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公开(公告)号：KR1020060064863A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103537
申请日：2004-12-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0078 , H01L51/052 , H01L51/105
Abstract: 본 발명은 기판, 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 유기 반도체층이 차례로 형성된 유기박막 트랜지스터를 제조함에 있어서, 소스/드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 표면을 무기산 또는 유기산에 함침시키고, 어닐링하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의하면 포토레지스트 공정에 의해 손상된 게이트 절연막 표면을 효과적으로 회복시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전하이동도 및 전류점멸비가 높은 유기박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 게이트 절연막, 산처리, 어닐링-
公开(公告)号：KR1020060049490A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050047107
申请日：2005-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/052 , C08L63/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , H01L51/0052 , C08L2666/02
Abstract: 본 발명은 유기절연막 조성물, 이를 이용한 유기절연막의 패턴형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (ⅰ) 작용기를 갖는 단량체, (ⅱ) 빛에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 개시제, 및 (ⅲ) 유기 또는 무기고분자를 포함하는 광-패턴형성 가능한(photo-patternable) 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 패턴형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 유기절연막을 포토레지스트 공정에 의하지 않고 간단하게 패턴형성할 수 있기 때문에, 제조공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라, 궁극적으로 전하이동도가 높은 유기박막 트랜지스터를 완전 습식공정(all wet-processible)에 의해 제조할 수 있다.
유기박막 트랜지스터, 유기 절연막 조성물, 패턴형성-
公开(公告)号：KR1020060016298A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020040064690
申请日：2004-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C08G77/58 , C08L83/14 , H01L51/052 , H01L51/0525 , C08L2666/02
Abstract: 본 발명은 유무기 금속 하이브리드 물질 및 이를 포함하는 유기 절연체 조성물에 관한 것으로, 상기 물질은 유기용매와 단량체에 대한 용해성과 기판에 대한 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 높은 유전상수와 높은 가교도에 의해 단독 또는 이를 포함한 조성물의 형태로 습식공정을 필요로 하는 다양한 전자소자에 응용될 수 있다.
유무기 금속 하이브리드 물질, 유기절연체, 유전상수, 유기박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR102171263B1
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：KR1020140109041
申请日：2014-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/20
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公开(公告)号：KR1020150050692A
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020130130411
申请日：2013-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0696 , H01L21/823807 , H01L21/845 , H01L27/092 , H01L27/1211 , H01L29/7812 , H01L21/823468 , H01L21/823857 , H01L29/7851
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는반도체기판상에배치되는복수개의단위셀들을포함한다. 상기단위셀들의각각은상기반도체기판내에매립된매립절연패턴, 상기매립절연패턴상의제1 활성패턴, 및상기매립절연패턴상에배치되고, 상기제1 활성패턴으로부터이격된제2 활성패턴을포함한다. 상기매립절연패턴은상기단위셀들의각각이배치되는단위셀 영역을정의한다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括布置在半导体衬底上的多个单元电池。 每个单电池包括埋在半导体衬底中的掩埋绝缘图案; 位于掩埋绝缘图案上的第一有源图案; 以及布置在所述掩埋绝缘图案上并与所述第一活动图案分离的第二有源图案。 掩埋绝缘图案定义了分别布置单元电池的单元电池区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101154132B1
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020050047107
申请日：2005-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/052 , C08L63/00 , G03F7/027 , G03F7/038 , H01L51/0052 , C08L2666/02
Abstract: 본 발명은 유기 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기 절연막의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (ⅰ) 작용기를 갖는 단량체, (ⅱ) 빛에 의해 산 또는 라디칼을 발생시키는 개시제, 및 (ⅲ) 유기 또는 무기 고분자를 포함하는 광-패턴 형성 가능한(photo-patternable) 유기 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기 절연막의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 유기 절연막을 포토레지스트 공정에 의하지 않고 간단하게 패턴 형성할 수 있기 때문에, 제조공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라, 궁극적으로 전하이동도가 높은 유기 박막 트랜지스터를 완전 습식 공정(all wet-processible)으로 제조할 수 있다.
유기 박막 트랜지스터, 유기 절연막 조성물, 패턴 형성-
公开(公告)号：KR100947702B1
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：KR1020030011898
申请日：2003-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 표면에 양이온 중합에 참여할 수 있는 옥시란기 또는 안하이드라이드기를 도입하고, 상기 탄소나노튜브를 광산발생제 또는 광염기발생제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 포토마스크를 통해 UV에 노광시켜 노광부에서 탄소나노튜브의 양이온 중합을 유발한 다음 비노광부를 현상액으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 네가티브 패턴을 형성하는 방법과 상기 탄소나노튜브를 열경화제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 열경화시켜 탄소나노튜브 고분자 복합체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 의하면 기존의 포토리소그래피 방식으로 다양한 재질의 기재 상에 탄소나노튜브 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 탄소나노튜브 자체만으로 또는 다른 고분자와 함께 경화물성이 향상된 탄소나노튜브 고분자 복합체를 제조할 수 있다.
탄소나노튜브, 포토리소그래피, 네가티브 패턴, 옥시란, 안하이드라이드, 양이온 중합, 고분자 복합체, 상호침투망목구조-
公开(公告)号：KR1020090004146A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020070068130
申请日：2007-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , H01L27/1214 , H01L27/283 , H01L51/0512
Abstract: An organic thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to simplify the manufacturing process by depositing photoresist on the insulating material. A gate line receives the scan signal from a gate driver. A pixel electrode(35) supplies voltage with liquid crystal molecules formed between the organic thin film transistor array panel and color filter substrate. A data line(50) receives the pixel voltage signal from data driver. The gate insulating layer(40) is formed between the gate line and data line. The gate metal pattern including gate line and data metal pattern including data line are insulated. The organic thin film transistor(80) makes pixel voltage signal to be charged in the electrode. The insulating layer(90) is formed on the organic semiconductor layer(70), the source electrode(63), and the drain electrode(65).
Abstract translation: 提供有机薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过在绝缘材料上沉积光致抗蚀剂来简化制造工艺。 栅极线从栅极驱动器接收扫描信号。 像素电极（35）通过在有机薄膜晶体管阵列面板和滤色器基板之间形成的液晶分子提供电压。 数据线（50）从数据驱动器接收像素电压信号。 栅极绝缘层（40）形成在栅极线和数据线之间。 包括栅极线和包括数据线的数据金属图案的栅极金属图案被绝缘。 有机薄膜晶体管（80）使得电极中的像素电压信号被充电。 绝缘层（90）形成在有机半导体层（70），源电极（63）和漏电极（65）上。
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公开(公告)号：KR1020080105762A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070053772
申请日：2007-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L27/283
Abstract: An organic thin film transistor array panel for the display device is provided to prevent the pixel failure of organic thin film transistor by forming at least two organic thin film transistors within one pixel. An organic thin film transistor array panel for the display device comprises the gate line(20), and the data line(40), at least two organic thin film transistors, and the pixel electrode(100). The data line and the gate line are insulated from each other. The organic thin film transistor connects with the gate line and data line. The organic thin film transistor commonly connects to one main drain electrode(65). The pixel electrode connects with the main drain electrode.
Abstract translation: 提供了一种用于显示装置的有机薄膜晶体管阵列面板，以通过在一个像素内形成至少两个有机薄膜晶体管来防止有机薄膜晶体管的像素故障。 用于显示装置的有机薄膜晶体管阵列面板包括栅极线（20）和数据线（40），至少两个有机薄膜晶体管和像素电极（100）。 数据线和栅极线彼此绝缘。 有机薄膜晶体管与栅极线和数据线连接。 有机薄膜晶体管通常连接到一个主漏电极（65）。 像素电极与主漏极连接。
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公开(公告)号：KR100865622B1
公开(公告)日：2008-10-27
申请号：KR1020020050550
申请日：2002-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 디스플레이의 휘도를 향상시키는 수단으로 제시되고 있는 2차원 판상 광자결정(photonic crystal slab) 구조를 형성하는 새로운 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 특정 파장의 광원에 노광시 노광 정도에 따라 높이 차이 또는 용해도 차이를 발현하는 광반응성 고분자 박막이 도포된 유리기판을 일정한 주기(Λ)로 간섭된 레이저 빔에 노광하는 과정을 유리기판 또는 레이저 시스템을 그 유리기판에 수직인 축을 중심으로 360/n°씩 회전시키면서 반복시행한 후 현상 및/또는 에칭하는 공정을 거쳐 2차원의 n각형 배열을 가진 간격주기 Λ의 판상 광자결정 구조를 대면적의 유리기판 상에 형성하며, 본 발명에 의해 발광층에서 생성된 빛이 뷰잉(viewing) 방향으로 집중되어 우수한 휘도를 시현하고 소비전력이 적어 경제적인 디스플레이를 면적에 구애받지 않고 용이하게 생산할 수 있다.
유기전계발광 디스플레이, 광자결정, 격자, 레이저 간섭계, 아조 벤젠, 포토레지스트
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