公开(公告)号：KR100870011B1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：KR1020020042655

申请日：2002-07-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍권삼 ,  박민욱 ,  이한주

IPC: G02F1/1339

Abstract: 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 적, 청, 녹색 색필터, 블랙 매트릭스, 기준 전극을 포함하는 상부 기판, 게이트 배선, 데이터 배선 및 이들과 연결되는 박막 트랜지지스터, 화소 전극을 포함하는 하부 기판, 상부 기판과 하부 기판 사이에 충진되어 있는 액정, 상부 기판과 하부 기판을 접착하여 결합하고 액정을 가두기 위한 밀봉재를 포함하는 액정 표시 장치에 있어서, 블랙 매트릭스는 밀봉재와 소정의 폭만큼 중첩하고 블랙 매트릭스의 밀봉재와 중첩하는 부분은 밀봉재를 노출하는 노출 패턴으로 이루어진다.
박막트랜지스터기판, 밀봉재, 블랙 매트릭스

公开(公告)号：KR1020080050033A

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：KR1020060120771

申请日：2006-12-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희준 ,  양병덕 ,  박민욱 ,  박정은

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/13392 ,  G02F1/136 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/50

Abstract: A display device and a manufacturing method thereof are provided to enable a barrier to prevent impurities, present between first and second substrates, from moving between neighboring pixel areas, thereby preventing afterimages in the display device. In a first substrate(100), pixel areas(PA) are formed. A second substrate(200) faces the first substrate to be coupled with the first substrate. A spacer(S) is interposed between the first and second substrates, and spaces the first substrate from the second substrate. A barrier(B) is made from the same material as the spacer, and installed between the pixel areas. The barrier prevents impurities from moving between the pixel areas.

Abstract translation: 提供了一种显示装置及其制造方法，以能够防止在第一和第二基板之间存在的杂质在相邻像素区域之间移动，从而防止显示装置中的残影。 在第一基板（100）中，形成像素区域（PA）。 第二衬底（200）面向要与第一衬底耦合的第一衬底。 间隔件（S）插入在第一和第二基板之间，并且使第一基板与第二基板间隔开。 屏障（B）由与间隔物相同的材料制成，并安装在像素区域之间。 屏障防止杂质在像素区域之间移动。

公开(公告)号：KR1020080029100A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020060094666

申请日：2006-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영훈 ,  이성영 ,  송영구 ,  박민욱

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1335

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231

Abstract: A TFT(Thin Film Transistor), a manufacturing method thereof and an LCD(Liquid Crystal Display) having the same are provided to reduce the thickness of an insulating layer by etching a gate insulating layer in an over etching process. A gate electrode and a storage electrode are formed at an upper predetermined area of the substrate. Gate insulating layers are formed on the upper portion of the gate electrode and the storage electrode with different thickness. An active layer is formed on the upper portion of the gate electrode. A source electrode(122) and a drain electrode(124) are formed on the upper portion of the active layer separately. A pixel electrode is connected with the drain electrode and formed at the upper portion of the storage electrode. The thickness of a gate insulating layer at the upper portion of the storage electrode is thinner than that of the gate insulating layer at the upper portion of the gate electrode above 10%.

Abstract translation: 提供了一种TFT（薄膜晶体管）及其制造方法和具有该TFT（液晶显示器）的LCD（液晶显示器），以通过在过蚀刻工艺中蚀刻栅极绝缘层来减小绝缘层的厚度。 栅极电极和存储电极形成在基板的上部预定区域。 栅极绝缘层形成在栅电极的上部和不同厚度的存储电极上。 在栅电极的上部形成有源层。 源极电极（122）和漏电极（124）分别形成在有源层的上部。 像素电极与漏电极连接并形成在存储电极的上部。 存储电极上部的栅极绝缘层的厚度比栅电极上部的栅极绝缘层的厚度大10％以上。

公开(公告)号：KR1020080008598A

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020060068042

申请日：2006-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  양병덕 ,  박민욱 ,  손우성 ,  추민형 ,  정경석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136263

Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) substrate and a repair method thereof are provided to include a subsidiary connection member for performing a repair process when generating the short between a gate line and a data line. A data line(200) is insulated and crossed by a gate line. A TFT is formed at the crossing portion of the gate line and data line. A pixel electrode(400) is connected with the TFT. A main connection member connects the data line with a source electrode of the TFT. A subsidiary connection member(100) is located oppositely to the main connection member by interposing the gate line and connects the data line with the source electrode of the TFT. The subsidiary connection member is formed on the same plane with the same materials as the source and drain electrodes of the TFT. When the short between a gate electrode and either the source or drain electrodes occurs, the subsidiary connection member and the main connection member are opened by a laser irradiation process.

Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）基板及其修复方法，以包括用于在栅极线和数据线之间产生短路时执行修复处理的辅助连接构件。 数据线（200）被栅极线绝缘并交叉。 在栅极线和数据线的交叉部分形成TFT。 像素电极（400）与TFT连接。 主连接构件将数据线与TFT的源电极连接。 辅助连接构件（100）通过插入栅极线与主连接构件相对地定位，并将数据线与TFT的源电极连接。 辅助连接部件在与TFT的源电极和漏电极相同的材料形成在同一平面上。 当栅电极和源电极或漏电极之间的短路发生时，辅助连接构件和主连接构件通过激光照射工艺打开。

公开(公告)号：KR1020060133818A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：KR1020050053668

申请日：2005-06-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  송영구 ,  엄민식 ,  양병덕 ,  유영훈 ,  박민욱

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  G03F1/00 ,  G09G2300/0426 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78633 ,  G03F1/38 ,  G03F1/14 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/1214

Abstract: A method for manufacturing an optical mask and a thin film transistor substrate and a thin film transistor substrate manufactured from the same are provided to stably connect a pixel electrode and a data metal layer by forming a contact hole and a contact projection on an upper portion of the data metal layer using the optical mask. Data metal layers(671,672) are formed on a substrate(10). A dielectric(70) is formed on the data metal layer. The dielectric is etched to pattern a contact hole(77) and a contact projection(772). The contact hole exposes a part of the data metal layer. The contact projection is projected inside the contact hole. A pixel electrode is formed on the dielectric. The pixel electrode is electrically connected to the data metal layer through the contact hole and the contact projection. The contact hole and the contact are patterned by using an optical mask including a transparent substrate, a main shielding pattern, and at least one auxiliary shielding pattern.

Abstract translation: 提供一种用于制造光掩模和薄膜晶体管基板的方法以及由其制造的薄膜晶体管基板和薄膜晶体管基板，以通过在上部形成接触孔和接触突起来稳定地连接像素电极和数据金属层 数据金属层使用光掩模。 数据金属层（671,672）形成在基板（10）上。 电介质（70）形成在数据金属层上。 电介质被蚀刻以对接触孔（77）和接触突起（772）进行图案化。 接触孔露出数据金属层的一部分。 接触突起突出在接触孔内。 在电介质上形成像素电极。 像素电极通过接触孔和接触突起与数据金属层电连接。 通过使用包括透明基板，主屏蔽图案和至少一个辅助屏蔽图案的光学掩模来对接触孔和触点进行图案化。

公开(公告)号：KR1020060106197A

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：KR1020050028681

申请日：2005-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  박민욱

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136272 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/12 ,  H01L27/124

Abstract: 힐락 방지 구조를 갖는 액정 표시 장치를 제공한다. 액정 표시 장치는 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 교차되는 데이터 라인, 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인에 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 있는 화소 전극, 상기 데이터 라인과 상기 게이트 라인 중 어느 하나의 라인에 연결되어 있으며, 패드 개구부를 포함하는 금속 물질로 이루어진 패드 전극 및 상기 화소 전극과 동일한 물질로 이루어지며 상기 패드 전극과 전기적으로 접속되는 보호 전극을 포함한다.
액정 표시 장치, 알루미늄, 힐락, 패드 개구부

公开(公告)号：KR1020060091010A

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：KR1020050011715

申请日：2005-02-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  송영구 ,  엄민식 ,  박민욱

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/1368

Abstract: 채널 불량을 줄이기 위한 듀얼 구조의 트랜지스터 및 이를 구비한 어레이 기판이 개시된다. 제1 스위칭 소자는 제1 소스 전극과 제1 드레인 전극에 의해 정의된 제1 길이를 갖는 제1 채널부를 포함한다. 제2 스위칭 소자는 상기 제1 소스 전극으로부터 연장된 제2 소스 전극과 상기 제1 드레인 전극과 전기적으로 연결된 제2 드레인 전극에 의해 정의되고 상기 제1 길이 보다 큰 제2 길이를 갖는 제2 채널부를 포함한다. 이에 따라, 두 개의 스위칭 소자를 갖는 듀얼 구조의 트랜지스터에서, 한쪽의 스위칭 소자의 채널길이를 다른 한쪽의 채널길이보다 길게 형성함으로써 사진 식각 공정에 의해 채널 쇼트 불량을 줄일 수 있다.
듀얼 트랜지스터, 채널 길이, 채널 쇼트 불량

公开(公告)号：KR1020050050749A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084357

申请日：2003-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희준 ,  박민욱 ,  이정영

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은, 액정표시장치의 제조방법과 이에 의해 제조된 액정표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 기판 상에 게이트를 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막을 증착하는 단계와, 활성층을 증착하는 단계와, 소스/드레인을 증착하는 단계와, 보호막을 증착하는 단계와, 칼라 필터층을 증착하는 단계와, 유기막을 증착하는 단계와, 화소전극층을 증착하고, 화소전극층 패턴 형성을 위한 감광액 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광액 패턴을 이용하여 화소전극층을 에칭하고 채널부를 형성하는 단계와, 상기 채널부 상부에 칼럼 스페이서를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 칼라 필터가 박막트랜지스터 기판 상에 위치하는 액정표시장치의 제조공정을 개선시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050025781A

公开(公告)日：2005-03-14

申请号：KR1020030062617

申请日：2003-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박민욱 ,  박정준 ,  곽상기 ,  백범기 ,  이정영

IPC: G02F1/136

Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) array panel and a manufacturing method are provided to enhance reliability in a contact portion by forming an insulating layer adjacent to a conductive layer as a convexo-concave pattern passing a boundary line of the conductive layer. A TFT array panel includes a gate line, a gate insulating layer(140), a semiconductor(151), a data line(171), a drain electrode(175), a passivation layer(180), and a pixel electrode(190). The gate line is formed on an insulating substrate. The gate insulating layer covers the gate line. The semiconductor is formed on the gate insulating layer. The date line is formed on the gate insulating layer. The drain electrode is spaced apart from the data line. The passivation layer covers both the data line and the drain electrode and includes a first contact hole obtained by using a portion of a boundary line of the drain electrode. The pixel electrode is connected with the drain electrode through the first contact hole and is formed on an upper part of the passivation layer. Both the gate insulating layer and the passivation layer disposed adjacent to the first contact hole are formed as a convexo-concave pattern, whose boundary line passes the boundary line of the drain electrode.

Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）阵列面板和制造方法，以通过形成与导电层相邻的绝缘层作为通过导电层的边界线的凸凹图案来增强接触部分的可靠性。 TFT阵列面板包括栅极线，栅极绝缘层（140），半导体（151），数据线（171），漏极（175），钝化层（180）和像素电极（190） ）。 栅极线形成在绝缘基板上。 栅极绝缘层覆盖栅极线。 半导体形成在栅极绝缘层上。 日期线形成在栅绝缘层上。 漏电极与数据线间隔开。 钝化层覆盖数据线和漏极两者，并且包括通过使用漏电极的边界线的一部分获得的第一接触孔。 像素电极通过第一接触孔与漏电极连接，形成在钝化层的上部。 栅极绝缘层和与第一接触孔相邻设置的钝化层均形成为其凹凸图案，其边界线通过漏电极的边界线。

公开(公告)号：KR1020050019988A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030057225

申请日：2003-08-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상진 ,  박민욱 ,  이정영

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/133509 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/133742

Abstract: PURPOSE: An LCD(Liquid Crystal Display) and a method for manufacturing the same are provided to prevent mis-alignment of two substrates constructing the LCD to improve display quality. CONSTITUTION: An LCD includes the first substrate(100), the second substrate(200), and a liquid crystal layer(300). The first substrate includes the first transparent substrate(110) having the first periphery region(114) and the first display region(112) surrounding the first periphery region, an alignment mark(120) formed in the first periphery region, and the first electrode(130) arranged in the first display region. The second substrate includes the second transparent substrate(210) having the second periphery region(214) opposite to the first periphery region and the second display region(212) opposite to the first display region, an alignment mark(220) arranged in the second periphery region, a planarization layer(230) formed on the second display region to expose the alignment mark, and the second electrode(240) formed on the planarization layer to expose the alignment mark. The liquid crystal layer is interposed between the first and second electrodes.

Abstract translation: 目的：提供LCD（液晶显示器）及其制造方法，以防止构成LCD的两个基板的错误对准以提高显示质量。 构成：LCD包括第一基板（100），第二基板（200）和液晶层（300）。 第一基板包括具有包围第一周边区域的第一周边区域（114）和第一显示区域（112）的第一透明基板（110），形成在第一外围区域中的对准标记（120）和第一电极 （130）布置在所述第一显示区域中。 第二基板包括具有与第一外围区域相对的第二外围区域（214）和与第一显示区域相对的第二显示区域（212）的第二透明基板（210），布置在第二外部区域 形成在第二显示区域上以露出对准标记的平坦化层（230）和形成在平坦化层上的第二电极（240）以露出对准标记。 液晶层介于第一和第二电极之间。