公开(公告)号：KR1019970052132A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950052280

申请日：1995-12-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기 ,  옥경하 ,  조신현 ,  허장무

IPC: H01L21/265

Abstract: 본 발명은 이온 주입기의 빔 라인 챔버를 벤트시키는 방법 및 그 제어장치에 관한 것으로, 벤트방법은 상기 빔 라인 챔버의 진공상태를 유지시키는 터보 펌프내에 설치된 블레이드의 회전속도를 검출하는 단계 및 상기 블레이드의 회전속도가 "0"일 때 빔 라인 챔버내에 퍼지가스를 주입시켜 벤트시키는 단계로 이루어지고, 또한 이온 주입기의 빔 라인 챔버를 벤트시키기 위한 제어장치는, 상기 빔 라인 챔버의 진공상태를 유지시키는 터보펌프내에 설치된 블레이드의 회전속도를 검출하여 제어부에 제공하는 펌프 회전속도 검출부 및 상기 제어부에 의해 제어되어 펌프 회전속도 검출부에서 검출된 회전속도가 "0"일 때 빔 라인 챔버내로 퍼지가스를 주입시키는 퍼지가스 공급부로 구성된 것이다.
따라서 빔 라인 챔버의 벤트시 터보 펌프의 블레이드가 완전히 정지된 다음 퍼지가스가 빔 라인 챔버내로 주입되는 것이므로 벤트성능이 향상되는 것이고, 또한 블레이드 및 이를 축지지하는 베어링의 손상이 방지되는 것이며, 이로써 블레이드 및 베어링의 수명이 연장되고 빔 라인 챔버가 오염되는 것이 바지되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019970030311A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950040881

申请日：1995-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기 ,  손영상 ,  조신현 ,  박성진

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 이온주입장비 이온발생장치가 개시되어 있다. 본 발명은 아크 챔버내의 상측에 위치하는 아노드 링과, 상기 아크 챔버의 바닥면에 형성된 개구부로 일부가 수용되어 상기 아노드 링을 지지하며 아크전압을 인가해주는 아노드 포스트와, 상기 아노드링과 상기 아크 챔버의 바닥면 사이에 위치하는 필라멘트와, 상기 아노드 포스트와 상기 아크챔버를 절연시키며 상기 개구부를 밀폐시키는 절연판을 구비되며, 상기 아크 챔버에는 가스 유입구가 형성되어 이루어지는 반도체 이온주입장비의 이온발생장치에 있어서, 상기 아크 챔버 바닥면의 개구부를 상측으로부터 덮어줄 수 있는 덮개가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 이온주입장비의 이온 발생장치에서 아노드와 아크 챔버 벽체와의 절연파괴를 방지하여 이온주입장비의 수명을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020020084445A

公开(公告)日：2002-11-09

申请号：KR1020010023710

申请日：2001-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기

IPC: H01L21/265

Abstract: PURPOSE: An analyzer chamber of ion implantation chamber is provided to exchange only a damaged part of the analyzer chamber when the analyzer chamber is damaged by rapid movement of ion beams. CONSTITUTION: An analyzer chamber(231) of a mass analyzer is formed with a main body(233), a chamber head(232), and a combination portion and a leak prevention member(240). A combination hole(238) is formed at an edge of one end portion of the main body(233). The combination hole(238) is combined with the chamber head(232). An ion outlet(239) is formed at the other end portion of the main body(233). A through-hole(234) is formed at an end portion of one side of the chamber head(232). The through-hole(234) faces the combination hole(238). An O-ring is formed at an end portion of the other side of the chamber head(232). An ion inlet(237) is formed at a center of the chamber head(232). A combination portion is formed with the combination hole(238), the through-hole(234), and a combination bolt(235). The O-ring is used as a leak prevention member(240).

Abstract translation: 目的：离子注入室的分析器室仅当离子束的快速移动损坏分析仪室时才能更换分析器室的损坏部分。 构成：质量分析器的分析器室（231）形成有主体（233），腔室头部（232）和组合部分以及防漏部件（240）。 组合孔（238）形成在主体（233）的一个端部的边缘处。 组合孔（238）与腔室头部（232）组合。 离子出口（239）形成在主体（233）的另一端部。 在腔室头部（232）的一侧的端部形成有通孔（234）。 通孔（234）面向组合孔（238）。 O形环形成在腔室头部（232）的另一侧的端部处。 离子入口（237）形成在腔室头部（232）的中心。 组合部分形成有组合孔（238），通孔（234）和组合螺栓（235）。 O形环用作防漏部件（240）。

公开(公告)号：KR1020020018291A

公开(公告)日：2002-03-08

申请号：KR1020000051539

申请日：2000-09-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer handler of an ion implanter is provided to minimize sliding and damage of a wafer, by controlling the level and balance of the wafer handler used in an ion implantation process. CONSTITUTION: The wafer is absorbed and fixed to a wafer transfer arm(350). A wafer transfer arm support block(340) supports the wafer transfer arm. The transfer arm support block is supported by a base block. A drive unit makes the base block reciprocate and rotate to transfer the wafer to a designated position. A control unit controls the level and balance of the wafer transfer arm support block, associated with the wafer transfer arm support block and the base block.

Abstract translation: 目的：提供离子注入机的晶片处理器，以通过控制离子注入工艺中使用的晶片处理器的水平和平衡来最小化晶片的滑动和损坏。 构成：将晶片吸收并固定到晶片传送臂（350）上。 晶片传送臂支撑块（340）支撑晶片传送臂。 传送臂支撑块由基座支撑。 驱动单元使基座往复运动并旋转以将晶片转移到指定位置。 控制单元控制与晶片传送臂支撑块和基座相关联的晶片传送臂支撑块的水平和平衡。

公开(公告)号：KR100296651B1

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1019980027694

申请日：1998-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 진공상태 형성시 발생하는 안개현상을 방지하게 하는 반도체 진공설비 및 이를 이용하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 진공설비는, 진공상태의 챔버 내부로 벤트가스(Vent Gas)를 공급하여 챔버의 외부개방에 필요한 대기압상태를 조성하도록 하는 벤트가스공급장치를 구비하여 이루어지는 반도체 진공설비에 있어서, 상기 벤트가스공급장치에 상기 벤트가스를 예열시키는 히터를 설치하는 것을 특징으로 하고, 본 발명의 반도체 진공설비를 이용하는 방법은, 챔버 내부로 벤트가스를 공급하고, 상기 벤트가스가 계속 공급되는 동안 상기 챔버가 외부개방되어 가공물을 언로딩 및 로딩하며, 상기 챔버가 밀폐되어 상기 벤트가스의 공급이 중단된 후 상기 챔버 내부에 진공상태가 형성되는 단계들을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 파티클에 의한 웨이퍼 불량을 방지하여 웨이퍼의 수율을 향상시키고, 챔버의 오염을 방지하게 하는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020000008048A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980027694

申请日：1998-07-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01J37/18 ,  H01J2237/182

Abstract: PURPOSE: The facility improves the yield of wafer by preventing the deterioration of a wafer due to a particle, and prevents the contamination of a chamber. CONSTITUTION: The facility prevents the mist phenomenon generating in forming vacuum state, and comprises a vent gas supply apparatus to prepare the state of atmospheric pressure necessary for the opening to the external of the chamber by supplying a vent gas into the chamber of vacuum state. A heater(2) to warm up the vent gas is installed in the vent gas supply apparatus. The method to use the facility includes the step of supplying the vent gas into the chamber and unloading/loading a workpiece by opening the chamber and forming the vacuum state in the chamber after stopping the supply of the vent gas by sealing up the chamber.

Abstract translation: 目的：该设备通过防止由于颗粒导致的晶片劣化而提高了晶片的产量，并且防止了室的污染。 构成：该设备防止在形成真空状态时产生的雾现象，并且包括通气气体供给装置，以通过向真空状态的室供给排气而制备对室外的开口所需的大气压力的状态。 在排放气体供给装置中安装有用于预热排气的加热器（2）。 使用该设备的方法包括以下步骤：通过打开腔室并且在通过密封腔室停止供给排气的停止后的腔室中形成真空状态，将排出气体供给到室中并卸载/加载工件。

公开(公告)号：KR1019990056996A

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019970077032

申请日：1997-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기 ,  윤수한 ,  박성진 ,  권영수

IPC: H01J27/02

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치의 이온 생성부에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 이온 생성부는 진공 펌프에 의해 고진공으로 유지되는 소스 하우징 내부에 설치된 유독 가스가 저장된 가스 박스와, 유독 가스를 이온화시켜 이온 빔을 생성하는 필라멘트를 갖는 방전실과, 상기 이온 빔을 반대 전하를 띤 이온 빔으로 변환시키는 이온 변환기를 구비하며, 상기 이온 생성부 내에서 예방정비와 같은 작업을 하는 이온 생성부 내에 잔류하는 유독 가스를 외부로 배출시키기 위한 후드를 구비한다. 상기 후드는 소스 헤드에 인접하여 설치되는 제2후드와, 이온 변환기에 인접하게 설치되는 제3후드로 되어 있다. 본 발명에 따르면 잔류하는 유독 가스를 배출관이 연결된 후드를 이용하여 배출시킴으로써 작업자가 안전하게 작업을 실시할 수 있도록 하여 작업성이 향상되는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019990041986A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970062682

申请日：1997-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신용광 ,  서종환 ,  송호기 ,  정지훈

IPC: H02K7/00

Abstract: 본 발명은 모터 어셈블리에서 모터의 회전 구동력을 전달하기 위해 모터 축과 모터 슬리브를 결합시키는 모터 핀의 부러짐에 의한 회전력 전달 불량을 해결하기 위한 것으로서, 회전 구동력을 발생하는 모터와, 상기 모터의 회전 구동력을 외부로 전달하기 위한 모터 축과, 상기 모터 축과 결합되어 상기 모터 축의 회전 구동력을 전달하는 모터 슬리브를 구비하는 모터 어셈블리에 있어서, 상기 모터 축과 상기 모터 슬리브는 끼움 결합되어 있거나 나사에 의해 조임 결합되는 것을 특징으로 하는 모터 어셈블리를 제공함으로써 모터의 구동력을 안정적으로 공급하는 것이 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1019990031290A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970051944

申请日：1997-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송호기 ,  장창호

IPC: H01L21/26

Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 가공하는 반도체 소자 제조 장치 중에서 웨이퍼의 표면에 이온과 같은 불순물을 주입하는 이온 주입 장치에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 냉각수의 누출을 감지할 수 있는 고전류 이온 주입 장치의 냉각수 공급 시스템에 관한 것이며, 이를 위하여 종래의 냉각수 공급 시스템에 냉각수의 누출을 감지할 수 있는 감지장치를 갖는 시스템을 개시하며, 이러한 시스템을 통하여 냉각수의 누출에 따라 설비가 부식되거나 설비의 절연상태가 파괴되는 등의 장치의 손실 및 전기적으로 단락을 일으켜 화재를 발생시키는 등의 제반 안전사고 방지할 수 있으며, 결과적으로 공정의 안정성을 향상한다.

公开(公告)号：KR1019990031280A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970051934

申请日：1997-10-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동규 ,  배성동 ,  송호기 ,  최찬승

IPC: H01L21/26

Abstract: 본 발명은 이온 주입 장치의 엔드스테이션 모듈(Endstation Module)에 관한 것으로, 엔드스테이션 모듈의 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 및 빔라인 챔버의 소모성 부품을 교체하거나 수리하기 위하여 각각의 챔버를 격리시킬 수 있는 엔드스테이션 모듈을 제공하기 위하여, 좌우 트랜스퍼 챔버와 프로세스 챔버 사이와, 빔라인 챔버와 프로세스 챔버 사이에 격리 밸브가 설치된 이온 주입 장치의 엔드스테이션 모듈을 제공한다. 특히, 본 발명의 엔드스테이션 모듈은 각 챔버 중에서 작업이 필요한 챔버만을 격리시켜 진공 상태에서 대기압 상태로 만들어 작업을 진행하며, 작업이 완료된 이후에 격리된 챔버만을 진공 상태로 만든 상태에서 격리된 상태를 해제함으로써 작업에 따른 시간적 손실을 줄일 수 있는 것을 특징으로 한다. 이때, 챔버의 격리 및 해제는 챔버 주위에 설치된 격리 밸브의 개폐로서 조절하게 된다.