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公开(公告)号：KR1020050112630A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040037750
申请日：2004-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 다중 도메인 액정 표시 장치에 대한 것으로서, 수직 배향 (VA; vertically aligned) 모드의 액정 표시 장치에서 저계조 및 고계조 영역에서 대각 방향 시인성의 비대칭성을 제거한 구조를 가지는 액정 표시 장치에 대한 것이다.
다중 도메인 액정 표시장치에서 서로 대칭을 이루는 구조인 제1형 화소와 제2형 화소로 이루어진 화소를 반복 배치함으로써, 좌우 대각에 대한 시인성의 대칭성을 가지게 된다.-
公开(公告)号：KR101112537B1
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：KR1020040040383
申请日：2004-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F2001/134345 , G02F2001/134354 , H01L27/1255
Abstract: 절연 기판 위에 게이트선, 유지 전극을 포함하는 유지 전극선 및 결합 보조 전극이 형성되어 있고, 이들을 덮는 게이트 절연막 상부에는 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선 및 드레인 전극과 결합 보조 전극과 중첩하여 결합 용량을 형성하는 결합 전극이 형성되어 있다. 이들을 덮는 보호막 상부에는 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 드레인 전극 및 결합 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 결합 보조 전극과 연결되어 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극이 형성되어 있다.
액정표시장치, 수직배향, 절개부, 결합전극, 결합용량Abstract translation: 分离维持电极线和耦合电容耦合到所述辅助电极上形成，并且这些覆盖栅极绝缘膜上部绝缘线和栅极交叉的数据线和漏电极，并连接所述辅助电极与栅极线交叠，维持电极的基板上 耦合电极形成。 这些被覆盖屏蔽与所述栅极线和像素区域合并的辅助电极以及连接到所述漏电极和耦合电极每个都限定交叉数据线权利要求第一像素电极连接的上部，其被电容性地耦合到所述第一像素电极 形成两个像素电极。
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公开(公告)号：KR101100878B1
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020040052565
申请日：2004-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
Abstract: 절연 기판 위에 게이트선 및 유지 전극을 포함하는 유지 전극선이 형성되어 있고, 이들을 덮는 게이트 절연막 상부에는 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선 및 드레인 전극과 유지 전극과 중첩하는 결합 전극이 형성되어 있다. 이들을 덮는 보호막 상부에는 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 드레인 전극 및 결합 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 결합 전극과 중첩되어 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극이 형성되어 있다. 이때, 보호막은 질화 규소의 제1 절연막과 유기 물질의 제2 절연막을 포함하는데, 제2 화소 전극과 결합 전극이 중첩하는 부분에서 제2 절연막 일부가 제거되어 제2 화소 전극과 결합 전극은 제1 절연막만을 사이에 두고 중첩하여 결합 용량을 형성한다.
액정표시장치, 수직배향, 절개부, 결합전극, 결합용량-
公开(公告)号：KR1020080087401A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020070029562
申请日：2007-03-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정미혜
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/136222
Abstract: A display substrate and a display device having the same are provided to separate a first light blocking layer formed between pixel electrodes electrically from a second light blocking layer overlapped with a data line, thereby reducing loads of the data line and accordingly reducing delay of a signal. A TFT(Thin Film Transistor) layer(210) includes a gate line, a data line, a TFT and a storage line. The data line crosses the gate line as being insulated from the gate line through a gate insulating layer. The TFT is connected with the gate line and the data line. The storage line is in the same layer as the gate line. A color filter layer(220) is on the TFT layer. A pixel electrode(230) is on the color filter layer so as to correspond to each pixel. A first light blocking layer(240) is on the same layer as the gate line, and between neighboring pixel electrodes. A second light blocking layer(250) is on the same layer as the gate line so as to be overlapped with the data line, and electrically separated from the first light blocking layer.
Abstract translation: 提供一种显示基板及其显示装置，用于将形成在像素电极之间的第一遮光层与与数据线重叠的第二遮光层分开，从而减少数据线的负载，从而减少信号的延迟 。 TFT（薄膜晶体管）层（210）包括栅极线，数据线，TFT和存储线。 数据线通过栅极绝缘层与栅极线绝缘而与栅极线交叉。 TFT与栅极线和数据线连接。 存储线与栅极线处于同一层。 滤色器层（220）在TFT层上。 像素电极（230）位于滤色器层上，以对应于每个像素。 第一遮光层（240）位于与栅极线相同的层上，并且在相邻的像素电极之间。 第二遮光层（250）与栅极线在同一层上，以与数据线重叠，并与第一遮光层电隔离。
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公开(公告)号：KR1020080071409A
公开(公告)日：2008-08-04
申请号：KR1020070009619
申请日：2007-01-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/133 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L21/208 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: A thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing a display panel including the same are provided to form a stepped part or a slope having a downward slope at a sidewall of a bank by using a slit mask. A gate electrode(110) is formed on an upper surface of a substrate(100). A gate insulating layer(120) is formed on an upper surface of the gate electrode. A source electrode(130) and a drain electrode(140) are formed on an upper surface of the gate insulating layer. A barrier layer(150) is formed on the entire structure. The source and drain electrodes are partially exposed by removing a part of the barrier layer. A bank including a sidewall of a downward slope is formed. An active layer material(170) is implanted into the inside of the bank.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管，其制造方法和制造其的显示面板的制造方法，以通过使用狭缝掩模形成在堤岸的侧壁处具有向下倾斜的阶梯部分或斜面。 在基板（100）的上表面上形成栅电极（110）。 栅极绝缘层（120）形成在栅电极的上表面上。 源电极（130）和漏电极（140）形成在栅极绝缘层的上表面上。 在整个结构上形成阻挡层（150）。 通过去除阻挡层的一部分来部分地暴露源电极和漏电极。 形成包括向下倾斜的侧壁的堤岸。 活性层材料（170）被注入到堤的内部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080046041A
公开(公告)日：2008-05-26
申请号：KR1020060115470
申请日：2006-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/136286 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01J11/24
Abstract: A display panel is provided to improve transmissivity of light passing through the display panel by restraining a texture generated due to colliding fringe fields, thereby preventing non-uniformity of brightness of the display panel and preventing deterioration of brightness. A display panel(901) includes gate wiring including gate lines(121) and first maintenance electrode lines(126) in parallel with the gate line; data wiring including data lines(161) crossing the gate lines and second maintenance electrode lines(168) overlapped with the first maintenance electrode lines in parallel and separated from the data lines, wherein the data wiring is arranged on the gate wiring, being insulated; pixel electrodes(180) arranged on the data wiring, being insulated; a liquid crystal layer arranged on the pixel electrodes, including liquid crystal particles; and common electrodes arranged on the liquid crystal layer. The first maintenance electrode lines and the second maintenance electrode lines are different in width in some sections.
Abstract translation: 提供了一种显示面板，以通过抑制由于碰撞条纹场而产生的纹理从而防止显示面板的亮度不均匀并防止亮度的劣化，从而提高通过显示面板的光的透射率。 显示面板（901）包括与栅极线平行的包括栅极线（121）和第一维护电极线（126）的栅极布线; 包括跨越栅极线的数据线（161）和与第一维护电极线并联并与数据线分离的第二维护电极线（168）的数据布线，其中数据布线布置在栅极布线上; 布置在数据线上的像素电极（180）被绝缘; 布置在像素电极上的液晶层，包括液晶粒子; 和布置在液晶层上的公共电极。 在一些部分中，第一维护电极线和第二维护电极线的宽度不同。
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公开(公告)号：KR1020080030244A
公开(公告)日：2008-04-04
申请号：KR1020060096074
申请日：2006-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: An LCD(Liquid Crystal Display) is provided to secure side visibility by dividing a pixel electrode into two sub pixel electrodes and driving them through different TFTs(Thin Film Transistors). An LCD comprises the first insulation substrate, gate lines(22), data lines(62), TFTs, and pixel electrodes(82). The gate lines are formed on the first insulation substrate. The data lines respectively, insulated from the gate lines, cross the gate liens. The TFTs are connected to the gate lines and the data lines. Each of pixel electrodes, connected to each TFT, is segmented into a plurality of domains by the first domain segmentation unit having first notches(84a,84b). The width of the first domain segmentation unit is increased or decreased for the first notches and the period between the first notches. The first notches comprise a concave notch and a convex notch. The width of the first domain segmentation unit is gradually increased from the concave notch to the convex notch.
Abstract translation: 通过将像素电极分成两个子像素电极并驱动它们通过不同的TFT（薄膜晶体管）来提供LCD（液晶显示器）以确保侧视可见性。 LCD包括第一绝缘基板，栅极线（22），数据线（62），TFT和像素电极（82）。 栅极线形成在第一绝缘基板上。 分别与栅极线绝缘的数据线跨越栅极留置。 TFT连接到栅极线和数据线。 连接到每个TFT的每个像素电极通过具有第一凹口（84a，84b）的第一区域分割单元被分割成多个域。 第一区域分割单元的宽度对于第一凹口和第一凹口之间的周期而增加或减小。 第一凹口包括凹形缺口和凸凹口。 第一域分割单元的宽度从凹陷凹槽逐渐增加到凸凹口。
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公开(公告)号：KR1020080004989A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020060064004
申请日：2006-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/136 , G02F2201/12 , H01L29/786
Abstract: A method for fabricating a TFT(Thin Film Transistor) array panel is provided to reduce a production cost by removing the necessity of an optical mask by using the same optical mask as that used for forming gate wirings and storage electrode lines to partially etch a gate insulating layer. A gate conductive layer is formed on an insulation substrate(10). The gate conductive layer is patterned to form a gate wiring(24) including a gate line and a gate electrode, and a storage electrode line(26). A gate insulating layer(32) is formed on the gate wiring and the storage electrode line(32). The gate insulating layer(32) is patterned to partially etch the portions of the gate insulating layer(32) which overlap with the gate wiring(24) and the storage electrode line(26). Through the partial etching of the gate insulating layer(32), the gate insulating layer remains and the thickness of the gate insulating layer(32) is reduced.
Abstract translation: 提供一种用于制造TFT（薄膜晶体管）阵列面板的方法，通过使用与用于形成栅极布线和存储电极线的光掩模相同的光学掩模，通过消除光学掩模的需要来部分蚀刻栅极来降低生产成本 绝缘层。 在绝缘基板（10）上形成栅极导电层。 栅极导电层被图案化以形成包括栅极线和栅电极的栅极布线（24）和存储电极线（26）。 栅极绝缘层（32）形成在栅极布线和存储电极线（32）上。 栅极绝缘层（32）被图案化以部分蚀刻与栅极布线（24）和存储电极线（26）重叠的栅极绝缘层（32）的部分。 通过栅极绝缘层（32）的局部蚀刻，栅极绝缘层残留，并且栅极绝缘层（32）的厚度减小。
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公开(公告)号：KR1020070057481A
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020050116983
申请日：2005-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , H01L27/124 , H01L29/786
Abstract: A thin film transistor substrate and an LCD(Liquid Crystal Display) comprising the same are provided to improve aperture ratio and response speed even with a small-sized pixel in a 4-domain structure type thin film transistor substrate. A plurality of first lines(110a) are extended on a transparent substrate. A plurality of second lines(140a) are extended across the first lines. A plurality of thin film transistors are positioned correspondingly to crossing portions of the first lines and the second lines. The thin film transistors are alternately formed at both sides of each of the first lines. Pixel electrodes(170) are respectively connected to the thin film transistors. The pixel electrodes are disposed in parallel with one another among three of the second lines.
Abstract translation: 提供了一种薄膜晶体管基板和包括该薄膜晶体管基板的LCD（液晶显示器），以便即使在4-畴结构型薄膜晶体管基板中的小尺寸像素也可提高开口率和响应速度。 多个第一线（110a）在透明基板上延伸。 多个第二线（140a）跨越第一线延伸。 多个薄膜晶体管对应于第一线和第二线的交叉部分定位。 薄膜晶体管交替地形成在每条第一线的两侧。 像素电极（170）分别连接到薄膜晶体管。 像素电极在三条第二条线中彼此平行设置。
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公开(公告)号：KR1020060083096A
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020050016458
申请日：2005-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F2001/134354 , G02F2201/123
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 기판, 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 각각의 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있으며, 드레인 전극을 가지는 박막 트랜지스터, 드레인 전극과 연결되어 있는 용량성 결합 전극, 각각의 게이트선과 데이터선으로 둘러싸인 화소에 각각 형성되어 있으며, 드레인 전극과 연결되어 있는 제1 화소 전극과 제1 화소 전극과 분리되어 있으며 용량성 결합 전극과 중첩하는 제2 화소 전극을 가지는 화소 전극을 포함한다. 이때, 서로 다른 화소의 제1 화소 전극과 제2 화소 전극은 좌우 대칭 구조를 가진다.
액정표시장치, 수직배향, 결합전극, 시인성, 대칭
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