可以围绕柱的轴线进行旋转。
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公开(公告)号：KR1020170027925A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124267
申请日：2015-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 패턴형성방법이제공된다. 상기패턴형성방법은기판상에식각대상막을형성하는것, 상기식각대상막을패터닝하여패턴들을형성하는것, 및선-산화트림공정을복수번 수행하는것을포함한다. 상기선-산화트림공정은산화공정을수행하여상기패턴들의각각의측벽상에절연막을형성하는것, 및스퍼터에치(sputter etch) 공정을수행하여상기절연막의적어도일부를제거하는것을포함한다.
Abstract translation: 一种用于形成图案的方法，所述方法包括在基底上形成蚀刻目标层; 图案化蚀刻目标层以形成图案; 并且进行预氧化修饰过程多次，所述预氧化修剪处理包括进行氧化处理以在每个图案的侧壁上形成绝缘层; 以及执行溅射蚀刻工艺以去除所述绝缘层的至少一部分。
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公开(公告)号：KR1020160054304A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153738
申请日：2014-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/788
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L21/481 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L27/0207 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11521 , H01L27/11526
Abstract: 수직형메모리장치의제조방법은기판의셀 영역에형성된몰드구조물을관통하며상기기판상면에대해수직한제1 방향으로연장되는공통소스라인용개구부를형성하고, 상기기판의주변회로영역에형성된몰드보호막을관통하며상기제1 방향으로연장하는주변회로콘택홀을형성하고, 상기공통소스라인용개구부와상기주변회로콘택홀 내에각 콘택플러그들을동시에형성한다.
Abstract translation: 制造垂直存储装置的方法包括：形成用于穿过形成在基板的单元区域上的模具结构的公共源极线的开口部，并且延伸到与基板的上表面垂直的第一方向，形成周边 电路接触孔，其穿过形成在基板的外围电路区域上的模具保护层并延伸到第一方向，并且在外围电路接触孔和用于共用源极线的开口部分上形成接触塞。 因此，可以提高垂直存储器件的可靠性。
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公开(公告)号：KR1020150057147A
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：KR1020130140115
申请日：2013-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7889 , H01L27/11517 , H01L27/11563 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/7926 , H01L27/115
Abstract: 본발명의일 실시예에따른메모리장치는, 기판의상면에수직하는방향으로연장되는채널영역, 상기채널영역과인접하도록상기기판상에적층되며, 각각일 방향으로연장되어패드영역을제공하는복수의게이트전극층, 및상기패드영역에서상기복수의게이트전극층각각에연결되는복수의컨택플러그를포함하고, 상기복수의게이트전극층은제1 및제2 게이트전극층을포함하며, 상기복수의컨택플러그중 적어도하나는, 상기제1 게이트전극층을관통하여상기제2 게이트전극층과전기적으로연결되며, 상기제1 게이트전극층과전기적으로절연된다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的存储器件包括沿垂直于衬底的上表面的方向延伸的沟道区域; 层叠在基板上以与沟道区相邻并且在一个方向上分别延伸以提供焊盘区域的多个栅极电极层; 以及连接到所述焊盘区域上的多个栅极电极层中的每一个上的多个接触插塞，其中所述多个栅极电极层包括第一和第二栅电极层，并且所述多个接触插塞中的至少一个穿过所述第一栅电极层， 与第二栅电极层连接，并与第一栅电极层电绝缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140027666A
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020120093498
申请日：2012-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76838 , H01L21/76885 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L21/28282
Abstract: A method for forming stair-typed patterns forms a laminating structure by repeatedly laminating an interlayer insulating film and a sacrificial film on a substrate. An n^th preliminary stair pattern is formed using a first photo resist pattern formed on the laminating structure as an etching mask and etching the interlayer insulating film and the sacrificial film of the top of the first floor. A first inorganic protective film pattern to cover the top of the first photo resist pattern is formed. A second photo resist pattern is formed by partially removing the lateral side of the first photo resist pattern. An (n+1)^th preliminary stair pattern is formed using the second photo resist pattern and each etching the interlayer insulating film and the sacrificial film of the top of the first floor, an interlayer insulating film and a sacrificial film of the first floor under the top exposed in the n^th preliminary stair pattern. Furthermore, the target number of stair patterns is formed by repeatedly performing from a process for forming a first protective pattern and to a process to form the n+1 preliminary stair pattern relative to the n+1 preliminary stair pattern.
Abstract translation: 用于形成楼梯型图案的方法通过在基板上反复层压层间绝缘膜和牺牲膜而形成层压结构。 使用形成在层压结构上的第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模形成第n个初步阶梯图案，并蚀刻层间绝缘膜和第一层顶部的牺牲膜。 形成覆盖第一光致抗蚀剂图案的顶部的第一无机保护膜图案。 通过部分去除第一光致抗蚀剂图案的侧面来形成第二光致抗蚀剂图案。 使用第二光致抗蚀剂图案形成第（n + 1）个初步阶梯图案，并且分别蚀刻层间绝缘膜和第一层顶部的牺牲膜，第一层的层间绝缘膜和牺牲膜 在顶部暴露在第n个初步阶梯模式。 此外，通过从用于形成第一保护图案的处理重复执行并且相对于n + 1初步阶梯图案形成n + 1初步阶梯图案的处理来形成楼梯图案的目标数量。
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公开(公告)号：KR101881857B1
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：KR1020120093498
申请日：2012-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/308 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76838 , H01L21/76885 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 계단형패턴형성방법으로, 기판상에층간절연막및 희생막을반복적층하여적층구조물을형성한다. 상기적층구조물상에형성된제1 포토레지스트패턴을식각마스크로사용하여최상부 1층의층간절연막및 희생막을식각하여제n 예비계단패턴을형성한다. 상기제1 포토레지스트패턴의상부면을덮는무기물의제1 보호막패턴을형성한다. 상기제1 포토레지스트패턴의측벽부위를일부제거하여제2 포토레지스트패턴을형성한다. 상기제2 포토레지스트패턴을식각마스크로사용하여최상부 1층의층간절연막및 희생막과, 상기제n 예비계단패턴에서노출된상부면아래의 1층의층간절연막및 희생막을각각식각하여제n+1 예비계단패턴을형성한다. 또한, 상기제n+1 예비계단패턴에대해, 상기제1 보호막패턴을형성하는공정에서부터상기제n+1 예비계단패턴을형성하는공정까지를반복하여수행함으로써, 목표한층수의계단패턴을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160148314A
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020150085173
申请日：2015-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67253 , F16K1/44 , F16K51/02 , H01L21/67017 , H01L21/67126
Abstract: 기판처리장치를제공한다. 이기판처리장치는공정챔버; 고진공펌프; 상기고진공펌프와상기공정챔버사이의배기유로; 및상기배기유로에설치된진공밸브장치를포함한다. 상기진공밸브장치는제1 밸브장치및 상기제1 밸브장치보다오리피스(orifice)가작은제2 밸브장치를포함한다.
Abstract translation: 提供能够使用等离子体进行半导体处理的基板处理装置以及使用其形成半导体装置的方法。 基板处理装置包括处理室，高真空泵，高真空泵和处理室之间的排气流路以及排气流路中的真空阀。 真空阀包括具有比第一阀小的孔的第一阀和第二阀。
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公开(公告)号：KR1020150106523A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140028685
申请日：2014-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11575 , H01L23/544 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L27/11509 , H01L2924/00
Abstract: 수직형 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법에서, 기판 상에 절연막 및 희생막을 교대로 반복적으로 적층한다. 적층된 절연막들 및 희생막들 중 최상층 막 상에 참조 패턴을 형성한다. 참조 패턴을 커버하되 참조 패턴의 주변부를 부분적으로 노출시키는 제1 포토레지스트 패턴을 형성한다. 제1 포토레지스트 패턴의 면적을 단계적으로 축소시키면서 이를 식각 마스크로 사용하여 절연막들 및 희생막들 중 적어도 일부를 순차적으로 식각함으로써, 각각 제1 절연막 패턴 및 제1 희생막 패턴을 형성한다. 제1 절연막 패턴 및 제1 희생막 패턴을 관통하는 채널을 기판 상에 형성한다. 제1 희생막 패턴을 게이트 전극으로 치환한다.
Abstract translation: 在制造垂直非易失性存储器件的方法中，绝缘膜和牺牲膜重复交替层压在基片上。 在层压绝缘和牺牲膜中的顶部膜上形成参考图案。 形成覆盖参考图案并且部分地暴露参考图案的周围部分的第一光致抗蚀剂图案。 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，第一光致抗蚀剂图案的程度逐渐减小，同时绝缘和牺牲膜的至少一部分被部分蚀刻，因此第一绝缘膜图案和第一牺牲膜图案是 分别形成。 穿透第一绝缘和牺牲膜图案的通道形成在基板上。 将第一牺牲膜图案改变为栅电极。
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