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公开(公告)号：KR101762176B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020100117107
申请日：2010-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L21/02 , H01L33/08 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/32
Abstract: 발광소자가개시된다. 개시된발광소자는관통홀을구비하는마스크층; 상기관통홀내에형성된것으로, 상기관통홀의길이방향으로하나이상의에너지장벽이형성된에너지밴드구조를가지는나노삽입층; 상기나노삽입층으로부터상기관통홀외부로성장된것으로, 제1형으로도핑된반도체나노코어; 상기반도체나노코어의표면을둘러싸며형성된활성층; 상기활성층의표면을둘러싸며형성된것으로, 제2형으로도핑된제2반도체층; 상기반도체나노코어및 제2반도체층각각에전기적으로연결되는제1전극및 제2전극;을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种发光器件。 所公开的发光器件包括具有通孔的掩模层; 纳米插入层，形成在所述通孔中并且具有能带结构，其中在所述通孔的纵向上形成至少一个能量势垒; 从所述纳米插入层生长到所述通孔的外部并且用第一类型掺杂的半导体纳米晶体; 形成为包围半导体纳米芯的表面的有源层; 第二半导体层，被形成为围绕所述有源层并且被掺杂有第二类型; 并且第一电极和第二电极分别电连接到半导体纳米芯和第二半导体层。
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公开(公告)号：KR101762175B1
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：KR1020100119786
申请日：2010-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L21/02 , H01L33/08 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/32
Abstract: 발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된발광소자는관통홀을구비하는마스크층; 상기관통홀을통해상기마스크층위로성장된것으로, 성장방향에따라순차적으로배치된, 수평단면의면적이상대적으로좁은제1영역과수평단면의면적이상대적으로넓은제2영역을구비하며, 제1형으로도핑된반도체나노코어; 상기반도체나노코어의표면을둘러싸며형성된활성층; 상기활성층의표면을둘러싸며형성된것으로, 제2형으로도핑된제2반도체층; 상기반도체나노코어및 제2반도체층각각에전기적으로연결되는제1전극및 제2전극;을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种发光器件及其制造方法。 所公开的发光器件包括具有通孔的掩模层; 并且第二区域通过通孔生长在掩模层上，并沿着生长方向依次布置，第一区域具有相对窄的水平横截面积，第二区域具有相对大的水平横截面积， 1型掺杂半导体纳米芯; 形成为包围半导体纳米芯的表面的有源层; 第二半导体层，被形成为围绕所述有源层并且被掺杂有第二类型; 并且第一电极和第二电极分别电连接到半导体纳米芯和第二半导体层。
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公开(公告)号：KR1020170052738A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150153825
申请日：2015-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/06
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체층, 상기제1 도전형반도체층상에배치되며복수의양자장벽층과 In을포함하는복수의양자우물층이교대로배치된활성층, 및상기활성층상에배치되는제2 도전형반도체층을포함하며, 각각의상기양자우물층은 In의조성이변하는적어도하나의경사층을포함하고, 상기제2 도전형반도체층에가까워짐에따라상기경사층의두께가두꺼워질수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的半导体发光器件中，第一导电类型半导体层，布置在所述半导体层上的第一导电类型，并且多个量子阱层是交替配置，包括多个量子势垒层和In的有源层 和设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层，每个量子阱层包括改变的组合物中的至少一个渐变层，根据第二导电类型半导体层中的方法 倾斜层的厚度可以增加。
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公开(公告)号：KR101718067B1
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020100128611
申请日：2010-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 발광소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된발광소자는나노파티클(nanoparticle)이포함된수직형발광구조체를구비할수 있다. 상기수직형발광구조체는제1 도전형반도체, 활성층및 제2 도전형반도체를포함할수 있고, 상기제1 도전형반도체, 활성층및 제2 도전형반도체중 적어도하나에복수의나노파티클이구비될수 있다. 상기나노파티클은, 예컨대, 양자점(quantum dot)일수 있다.
Abstract translation: 公开了一种发光器件及其制造方法。 所公开的发光装置可以具有包括纳米颗粒的垂直发光结构。 垂直发光结构可设置有一个第一导电类型半导体，并且可以包含在有源层和第二导电类型半导体，至少花枝多个所述第一导电型半导体，有源层和第二导电类型的半导体纳米粒子。 纳米粒子可以是例如量子点。
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公开(公告)号：KR101650720B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020100075239
申请日：2010-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른나노로드기반의반도체발광소자는, 제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상에형성되어상기제1 도전형반도체층위로연장된 AlGaN 나노로드; 상기 AlGaN 나노로드의측면과상면을덮어나노로드구조의내측쉘(shell)을형성하는 n-GaN 쉘층; 및상기 n-GaN 쉘층을순차적으로덮는활성층및 제2 도전형반도체층을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101603207B1
公开(公告)日：2016-03-14
申请号：KR1020130164523
申请日：2013-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층을제공하는단계와, 상기베이스층상에식각정지층이포함된마스크를형성하는단계와, 상기마스크에상기베이스층영역이노출된복수의개구를형성하는단계와, 상기복수의개구가충진되도록상기베이스층의노출된영역에제1 도전형반도체를성장시킴으로써복수의나노코어를형성하는단계와, 상기복수의나노코어의측면이노출되도록상기식각정지층을이용하여상기마스크를부분적으로제거하는단계와, 상기복수의나노코어의표면에활성층및 제2 도전형반도체층을순차적으로성장시키는단계;를포함하는나노구조반도체발광소자제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140096980A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130164523
申请日：2013-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: One aspect of the present invention provides a method of manufacturing nanostructure semiconductor light emitting device which includes a step of providing a base layer made of a first conductivity type semiconductor, a step of forming a mask including an etch stop layer on the base layer, a step of forming multiple openings exposed to the base layer by the mask, a step of forming multiple nanocores by growing the first conductivity type semiconductor in the exposed region of the base layer to fill the openings, a step of partly removing the mask by using the etch stop layer to expose the side of the nanocores, and a step of successively growing the active layer and a second conductivity type semiconductor layer on the surface of the nanocores.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供一种制造纳米结构半导体发光器件的方法，其包括提供由第一导电类型半导体制成的基底层的步骤，在基底层上形成包括蚀刻停止层的掩模的步骤， 通过掩模形成暴露于基底层的多个开口的步骤，通过在基底层的暴露区域中生长第一导电类型半导体以填充开口来形成多个纳米孔的步骤，通过使用 蚀刻停止层以暴露纳米孔的一侧，以及在纳米孔的表面上连续生长有源层和第二导电类型半导体层的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140077614A
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020120146618
申请日：2012-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/16 , H01L27/153 , H01L33/0054 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: A three-dimensional light emitting device comprises a semiconductor core which is vertically grown on one surface and doped with a first conductivity type; an active layer formed to surround the surface of the semiconductor core; and multiple three-dimensional light emitting structures formed to surround the surface of the active layer, including a first semiconductor layer doped with a second conductivity type, and formed apart from each other. The three-dimensional light emitting device may comprise a porous insulating layer formed between a lower corner portion of the light emitting structures and formed to expose the upper end part of the light emitting structures; a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer ; and a second electrode electrically connected to the semiconductor core.
Abstract translation: 三维发光器件包括在一个表面上垂直生长并掺杂有第一导电类型的半导体芯; 形成为包围半导体芯的表面的有源层; 以及形成为围绕有源层的表面的多个三维发光结构，包括掺杂有第二导电类型的第一半导体层，并且彼此分开形成。 三维发光器件可以包括形成在发光结构的下角部分之间并且被形成为暴露发光结构的上端部分的多孔绝缘层; 电连接到第一半导体层的第一电极; 和与半导体芯电连接的第二电极。
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公开(公告)号：KR101285164B1
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020110105342
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 유전체 패턴이 제거된 영역에서 재성장 반도체층의 일부가 재성장됨으로써 절연체 마스크 계면과 반도체층 사이의 계면에서 전류가 누설되는 것을 차단할 수 있다. 또한, 재성장 반도체층의 피라미드 사면과 바닥면 상에 형성되는 활성층의 두께 및 인듐(In)의 조성비를 달리하여 다양한 파장대의 빛을 발생시킬 수 있으며, 발광소자 전체의 발광 파장을 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101258583B1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110108114
申请日：2011-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/007 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/385 , H01L33/44
Abstract: PURPOSE: A nanorod light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to form an upper current injection structure by using a multilayered structure of an electrode and an insulating layer, and to improve current injection efficiency. CONSTITUTION: A mask layer(17) including a through hole(16) is formed on a nitride semiconductor layer(15). A light emitting nanorod(26) including a nanocore(20), a light emitting layer(23), and a semiconductor layer(25) is formed on the mask layer. A first filling layer(30) is formed on the mask layer between the light emitting nanorods. A first conductive layer(33) is formed on the semiconductor layer and the first filling layer. A second filling layer(35) is formed on the first conductive layer between the light emitting nanorods. A first electrode(37) is formed on the second filling layer and the first conductive layer.
Abstract translation: 目的：提供纳米棒发光器件及其制造方法，以通过使用电极和绝缘层的多层结构形成上电流注入结构，并提高电流注入效率。 构成：在氮化物半导体层（15）上形成包括通孔（16）的掩模层（17）。 在掩模层上形成包括纳米孔（20），发光层（23）和半导体层（25）的发光纳米棒（26）。 在发光纳米棒之间的掩模层上形成第一填充层（30）。 第一导电层（33）形成在半导体层和第一填充层上。 在发光纳米棒之间的第一导电层上形成第二填充层（35）。 第一电极（37）形成在第二填充层和第一导电层上。
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