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公开(公告)号：KR1020170113015A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170008317
申请日：2017-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명은주기적채널상태보고모드설정을위한 first PMI 보고시점설정방법및 이에따르는주기적채널상태보고모드설정방법을제안하고이에따라주기적채널상태보고모드설정이원활히하도록하는방법을개시한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种通信技术及其系统，其融合具有IoT技术的5G通信系统以支持比4G系统更高的数据速率。 本实用新型是针对智能服务（例如，基于5G的技术和物联网相关技术，智能家居，智能楼宇，智能城市，智能卡，或连接汽车，医疗，数字教育，零售，保安和安全服务， ），它可以被应用。 本发明提出了一种周期性yiettara信道状态报告模式，以及高达第一PMI报告时间的设置，而这根据周期性报告模式设置信道状态中公开了，以方便周期的信道状态报告模式的方法。
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公开(公告)号：KR1020170109997A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160102770
申请日：2016-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 4G 시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G 통신시스템을 IoT 기술과융합하는통신기법및 그시스템에관한것이다. 본개시는 5G 통신기술및 IoT 관련기술을기반으로지능형서비스 (예를들어, 스마트홈, 스마트빌딩, 스마트시티, 스마트카 혹은커넥티드카, 헬스케어, 디지털교육, 소매업, 보안및 안전관련서비스등)에적용될수 있다. 본발명은비면허대역에서동작하는이동통신시스템또는채널감지동작을필요로하는이동통신시스템에서상기상향링크제어정보및 데이터를보다효율적으로전송하는방법을개시한다.
Abstract translation: 本公开涉及一种通信技术及其系统，其融合具有IoT技术的5G通信系统以支持比4G系统更高的数据速率。 本实用新型是针对智能服务（例如，基于5G的技术和物联网相关技术，智能家居，智能楼宇，智能城市，智能卡，或连接汽车，医疗，数字教育，零售，保安和安全服务， ），它可以被应用。 本发明公开了一种用于在需要移动通信系统或信道感测在该未经许可的频带中操作的操作的移动通信系统中有效地发送更多的上行链路控制信息和数据的方法。
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公开(公告)号：KR101511158B1
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：KR1020080128196
申请日：2008-12-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66 , H01L21/027
CPC classification number: G03B27/42
Abstract: 본발명의레티클에러검출방법은노광기에장착된레티클에노광기의광원을이용하여광을조사하고, 레티클을통과하여나오는회절광들중 0차회절광만으로레티클의에러를검출하는것을포함한다. 0차회절광은상기노광기에레티클의패턴에따라서조명계를선택하여얻어질수 있다. 레티클에러는노광기에장착된웨이퍼상의포토레지스트막을현상한후 포토레지스트막의두께변화나이미지를분석하여얻어질수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110132127A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100051965
申请日：2010-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76898 , G03F7/70391 , H01L21/0275 , G03F7/2022
Abstract: PURPOSE: An exposure apparatus and an exposure method using the same are provided to arrange various shapes of patterns on a wafer with a low cost, thereby providing an advantageous method for mass production. CONSTITUTION: A photo mask(40) comprises a substrate(41) and a plurality of light sources(42) attached on the substrate. The substrate is comprised of a glass substrates including quartz. The multiple light sources respectively include a light emitting diode or laser diode. The laser diode uses stimulated emission and constructive interference phenomena. The size of the substrate in which the multiple light sources are arranged is determined according to a condition of an exposure system.
Abstract translation: 目的：提供一种曝光装置和使用该曝光装置的曝光方法，以便以低成本在晶圆上布置各种形状的图案，从而提供有利的批量生产方法。 构成：光掩模（40）包括衬底（41）和附着在衬底上的多个光源（42）。 基板由包括石英的玻璃基板组成。 多个光源分别包括发光二极管或激光二极管。 激光二极管使用受激发射和建设性干扰现象。 根据曝光系统的条件确定布置多个光源的基板的尺寸。
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公开(公告)号：KR1019990015461A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970037587
申请日：1997-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 포토리소그래피 공정에 의하여 반도체 장치의 미세 콘택홀을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 상면이 제1 절연막으로 덮인 반도체 기판상에 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴에 전자기 빔을 조사하고, 상기 레지스트 패턴의 측벽에 제2 절연막으로 이루어지는 스페이서를 형성하고, 상기 레지스트 패턴 및 스페이서를 식각 마스크로 하여 상기 제1 절연막을 패터닝하여 상기 반도체 기판의 상면을 일부 노출시키는 콘택홀을 형성한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980075143A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970011257
申请日：1997-03-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 여정호
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 얼라인 키 패턴의 단차 감소수단을 구비하는 반도체장치 및 그 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명은 기판과 얼라인 키 패턴사이에 단차 완화층으로서 배선막 패턴을 구비하고 있다. 상기 기판의 전면에 감광막을 도포하는 경우 평평한 결과면을 얻을 수 있어서, 상기 얼라인 키 패턴의 좌표즉정을 위한 광 조사시 상기 얼라인 키 패턴과 상기 배선막 패턴의 계면에서 반사된 광이 상기 감광막의 어느 계면에서나 동일한 방향으로 굴절되도록 할 수 있다. 따라서 상기 광 조사시 입사각을 특정각으로 하여 굴절된 광으로부터 상기 얼라인 키 패턴의 좌표정보를 갖고 있는 간섭광을 얻을 수 있다. 상기 얼라인 키 패턴의 좌표를 정확히 측정함은 후속공정을 위한 마스크 정렬정확도를 높일 수 있음을 의미하고 달리해석하면, 마스크의 정렬오차를 최소화하는 것을 의미하므로 결국, 마스크의 정렬마진을 높이는 결과가 된다.
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公开(公告)号：KR1019970023758A
公开(公告)日：1997-05-30
申请号：KR1019950038995
申请日：1995-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 하지층의 영향에 의하여 포토레지스트 패턴의 크기가 변하지 않는 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 하지층 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 하지층의 두께 변화로 인하여 상기 포토레지스트 패턴의 크기가 변하는 것을 방지하기 위하여 상기 포토레지스트 패턴과 상기 하지층 사이에 하지 반사 방지막을 삽입하는 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 의하여 상기 하지층의 두께 변화에 의하여 상기 하지층과 상기 반도체 기판 사이의 계면에서 반사하는 빛은 영향을 주지 않는다. 따라서, 상기 하지층의 두께가 변하여도 형성되는 포토레지스트 패턴의 크기는 변하지 않고 일정한 크기를 유지한다.
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公开(公告)号：KR1019970017902A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950029338
申请日：1995-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법이 개시되어 있다. 베리어층이 형성된 반도체 기판 상에 금속을 플로우(flow) 한 후 모서리 부위의 면적을 최소화하는 얼라인 키 패턴을 형성하여 모서리 거칠음을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 얼라인 키 패턴 형성방법이 제공된다. 따라서, 얼라인 키 패턴 인식시 인시에러를 방지할 수 있다.
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