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公开(公告)号：KR100278659B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980046237
申请日：1998-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 작은 임계 치수의 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관해 개시한다. 본 발명에 따르면, 중합체의 골격에 산에 의해 화학 반응을 일으키는 말론산디에스테르 그룹이 결합된 중합체 A와 중합체의 유리 전이 온도 이하에서 열분해 되어 분자간 상호 작용을 증가시키는 그룹이 결합된 중합체 B로 구성된 중합체 혼합물 또는 중합체의 유리 전이 온도 이하에서 열분해되는 그룹이 결합된 중합체 B와 산에 의해 화학 반응을 일으키는 (메타)아크릴산 에스테르를 모노머로 포함하는 중합체 C로 구성된 중합체 혼합물을 주요 구성 성분으로 하는 포토레지스트 조성물을 사용하여 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 다음에 포토레지스트 패턴을 열처리에 의해 플로우시켜 개구부의 크기를 축소시킨다. 콘트라스트가 크고 플로우율 조절이 용이한 중합체 혼합물로 구성된 포토레지스트 조성물을 사용하기 때문에 작은 임계 치수의 개구부를 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000067806A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1019990050903
申请日：1999-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: PURPOSE: A resist composition is provided to form a fine photoresist pattern having an opening of a fine size which transcends the limit of a wavelength in a lithography technology. CONSTITUTION: A resist composition is composed of a resist solution and a crosslinking agent. The resist solution is used in forming a photoresist pattern in a photolithography process. The corsslinking agent causes a partial crosslinking reaction of the resist solution by a thermal process at the temperature higher than a glass transition temperature or softening temperature.
Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂组合物以形成具有在光刻技术中超过波长极限的细小尺寸开口的精细光致抗蚀剂图案。 构成：抗蚀剂组合物由抗蚀剂溶液和交联剂组成。 抗蚀剂溶液用于在光刻工艺中形成光致抗蚀剂图案。 该衔接剂在高于玻璃化转变温度或软化温度的温度下通过热处理导致抗蚀剂溶液部分交联反应。
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公开(公告)号：KR1019990084499A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016297
申请日：1998-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 화학 증폭형 레지스트에 사용되는 다음 식을 가지는 폴리머를 제공한다.
식중 R'은
(a)
(여기서, R
1 은 -H 및 -CH
3 로 이루어지는 군에서 선택되고, m 및 n은 정수) 및
(b)
(여기서, R
2 는 -H 및 -CH
3 로 이루어지는 군에서 선택되고, R
3 는 -H 및 -CH
3 로 이루어지는 군에서 선택되고, R
4 는 -H, -CH
3 및 -CH
2 CH
2 OH로 이루어지는 군에서 선택되고, p, q 및 r은 정수이고, p/(p+q+r)은 0.1 ∼ 0.7이고, q/(p+q+r)은 0.1 ∼ 0.7이고, r/(p+q+r)은 0.1 ∼ 0.5)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나이다. 본 발명에 따른 레지스트 조성물은 상기한 바와 같은 폴리머와 PAG(photoacid generator)로 구성된다.-
公开(公告)号：KR1019970059832A
公开(公告)日：1997-08-12
申请号：KR1019960001682
申请日：1996-01-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 반도체기판상에 형성되는 미세패턴의 패턴브리지 현상을 방지할 수 있는 포토마스크의 구조에 관한 것으로, 반도체기판상에 미세패턴을 형성하는 데 사용되는 포토마스크의 구조에 있어서, 포토마스크상에 형성된 복수의 미세패턴과; 상기 미세패턴간의 근접한 영역에서 일측의 패턴상에 형성된 더미라인을 포함한다. 이와같은 구조에 의해서, 종래 콘택마진을 확보하기 위하여 가능한 넓게 형성된 패드패턴과 인접한 라인패턴간의 간격이 지나치게 좁아짐으로서 광학근접효과에 의해 발행하는 패턴브리지 현상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100564535B1
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：KR1019980008804
申请日：1998-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
Abstract: 포토레지스트, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 포토레지스트는 화학식 a의 3원 중합체를 포함한다.
상기 식 중, A1은 CHXOH, 및 A2는 수소이고 이 때 X= C1~20의 지방족 화합물; 또는 A1, A2가 함께 조합하여 YOH이며 이 때 Y는 C5~8 고리형 알킬기이다.
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1~0.9이다.
본 발명에 따른 포토레지스트는 열처리에 의해 교차 결합을 형성할 수 있다. 교차 결합이 형성된 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하면 식각 내성이 증대되므로 사진 식각 공정의 효율을 향상시킬수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100539224B1
公开(公告)日：2005-12-27
申请号：KR1020020034622
申请日：2002-06-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08F216/1416 , C08F222/06 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/111
Abstract: PAG (photoacid generator)와 감광성 폴리머를 포함하는 레지스트 조성물에 대하여 개시한다. 상기 감광성 폴리머는 산에 의해 분해 가능한 치환기 또는 극성 작용기를 가지는 코모노머와, 알킬 비닐 에테르와 무수 말레인산과의 공중합체를 포함한다. 상기 공중합체는 다음 식으로 표시된다.
식중, k는 3 ∼ 8의 정수이고, X는 C
7 ∼ C
20 의 3차 환상 알콜이다.-
公开(公告)号：KR100498440B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1019990052225
申请日：1999-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 백본(backbone)이 환상(環狀) 구조를 가지면서 지환식(脂環式) 화합물을 함유하는 감광성 폴리머와, 이로부터 얻어지는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는 다음 식을 가지고, 중량 평균 분자량이 3,000∼100,000이다.
식중, R
1 은 수소 원자 또는 메틸기이고, R
2 는 산에 의해 분해될 수 있는 제3 알킬기(acid-labile tertiary alkyl group)이고, m/(m+n) = 0.5∼0.8이다.-
公开(公告)号：KR100421034B1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：KR1019990050903
申请日：1999-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: A method for forming a fine pattern in a semiconductor substrate, by coating a target layer to be etched on a semiconductor substrate with a resist composition including at least one compound capable of forming a photoresist pattern by a photolithography process, and a free radical initiator. The free radical initiator is capable of being decomposed by a thermal process at a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound. A lithography process is performed on the resist compound layer to form a photoresist pattern. The resist compound layer having the photoresist pattern formed therein is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition temperature of the at least one compound, and wherein a partial cross-linking reaction in the resist composition occurs.
Abstract translation: 一种在半导体衬底中形成精细图案的方法，该方法通过用包含至少一种能够通过光刻工艺形成光致抗蚀剂图案的化合物的抗蚀剂组合物在半导体衬底上涂覆待蚀刻层以及自由基引发剂来形成。 自由基引发剂能够在等于或高于至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度下通过热过程分解。 在抗蚀剂化合物层上执行光刻工艺以形成光刻胶图案。 将其中形成有光致抗蚀剂图案的抗蚀剂化合物层加热至等于或高于所述至少一种化合物的玻璃化转变温度的温度，并且其中发生抗蚀剂组合物中的部分交联反应。
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公开(公告)号：KR100261224B1
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：KR1019980016297
申请日：1998-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/0758 , G03F7/0045 , Y10S206/806 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: PURPOSE: A polymer having specific structures thereof containing the amount of silicone enough to use the polymer as BLR useful in ArF Excimer lithography process is provided to have favorable adhesiveness to membrane substrate suitable in the production of the next generation semiconductor elements. CONSTITUTION: The polymer for chemically-amplified resist having the formula 1 (wherein R1 represents any one selected from the compound of formula (a) (wherein R1 is selected from -H and -CH3; and m and n are integer number); and the compound of formula (b) (wherein R2 is selected from -H and -CH3; R4 is selected from -H, -CH3 and -CH2CH2OH; p, q and r each are integer number satisfying p/(p+q+r)=0.1-0.7, q/(p+q+r)=0.1-0.7 and r/(p+q+r)=0.1-0.5). The chemically-amplified resist composition comprises the polymer of formula 1 having weight mean molecular weight of 3,000-100,000 and 1-15 wt.% of PAG(photoacid generator) relative to weight of the polymer.
Abstract translation: 目的：提供具有足够使用该聚合物的硅氧烷量的具有特定结构的聚合物作为可用于ArF准分子激光刻蚀工艺中的BLR，以具有与适用于下一代半导体元件生产的膜基材的良好粘附性。 构成：具有式1的化学增幅抗蚀剂的聚合物（其中R1表示选自式（a）的化合物（其中R 1选自-H和-CH 3; m和n是整数）中的任何一种）;和 式（b）化合物（其中R 2选自-H和-CH 3; R 4选自-H，-CH 3和-CH 2 CH 2 OH; p，q和r各自是满足p /（p + q + r ）= 0.1-0.7，q /（p + q + r）= 0.1-0.7，r /（p + q + r）= 0.1-0.5）化学放大抗蚀剂组合物包含具有重量平均值 分子量为3,000-100,000和1-15重量％的PAG（光酸发生剂）相对于聚合物的重量。
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公开(公告)号：KR1019990074908A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980008804
申请日：1998-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/004
Abstract: 포토레지스트, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 사진 식각 방법이 제공된다. 본 발명에 따른 포토레지스트는 화학식 1 또는 화학식 2의 3원 중합체를 포함한다.
상기 식중, R1은 탄소수 1 내지 20의 지방족 화합물이고,
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1 ∼ 0.9 임.
상기 식중, R2는 탄소수 5 내지 8의 고리형 알킬기이고,
m 및 n은 정수이고, m/(m+n)은 0.1 ∼ 0.9 임.
본 발명에 따른 포토레지스트는 열처리에 의해 교차 결합을 형성할 수 있다. 교차 결합이 형성된 포토레지스트를 식각 마스크로 사용하면 식각 내성이 증대되므로 사진 식각 공정의 효율을 향상시킬수 있다.
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