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公开(公告)号：KR100906475B1
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020040002251
申请日：2004-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/22
CPC classification number: G11B7/1362 , G11B7/123 , G11B7/22 , H01L2224/81 , H01S5/02248 , H01S5/02292
Abstract: 마이크로 광학벤치 구조물 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 하부기판, 상기 하부기판에 본딩되어 있고, 상기 하부기판이 노출되는 홀이 형성된 상부기판 및 상기 하부기판에 구비된 제1 광학소자와 이에 관련된 부재들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 광학 벤치 구조물 및 그 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100682905B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020040099744
申请日：2004-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/5281 , G02B1/11 , G02B5/3025 , H01L33/44
Abstract: 본 발명은 외부광을 효율적으로 차단하면서 내부광을 거의 그대로 통과시킬 수 있는 단방향 투명 광학계의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 단방향 투명 광학계의 제조 방법은, 투명 기판의 상면에 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 포토레지스트를 가열하여 탄화시킴으로서 흑체층을 형성하는 단계; 상기 흑체층을 패터닝함으로써 상기 투명 기판 위에 다수의 광흡수재료들을 형성하는 단계; 및 상기 광흡수재료들이 형성된 투명 기판 상에, 상기 광흡수재료들 중 대응하는 하나를 향하여 입사광을 굴절시키는 볼록 렌즈 형태의 돌출구조들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100668349B1
公开(公告)日：2007-01-12
申请号：KR1020050116637
申请日：2005-12-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B81C1/00626 , B81B2203/0136 , B81C1/00396 , H02N1/008
Abstract: A self-aligned comb electrode etching method is provided to decrease an alignment error between upper and lower structures of a MEMS(Micro Electro-Mechanical System) structure and to precisely form a gap between comb electrodes. A method for etching a fixed comb electrode formed on a first silicon layer(401) of an SOI(Silicon-On-Insulator) substrate(400) and a drive comb electrode formed on a second silicon layer(403) of the substrate includes steps of: forming a first mask on the part of the first silicon layer where the fixed comb electrode is formed, a second mask on the position where the drive comb electrode is formed, and an oxidization preventing layer(S) on a region correspondent to the fixed comb electrode part of the second silicon layer; etching the first silicon layer exposed to the second mask to a predetermined depth; removing the second mask, etching the first silicon layer exposed to the first mask, and leaving a first part of the first silicon layer of the predetermined height on the drive comb electrode part; etching an insulating layer(402) of the substrate exposed to the first mask and the first part; etching the second silicon layer exposed to the first mask and the first part; removing the first mask and forming a silicon oxide layer on the exposed silicon layer; removing the oxidization preventing layer and etching the silicon layer formed under the oxidization preventing layer; and removing the silicon oxide layer.
Abstract translation: 提供自对准梳状电极蚀刻方法以减小MEMS（微机电系统）结构的上下结构之间的对准误差并精确地形成梳状电极之间的间隙。 在SOI（绝缘体上硅）衬底（400）的第一硅层（401）和形成在衬底的第二硅层（403）上的驱动梳状电极上形成的固定梳状电极的蚀刻方法包括步骤 在形成有固定梳状电极的第一硅层的一部分上形成第一掩模，在形成有驱动梳电极的位置上形成第二掩模，以及在与所述第二掩模相对应的区域上的防氧化层（S） 第二硅层的固定梳状电极部分; 将暴露于第二掩模的第一硅层蚀刻到预定深度; 去除第二掩模，蚀刻暴露于第一掩模的第一硅层，并将预定高度的第一硅层的第一部分留在驱动梳电极部分上; 蚀刻暴露于第一掩模和第一部分的基板的绝缘层（402）; 蚀刻暴露于第一掩模和第一部分的第二硅层; 去除第一掩模并在暴露的硅层上形成氧化硅层; 除去氧化防止层并蚀刻形成在防氧化层下面的硅层; 并除去氧化硅层。
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公开(公告)号：KR1019990012424A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970035815
申请日：1997-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사 , 페어차일드코리아반도체 주식회사
Inventor： 정석환
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 잉커 테스트 장치는 베이스의 윗면에 설치되고, 베이스의 윗면에 대하여 평행하게 소정 거리로 왕복 운동되는 제 1 이동부와, 제 1 이동부상에 설치되고, 일단에는 잉커가 결합되며, 제 1 이동부상에서 베이스의 윗면에 대하여 수직하게 소정 거리로 왕복 운동되는 제 2 이동부와, 제 1 이동부상에 설치되고, 일단에는 잉커에서 솔레노이드의 동작 여부를 감지하기 위한 제 1 센서가 결합되며, 제 1 이동부상에서 베이스의 윗면에 대하여 수직하게 소정 거리로 이동 가능한 제 3 이동부와, 제 1 이동부와 대향되도록 베이스의 윗면에 설치되고, 일단에는 잉커에서 잉크 라인의 동작 여부를 감지하기 위한 제 2 센서가 결합되며, 베이스의 윗면에 대하여 평행하게 소정 거리로 왕복 운동되는 제 4 이동부와, 웨이퍼가 위치되는 웨이퍼 로� ��부와, 데이터 입력부와, 테스트 제어부와, 표시부와, 작동부 및 잉커에서 사용되는 전원이 공급되도록 하는 전원 공급부를 포함한다. 이와 같은 잉커 테스트 장치의 테스트 방법은 잉커를 제 2 이동부에 결합시키고, 제 1 이동부와 제 2 이동부를 사용하여 웨이퍼 로딩부에 로딩된 웨이퍼를 기준으로 잉커를 세팅하는 단계와, 제 1 센서와 제 2 센서를 잉커의 솔레노이드와 잉크 라인의 동작을 측정가능하도록 제 3 이동부와 제 4 이동부를 사용하여 세팅하는 단계와, 잉커를 테스트하기 위한 데이터를 입력시키는 단계와, 입력된 데이터를 실행하도록 잉커 테스트 장치에 지시하는 단계와, 테스트 제어부에서 동작신호를 발생하고, 동작신호에 응답하여 작동부에서 잉커가 작동되도록 하는 단계와, 잉커의 작동 상태가 상기 제 1 센서와 제 2 센서에서 검출되고, 그 결과가 표시부에 출력되는 단계 및 데이터 입력 단계에서 입력된 데이터에 의해서 테스트가 완료 또는 잉커 작동 단계가 반복 � ��행되도록 하는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170124025A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020160053544
申请日：2016-04-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06K9/00 , H03K17/96 , A61B5/1172
CPC classification number: G06K9/00053 , G06F3/044 , G06F2203/0338 , G06K9/0002 , G06K9/00087
Abstract: 영상을표시하는표시소자; 상기표시소자상에배치되는제1 투명커버; 상기제1 투명커버에인접배치되어사용자의지문을인식하는센서부; 상기센서부상에배치되고, 사용자의지문이터치되는터치면을가지는, 제2 투명커버;를포함하는, 온-스크린지문센서가제공된다. 제2 투명커버는제1 투명커버에비해얇은두께를가지며, 적절한강도, 경도를구비하여, 온-스크린지문센서의강도, 경도및 센싱감도가향상될수 있다.
Abstract translation: 一种用于显示图像的显示元件; 设置在显示元件上的第一透明盖; 传感器单元，所述传感器单元邻近所述第一透明盖布置以识别用户的指纹; 第二透明盖，其设置在传感器部分上并具有触摸用户的指纹的触摸表面。 第二透明罩的厚度比第一透明罩的厚度薄，并且具有适当的强度和硬度，从而可以提高屏幕指纹传感器的强度，硬度和感测灵敏度。
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公开(公告)号：KR1020160115643A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020150096789
申请日：2015-07-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 제 1 디바이스의사용권한에대한정보를수신하고, 수신된사용권한정보및 사용자의전화번호정보를기초로하여제 1디바이스에대한사용권한을확인하고, 확인된제1디바이스에대한사용권한에따라, 제 1디바이스를실행하는, 사용권한에따라디바이스를실행하는방법및 장치가개시된다.
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公开(公告)号：KR1020160092755A
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020150013540
申请日：2015-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06K9/00
CPC classification number: G06K9/00087 , G06K9/0002 , G06K9/0008 , G06K9/00067
Abstract: 지문인증시스템및 지문인증방법이개시된다. 개시된지문인증시스템은피검체에웨이브신호를인가하여피검체의표면또는피검체내부에서반사된반사웨이브신호를분석할수 있는구성을지니고있다. 개시된지문인증방법은피검체의지문의형상을비교하는제 1단계인증및 피검체내부의생체특성을비교하는제 2단계인증을선택적으로실시할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种指纹认证系统及其方法。 所公开的指纹认证系统可以通过向对象施加波信号来分析从物体表面或物体内部反射的反射波信号。 所公开的指纹认证方法可以选择性地执行第一步认证以比较对象的指纹的形状和第二步骤认证，以比较对象内的生物特征属性。
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公开(公告)号：KR1020160011104A
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020140092162
申请日：2014-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B06B1/0292
Abstract: 초음파변환기및 초음파변환기의제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는, 기판, 제1절연층, 제1박막층을포함하는웨이퍼, 상기제1박막층상의지지부, 상기지지부에의해지지되는제2박막층, 제1박막층과제2박막층사이의캐비티, 및상기제2박막층상의공통접지전극을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种超声换能器及其制造方法。 所公开的超声换能器包括：基底; 第一绝缘层; 包括第一薄膜层的晶片; 在第一薄膜层上的支撑部分; 由所述支撑部支撑的第二薄膜层; 第一薄膜层和第二薄膜层之间的空腔; 以及第二薄膜层上的公共接地电极。
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公开(公告)号：KR101573517B1
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：KR1020090096825
申请日：2009-10-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04R17/02
CPC classification number: H04R17/00
Abstract: 압전형마이크로스피커가개시된다. 개시된압전형마이크로스피커는, 전면캐비티를포함하는디바이스플레이트와, 디바이스플레이트의전면에서전면캐비티와연통되는방사홀을가진전면플레이트와, 디바이스플레이트의후면에서후면캐비티와디바이스플레이트와접촉되는공간인벤트부를포함한후면플레이트를포함한다. 디바이스플레이트에는벤트부와연통된제1벤트홀이형성되며, 전면플레이트에는제1벤트홀과연통된제2벤트홀이형성된다.
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