公开(公告)号：KR1020080009888A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：KR1020060069646

申请日：2006-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동규 ,  김인우 ,  양병덕 ,  박민욱 ,  손우성 ,  추민형 ,  정경석

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124

Abstract: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to easily repair pixels even when a short circuit is generated between a gate line and a data line to improve the yield of the LCD. An LCD includes a substrate, a gate conductor, a data conductor, and a pixel electrode(191). The gate conductor is formed on the substrate and includes a gate line(121) and a gate electrode(124). The data conductor includes a data line(171) intersecting the gate line and a source electrode(173) disposed on the gate electrode. The pixel electrode is formed on the substrate. The data line and the source electrode are connected to each other through a first connector and a second connector. The gate line is arranged between the first and second connectors.

Abstract translation: 即使在栅极线和数据线之间产生短路也提供LCD的产量，提供了LCD（液晶显示器）来容易地修复像素。 LCD包括基板，栅极导体，数据导体和像素电极（191）。 栅极导体形成在衬底上并且包括栅极线（121）和栅电极（124）。 数据导体包括与栅极线相交的数据线（171）和设置在栅电极上的源电极（173）。 像素电极形成在基板上。 数据线和源极通过第一连接器和第二连接器相互连接。 栅极线布置在第一和第二连接器之间。

公开(公告)号：KR100984363B1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：KR1020040022054

申请日：2004-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장수 ,  추민형

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/1393 ,  G02F1/1337 ,  G02F2001/133776

Abstract: 본 발명의 액정 표시 장치는, 제1 베이스 기판, 상기 제1 베이스 기판 상에 형성된 게이트 배선, 상기 게이트 배선 위로 형성된 데이터 배선, 상기 게이트 배선의 일부 및 상기 데이터 배선의 일부와 연결된 스위칭 소자, 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 형성된 도메인 형성 수단, 상기 도메인 형성 수단 상에 형성된 제1 배향막을 포함하는 제1 기판과; 제2 베이스 기판, 상기 제2 베이스 기판 상에 형성된 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 형성되며 서로 다른 높이를 갖는 제1 돌기 및 제2 돌기를 포함하는 돌기 패턴, 상기 돌기 패턴 상에 형성된 제2 배향막을 포함하는 제2 기판과; 상기 제1 기판 및 제2 기판 사이에 개재된 액정을 포함한다.
수직 배향 모드, 광시야각, 도메인, 돌기, 슬릿 노광

公开(公告)号：KR1020080008612A

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020060068076

申请日：2006-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추민형 ,  박민욱 ,  송영구 ,  김인우

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136209 ,  H01L27/124

Abstract: An array substrate and an LCD(Liquid Crystal Display) having the same are provided to minimize the electric potential difference between a light interception member and an adjacent line when static-electricity occurs, thereby enhancing the yield. A pixel member(PM) is formed on a base substrate(110) and displays an image. The pixel member is extended toward a direction and includes the first signal line for transmitting the first signal in response to the image. The second signal line is crossed with the first signal line on the base substrate and transmits the second signal in response to the image. A semiconductor line(SL) is interposed between the base substrate and the second signal line and located oppositely to the second signal line. Plural light interception members(120) are separately formed at the lower portion of the semiconductor lines and intercept the light beam. The right angle of the light interception member maintains the low electric potential compared to the critical electric potential.

Abstract translation: 提供了具有这样的阵列基板和LCD（液晶显示器），以使静电发生时遮光元件与相邻线之间的电位差最小化，从而提高产量。 像素部件（PM）形成在基板（110）上并显示图像。 像素构件向着一个方向延伸并且包括用于响应于该图像传送第一信号的第一信号线。 第二信号线与基底板上的第一信号线交叉，并响应于图像发送第二信号。 半导体线（SL）被插入在基底基板和第二信号线之间并且与第二信号线相对定位。 多个遮光构件（120）分别形成在半导体线路的下部并截取光束。 遮光构件的直角与临界电位相比保持低的电位。

公开(公告)号：KR1020070025458A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050081654

申请日：2005-09-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추민형 ,  이정호

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/136286

Abstract: A color filter substrate, a method of manufacturing the color filter substrate, and a multi-domain LCD(Liquid Crystal Display) having the color filter substrate are provided to prevent uneven display or image sticking from generating at a domain boundary and enhance brightness by arranging liquid crystal molecules at the domain boundary stably and regularly. A color filter substrate includes a substrate, a light-shielding layer, a color filter(230), a transparent electrode(270), and a protrusion. The light-shielding layer has openings arranged in a matrix on the substrate. The color filter is formed in each of the openings. The transparent electrode is formed on the color filter. The transparent electrode includes at least a pair of notches(277) facing each other and has cuts(271,272,273,274,275,276) with a predetermined width. The protrusion is formed in each cut. The protrusion is formed at the center of a sub cut defined by the end of the cut and a notch pair or a sub cut defined by neighboring two notch pairs.

Abstract translation: 提供滤色器基板，滤色器基板的制造方法和具有滤色器基板的多畴LCD（液晶显示器），以防止不均匀的显示或图像残留在畴边界处产生并通过布置来增强亮度 稳定而有规律地在界面边界处的液晶分子。 滤色器基板包括基板，遮光层，滤色器（230），透明电极（270）和突起。 遮光层在基板上具有以矩阵形式布置的开口。 在每个开口中形成滤色器。 透明电极形成在滤色器上。 透明电极包括彼此面对的至少一对凹口（277），并且具有预定宽度的切口（271,272,273,274,275,276）。 在每个切口中形成突起。 突起形成在由切口的端部限定的副切口的中心和由相邻的两个切口对限定的切口对或子切口。

公开(公告)号：KR1020080008598A

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020060068042

申请日：2006-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  양병덕 ,  박민욱 ,  손우성 ,  추민형 ,  정경석

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136263

Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) substrate and a repair method thereof are provided to include a subsidiary connection member for performing a repair process when generating the short between a gate line and a data line. A data line(200) is insulated and crossed by a gate line. A TFT is formed at the crossing portion of the gate line and data line. A pixel electrode(400) is connected with the TFT. A main connection member connects the data line with a source electrode of the TFT. A subsidiary connection member(100) is located oppositely to the main connection member by interposing the gate line and connects the data line with the source electrode of the TFT. The subsidiary connection member is formed on the same plane with the same materials as the source and drain electrodes of the TFT. When the short between a gate electrode and either the source or drain electrodes occurs, the subsidiary connection member and the main connection member are opened by a laser irradiation process.

Abstract translation: 提供TFT（薄膜晶体管）基板及其修复方法，以包括用于在栅极线和数据线之间产生短路时执行修复处理的辅助连接构件。 数据线（200）被栅极线绝缘并交叉。 在栅极线和数据线的交叉部分形成TFT。 像素电极（400）与TFT连接。 主连接构件将数据线与TFT的源电极连接。 辅助连接构件（100）通过插入栅极线与主连接构件相对地定位，并将数据线与TFT的源电极连接。 辅助连接部件在与TFT的源电极和漏电极相同的材料形成在同一平面上。 当栅电极和源电极或漏电极之间的短路发生时，辅助连接构件和主连接构件通过激光照射工艺打开。

公开(公告)号：KR1020060074547A

公开(公告)日：2006-07-03

申请号：KR1020040113304

申请日：2004-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이국승 ,  추민형 ,  양병덕

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124

Abstract: 절연기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있으며 상기 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선, 상기 게이트선과 상기 데이터선에 두 단자가 연결되어 있는 제1 및 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 부화소 전극 및 상기 제2 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 부화소 전극을 포함하고, 상기 제1 트랜지스터의 누설 전류는 상기 제2 트랜지스터의 누설 전류에 비하여 작은 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.
시인성, 화소분할, 차등전압, 누설전류, 숏키콘택

公开(公告)号：KR1020060065330A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020040104433

申请日：2004-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이국승 ,  추민형

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에서는, 절연 기판 위에 게이트 전극을 가지는 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상부에 차광 영역, 투명 영역 및 반투명 영역을 가지는 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 반도체를 형성하는 단계, 반도체의 상부에 데이터선 및 드레인 전극을 형성하는 단계, 데이터선을 덮으며 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍을 가지고 있는 보호막을 형성하는 단계, 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
박막트랜지스터, 감광막, 테이퍼, 반도체, 단선, 단차

公开(公告)号：KR1020060020171A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068948

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 추민형 ,  이국승

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78696

Abstract: 본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 반도체층, 상기 반도체층 위에 형성되어 있는 에치스타퍼, 상기 에치스타퍼 및 반도체층위에 형성되어 있는 저항성 접촉 부재, 상기 저항성 접촉 부재 위에 형성되어 있으며 하부막과 상부막의 이중층 구조를 가지며, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터선, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터선 위에 형성되어 있으며, 상기 에치스타퍼의 상부를 노출시키는 개구부를 가지는 보호막, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 개구부를 통하여 상기 드레인 전극의 하부막과 접촉하는 화소 전극, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며, 상기 개구부를 통하여 상기 소스 전극의 하부막과 접촉하며 상 기 화소 전극에 대향하는 소스 덮개층을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판에 대한 것이다.
상기와 같이 형성함으로써, 제조 공정에서 소스 덮개층 및 화소 전극을 이용하여 금속층 및 그 하부의 불순물 반도체층을 식각하여 채널을 형성하므로 사용 마스크의 수를 감소시킬 수 있다. 또한, 화소 전극과 드레인 전극간에 별도의 콘택홀을 형성할 필요가 없어서 공정이 단순화되며, 에치스타퍼를 반도체층의 상부에 형성하여 반도체층을 보호하도록 함으로써, 식각으로부터 반도체층이 보호되어 최적의 반도체층 두께를 적용할 수 있고 별도로 보호층을 더 형성할 필요가 없다.
IZO, 화소 전극, 박막 트랜지스터, 에치스타퍼

公开(公告)号：KR1020060112793A

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020050035414

申请日：2005-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김인우 ,  추민형 ,  손우성 ,  이국승 ,  유영훈

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/12

Abstract: A thin film transistor display panel, and a manufacturing method thereof are provided to make a gradient of a sidewall of a contact hole gentle by forming a protrusion at a lower portion of the contact hole where a drain electrode and a pixel electrode contact each other, or by remaining part of an upper layer of a data line layer. A gate line and a protrusion(123) are formed on a substrate(210). A gate insulating layer(140) is formed on the gate line and the protrusion. A semiconductor(151,154) is formed on the gate insulating layer. A data line(171) and a drain electrode(175) are formed on the semiconductor at least in part, and include a lower layer and an upper layer. A passivation layer(180) is formed on the data line and the drain electrode, has a contact hole exposing the lower layer of a part of the drain electrode or the data line and having at least one boundary placed on the protrusion. A conductor is connected to the drain electrode or the data line through the contact hole.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管显示面板及其制造方法，通过在漏电极和像素电极彼此接触的接触孔的下部形成突起来使接触孔的侧壁的梯度平缓， 或通过数据线层的上层的剩余部分。 栅极线和突起（123）形成在基板（210）上。 栅极绝缘层（140）形成在栅极线和突起上。 在栅极绝缘层上形成半导体（151,154）。 至少部分地在半导体上形成数据线（171）和漏极（175），并且包括下层和上层。 钝化层（180）形成在数据线和漏电极上，具有使漏极电极或数据线的一部分的下层露出的接触孔，并且至少具有一个边界。 导体通过接触孔连接到漏电极或数据线。

公开(公告)号：KR1020060079667A

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020050000124

申请日：2005-01-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이국승 ,  박민욱 ,  추민형 ,  공향식

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136263 ,  G02F2001/136272

Abstract: 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 액정표시장치 및 이의 제조 방법을 개시한다. 액정표시장치는 게이트 전극의 상부에 위치하는 제1 액티브 층, 및 제1 액티브 층과 소정의 거리로 이격되어 위치하는 제2 액티브 층을 포함한다. 보호막은 콘택홀이 형성된 영역이 부분적으로 제2 액티브층과 접한다. 화소 전극은 콘택홀을 통해 노출된 제2 액티브 층과 접하고, 제2 액티브 층과 접하는 보호막을 커버한다. 이에 따라, 액정표시장치는 콘택홀에서 드레인 전극이 언더컷되어 화소 전극이 단절되더라도 드레인 전극과 화소 전극간의 전기적인 연결을 유지할 수 있으므로, 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
화소 전극, 콘택홀, 언더컷