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公开(公告)号：KR101728320B1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：KR1020110064867
申请日：2011-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/90 , H01L27/10852
Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은기판상에제1 내지제n 희생층과제1 내지제n 지지층이번갈아순차로적층된복합막을형성하고, 복합막을관통하는복수의개구부를형성하고, 복수의개구부내에하부전극을형성하고, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하되, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하는것은, (a) 제k(단, k는 n에서 1까지순차로감소하는자연수) 지지층의일부를제거하여제k 희생층의일부를노출시키는단계; (b) 제k 희생층의노출면을통해제k 희생층을전부제거하는단계; (a) 단계와 (b) 단계를 2회이상반복하여하부전극을지지하는복수의지지대를형성하는것을포함하고, 하부전극상에유전막및 상부전극을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR101654027B1
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020100023405
申请日：2010-03-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L49/02 , H01L27/108 , H01L27/115
CPC classification number: H01L28/40 , H01L27/1085 , H01L27/11568
Abstract: 다층유전막을포함하는반도체소자의제조방법을개시한다. 본발명에따른반도체소자의제조방법은반도체기판상에금속원자및 실리콘원자를포함하는다층유전막을형성하는단계를포함하되, 다층유전막을형성하는단계는포함된금속원자및 실리콘원자의개수합계중 실리콘원자의개수가가지는비율인실리콘농도가서로다른적어도 2개의결정질금속실리케이트막을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020160089657A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：KR1020150009131
申请日：2015-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 주식회사 원익아이피에스
IPC: H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/0262 , C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584 , H01L21/0228 , H01L21/02263
Abstract: 기판상에가스의흡착효율을강화할수 있는가스주입장치를제공하는것이다. 상기가스주입장치는베이스판, 상기베이스판 상의제1 가스분리영역, 상기베이스판 상에, 원주(circumferential) 방향으로상기제1 가스분리영역의양측에인접하고, 소오스가스를제공하는제1 및제2 소오스가스공급영역, 및상기베이스판 상에, 상기제1 가스분리영역및 제1 소오스가스공급영역사이와, 상기제1 가스분리영역및 상기제2 소오스가스공급영역사이에비배치되고, 반응가스를제공하는제1 반응가스공급영역을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种能够提高基板上的气体的吸收效率的气体注入装置。 气体注入装置包括：基板; 基板上的第一气体分离区域; 第一和第二源气体供给区域，其在所述基板上沿圆周方向与所述第一气体分离区域的两侧相邻，并且构造成供给源气体; 以及未配置在第一气体分离区域和第一源气体供给区域之间以及第一气体分离区域和第二源气体供给区域之间并构成为供给反应气体的第一反应气体供给区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150073595A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161485
申请日：2013-12-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/7682 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L23/5222 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L23/53266 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2221/1063 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체소자의배선구조물및 그형성방법에서, 배선구조물은기판상에제1 절연막이구비된다. 상기제1 절연막상에는, 금속패턴들및 금속패턴들의측벽및 저면을둘러싸는베리어금속패턴들을포함하는배선패턴들이구비된다. 상기배선패턴들과직접접촉하면서상기배선패턴들상부면을덮고, 하부막에따라성막특성이다른물질을포함하는보호막패턴들이구비된다. 상기배선패턴들사이에고립된에어갭을생성하면서상기보호막패턴상에는제2 절연막이구비된다. 상기반도체소자의배선구조물은에어갭이구비됨으로써기생커패시턴스가감소되고, 금속패턴의손상이감소되어저저항을갖는다.
Abstract translation: 在半导体器件的布线结构及其形成方法中，布线结构包括在基板上的第一绝缘层。 在第一绝缘层上形成有金属图案和阻挡金属图案的围绕金属图案的下侧和侧壁的布线图案。 形成与布线图案直接接触的保护层图案，覆盖布线图案的上侧，并且包括根据下层具有不同膜特性的材料。 在布线图案之间产生隔离的气隙，并且在保护图案上形成第二绝缘层。 半导体器件的布线结构通过包括气隙来减小寄生电容，并且通过减少对金属图案的损伤而具有低电阻。
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公开(公告)号：KR1020140142400A
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020130063293
申请日：2013-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/03529 , H01L31/1808 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체 소자가 제공된다. 제 1 반도체층 및 상기 제 1 반도체층의 제 1 영역을 덮고 제 2 영역을 노출하는 절연 패턴이 제공된다. 상기 절연 패턴에 의하여 노출된 상기 제 1 반도체층의 제 2 영역과 접하고 상기 절연 패턴 상으로 연장하는 제 2 반도체층이 제공된다. 상기 제 2 반도체층 상에 제공되고 상기 제 1 반도체층과 격자 상수가 다른 제 3 반도체층을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件。 提供了第一半导体层和覆盖第一半导体层的第一区域并暴露第二区域的绝缘图案。 提供了第二半导体层，其接触由绝缘图案暴露的第一半导体层的第二区域并延伸到绝缘图案。 半导体器件包括设置在第二半导体层上并具有与第一半导体层不同的晶格常数的第三半导体层。
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公开(公告)号：KR1020140112608A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130025750
申请日：2013-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02667
Abstract: A method for forming an epitaxial layer according to the present invention includes a step of forming multiple first insulating patterns which are separated from each other in a substrate, a step of forming first epitaxial patterns on the first insulating patterns, a step of forming second insulating patterns touching the first insulating patterns in the substrate between the first insulating patterns, and a step of forming a single epitaxial layer which includes the first epitaxial patterns and second epitaxial patterns on the first insulating patterns and the second insulating patterns, by forming the second epitaxial patterns touching the first epitaxial patterns between the first epitaxial patterns on the second insulating patterns.
Abstract translation: 根据本发明的用于形成外延层的方法包括在衬底中形成彼此分离的多个第一绝缘图案的步骤，在第一绝缘图案上形成第一外延图案的步骤，形成第二绝缘体的步骤 图案接触第一绝缘图案之间的衬底中的第一绝缘图案，以及通过形成第二外延形成在第一绝缘图案和第二绝缘图案上形成包括第一外延图案和第二外延图案的单个外延层的步骤 接触第二绝缘图案上的第一外延图案之间的第一外延图案的图案。
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公开(公告)号：KR1020130091952A
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120013327
申请日：2012-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A gas supply pipe and a chemical vapor deposition device having the same are provided to uniformly discharge gas by preventing the deposition of reaction gas inside a pipe. CONSTITUTION: A first pipe (310) is connected to a gas storage apparatus through a gas supply line. Reaction gas is supplied to a reaction chamber through the first pipe. A second pipe (320) has a thermal contact surface which is in contact with the first pipe. One part of the second pipe is connected to a refrigerant supply part (321). The other part of the second pipe is connected to a refrigerant collection part (322).
Abstract translation: 目的：提供一种气体供给管和具有该气体供给管的化学气相沉积装置，以通过防止反应气体在管内沉积来均匀地排出气体。 构成：第一管道（310）通过气体供应管线连接到气体存储装置。 反应气体通过第一管道供应到反应室。 第二管（320）具有与第一管接触的热接触表面。 第二管的一部分连接到制冷剂供给部（321）。 第二管的另一部分连接到制冷剂收集部分（322）。
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公开(公告)号：KR101221066B1
公开(公告)日：2013-02-12
申请号：KR1020060105849
申请日：2006-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/58 , G02B3/02 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B19/0071 , G02B3/08 , G02B19/0028 , G02B19/0061 , G02F1/133603 , G02F1/133611 , G02F2001/133607 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 광 손실을 최소화하고, 광 출사율을 개선하기 위한 구조로 형성된 측면 방출 렌즈와 이를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치에 관한 것으로, 돔 형태의 바디로 형성된 측면 방출 렌즈로서, 이러한 바디는 외부로부터 광이 입사되는 베이스부와, 입사광을 굴절시켜 측면으로 출사시키기 위한 굴절부 및 입사광을 굴절부 및 베이스부 중 적어도 어느 하나를 향해 전반사 시키기 위하여, 굴절부의 중심 영역 상에 원추형태의 홈으로 형성되며, 적어도 3개 이상의 반사면으로 이루어진 반사부를 포함하며, 반사면들 중 적어도 2개 이상의 반사면은 소정 곡률반경을 갖는 곡면으로 형성되는 것을 측면 방출 렌즈와 이를 구비한 백라이트 유닛 및 액정표시장치가 제공된다.
발광 다이오드, 직하형, 백라이트, 측면 방출 렌즈, 반사면, 굴절면
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