公开(公告)号：KR2019990027599U

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR2019970040193

申请日：1997-12-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병찬 ,  문재호 ,  문창렬

IPC: B41J2/04

Abstract: 본 고안은 전원과 연결되는 다수 개의 도체빔과, 상기 도체빔들의 하부에 설치되는 마그네트와, 상기 도체빔들 사이마다에 잉크가 수납되는 공간을 이루는 잉크 챔버와, 상기 도체빔들의 상부에 복개되며 다수개의 노즐 오리피스가 형성된 노즐 플레이트로 구성되어 상측에 노즐 오리피스를 구비한 노즐 플레이트가 설치됨으로써 톱 슈팅 방식으로 잉크가 분사되는 것이며, 전체 구조가 간소화되고, 잉크의 토출이 정확하게 이루어지는 효과가 있으며, 또한, 도체빔들간의 서로 마주보는 도체빔이 엇갈리게 배치되어 노즐 오리피스간의 간격 변경이 용이해져 다양한 해상도를 얻을 수 있도록 한 것이다.

公开(公告)号：KR200038314Y1

公开(公告)日：1988-09-24

申请号：KR2019850006211

申请日：1985-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창렬

IPC: B25J15/08

公开(公告)号：KR102107537B1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：KR1020130117592

申请日：2013-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  김용성 ,  문창렬 ,  박용영 ,  양우영 ,  이정엽 ,  이주호

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR101928434B1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：KR1020110087343

申请日：2011-08-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배기덕 ,  황준식 ,  문창렬 ,  이창승 ,  배정목

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/19 ,  G02B26/08 ,  G02F1/23

Abstract: 전기 습윤 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 전기 습윤 소자는, 색상을 지닌 제1 매질, 제1 매질에 혼합되지 않은 투명한 제2 매질, 제1 매질과 제2 매질의 경계면의 각도를 조절하는 상부 전극 및 제1 매질와 제2 매질을 둘러싸는 측면을 가지고, 측면의 일부 영역에 상부 전극이 배치되며 폭이 균일하지 않는 격벽을 포함한다.

公开(公告)号：KR101878741B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020120007798

申请日：2012-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창승 ,  이주호 ,  김용성 ,  김준성 ,  문창렬

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/6835 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7831 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

Abstract: 트랜지스터및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된트랜지스터는게이트의적어도일부를덮는 3차원구조의채널층을포함할수 있다. 상기채널층은게이트의양측면및 상면을덮는 3차원채널영역을가질수 있다. 상기채널층은그래핀채널층일수 있다. 상기트랜지스터는상기채널층의제1 영역에접촉된소오스전극과상기채널층의제2 영역에접촉된드레인전극을포함할수 있다. 개시된트랜지스터의제조방법은트렌치를갖는몰드층을형성하는단계, 상기몰드층상에상기트렌치에의해 3차원구조를갖는채널층을형성하는단계및 상기트렌치내에게이트를형성하는단계를포함할수 있다. 상기몰드층을패터닝하여소오스전극부와드레인전극부를형성할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150059494A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：KR1020130143152

申请日：2013-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은형 ,  고웅 ,  김재관 ,  문창렬 ,  심홍식 ,  유인경 ,  정철호

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5275 ,  B29C33/3885 ,  B29D11/00365 ,  B29D11/00788 ,  B29K2029/04 ,  B29K2905/00 ,  B29K2907/00

Abstract: 광학필름제조방법은다수의마이크로렌즈패턴에대응하는형상이음각된마스터를형성하는단계; 상기마스터를이용하여, 상기다수의마이크로렌즈패턴이형성된저굴절률패턴층을형성하는단계; 기판상의제1면에, 상기저굴절률패턴층의굴절률보다큰 굴절률을가지는고굴절률물질층을형성하고, 상기저굴절률패턴층을상기고굴절률물질층에임프린트하여고굴절률패턴층을형성하는단계;를포함한다.

Abstract translation: 光学膜的制造方法包括： 形成其中刻有与多个微透镜图案相对应的形状的主体的步骤; 形成低折射率图案层的步骤，其中通过使用母版形成微透镜图案; 在所述基板的第一表面上形成折射率高于所述低折射率图案层的折射率的高折射率材料层的步骤，并且通过将所述低折射率图案层压印在所述高折射率图案层上而形成高折射率图案层 折射率材料层。 根据本发明，低折射率图案层用作压印用模具以形成高折射率图案层。 因此，不存在将压印用模具与高折射率图案层分离的剥离处理。 此外，可以形成具有较少缺陷的微透镜阵列图案。

公开(公告)号：KR1020140132230A

公开(公告)日：2014-11-17

申请号：KR1020130051500

申请日：2013-05-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주호 ,  김용성 ,  문창렬 ,  이성희 ,  이창승

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66015 ,  C01B32/182 ,  H01L2924/13088

Abstract: 그래핀 전사 방법, 이를 이용한 소자의 제조방법 및 그래핀을 포함하는 기판 구조체에 관해 개시되어 있다. 개시된 그래핀 전사 방법은 제1 기판에 구비된 그래핀층 상에 보호층(금속층)을 형성한 후, 상기 그래핀층과 보호층(금속층)을 소정의 지지체로 전이한 다음, 상기 지지체에서 상기 그래핀층과 보호층(금속층)을 제2 기판으로 전이하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 보호층은 상기 그래핀층보다 작은 크기로 형성할 수 있다. 상기 보호층으로 커버되지 않은 상기 그래핀층의 일부는 상기 지지체에 부착될 수 있다. 상기 지지체는 상기 제1 및/또는 제2 기판보다 큰 사이즈를 가질 수 있다. 상기 제1 및/또는 제2 기판은 웨이퍼 레벨/스케일의 기판일 수 있다.

Abstract translation: 公开了转移石墨烯的方法，使用其的制造装置的方法以及包括石墨烯的基板结构。 转移石墨烯的方法可以包括在形成在第一基板上的石墨烯层上形成保护层（金属层）的步骤，将石墨烯层和保护层（金属层）转移到预设的支撑单元，并转移石墨烯 层和保护层（金属层）从支撑体到第二基板。 保护层的尺寸可以大于石墨烯层的尺寸。 未被保护层覆盖的石墨烯层的一部分可以附接到支撑单元。 支撑单元的尺寸可以大于第一和/或第二基板的尺寸。 第一和/或第二基板可以是晶片级/刻度尺的基板。

公开(公告)号：KR1020140052785A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：KR1020120120623

申请日：2012-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  양우영 ,  문창렬 ,  박용영 ,  이정엽

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: A semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device using a metal oxide are disclosed. The disclosed manufacturing method of the semiconductor device comprises forming a metal oxide layer on a substrate; forming an amorphous semiconductor layer on the metal oxide layer; and crystallizing the amorphous semiconductor layer into a polycrystalline semiconductor layer by using the metal oxide layer. Therefore, metal contamination can be reduced in a crystallization process.

Abstract translation: 公开了使用金属氧化物的半导体器件和半导体器件的制造方法。 所公开的半导体器件的制造方法包括在衬底上形成金属氧化物层; 在所述金属氧化物层上形成非晶半导体层; 以及通过使用所述金属氧化物层将所述非晶半导体层结晶成多晶半导体层。 因此，在结晶过程中可以减少金属污染。

公开(公告)号：KR1020140051639A

公开(公告)日：2014-05-02

申请号：KR1020120117914

申请日：2012-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  김연희 ,  문창렬 ,  박용영

IPC: H01L21/86

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/2003

Abstract: Disclosed are a structure having a large area gallium nitride (GaN) substrate and a method for manufacturing the same. The disclosed structure having a large area GaN comprises multiple silicone rods on a silicone substrate; a silicone layer on the multiple rods; and a GaN substrate on the silicone layer.

Abstract translation: 公开了具有大面积氮化镓（GaN）衬底的结构及其制造方法。 所公开的具有大面积GaN的结构在硅基底上包括多个硅酮棒; 多个棒上的硅树脂层; 和硅树脂层上的GaN衬底。

公开(公告)号：KR1020130073712A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：KR1020110141706

申请日：2011-12-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  문창렬 ,  이정엽 ,  이창승

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78684 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

Abstract: PURPOSE: A graphene device and a manufacturing method thereof are provided to facilitate handling by forming the graphene device on a metal thin film and transferring the graphene device to an insulator. CONSTITUTION: A channel layer (C1) includes graphene. A source electrode is formed on the first area of the channel layer. A drain electrode is formed on the second part of the channel layer. A gate insulating layer (GI1) is formed on a capping layer. A gate (G1) is formed on the gate insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯装置及其制造方法，以通过在金属薄膜上形成石墨烯装置并将石墨烯装置转移到绝缘体来促进处理。 构成：通道层（C1）包括石墨烯。 源极电极形成在沟道层的第一区域上。 漏电极形成在沟道层的第二部分上。 在封盖层上形成栅极绝缘层（GI1）。 栅极（G1）形成在栅极绝缘层上。